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基于量子点掺杂的PLA纳米线共振散射折射率传感器制造技术

技术编号:28293058 阅读:106 留言:0更新日期:2021-04-30 16:15
本发明专利技术属于光学折射率传感器技术领域,具体涉及基于量子点掺杂的PLA纳米线共振散射折射率传感器,本发明专利技术采用具有良好的生物兼容性和可降解的PLA材料,通过一步拉制法制备得到CdSe/ZnS QDs掺杂的PLA NW,基于米氏散射共振原理发现,该PLA NW可作为一种基于量子点掺杂的PLA纳米线共振散射折射率传感器,不仅具有灵敏度高、传感体积大、生物兼容性和降解性好等特点,还具有良好的再现性和稳定性,且制备简便。此外,本发明专利技术所使用的仪器为暗场散射显微镜,采用温和的白光光源代替激光,也更加适合体内传感,在生物微环境监测、生物传感以及生物医学治疗等方面具有较大的潜在应用价值。

【技术实现步骤摘要】
基于量子点掺杂的PLA纳米线共振散射折射率传感器
本专利技术属于光学折射率传感器
,具体涉及基于量子点掺杂的PLA纳米线共振散射折射率传感器。
技术介绍
在化学和生物传感器中,折射率传感器占有重要的地位,它通过探测折射率的变化来确定化学物质的种类和含量。折射率传感器的主要类型之一是光学折射率((RefractiveIndex,RI))传感器,这是因为光学RI传感器具有响应速度快、抗电磁干扰、信号采集方式多等优点,可用于测量目标分析物的浓度或检测目标分析物与其受体之间的结合情况,因而在生物医学领域具有许多潜在的应用。目前综合效果最好的RI传感器是基于棱镜传播的表面等离子体共振(Surfaceplasmonresonance,SPR)传感器和基于金属阵列的局域SPR传感器。上述RI传感器可以获得极高的灵敏度和品质因数(figureofmerit,FOM)。SPR传感器通常利用银膜或者金膜激发表面等离子体波,但相比于电介质材料,金属在可见光范围内的高光损耗特性,使得它们的应用范围受到限制,导致传感体积小,丢失了被感测物体的空间位置信息,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CdSe/ZnS量子点掺杂的聚乳酸纳米线的制备方法,其特征在于,先对聚乳酸材料进行CdSe/ZnS量子点掺杂,然后采用一步拉制法制备得到。/n

【技术特征摘要】
1.一种CdSe/ZnS量子点掺杂的聚乳酸纳米线的制备方法,其特征在于,先对聚乳酸材料进行CdSe/ZnS量子点掺杂,然后采用一步拉制法制备得到。


2.根据权利要求1所述的一种CdSe/ZnS量子点掺杂的聚乳酸纳米线的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将聚乳酸、CdSe/ZnS量子点溶液和有机溶剂配制成聚乳酸和量子点的混合液;
S2、采用一步拉制法以一定的拉伸速度将步骤S1的混合液拉制成CdSe/ZnS量子点掺杂的聚乳酸纳米线。


3.根据权利要求2所述的一种CdSe/ZnS量子点掺杂的聚乳酸纳米线的制备方法,其特征在于,步骤S2所述的拉伸速度为(4-6)mm/s。


4.根据权利要求2所述的一种CdSe/ZnS量子点掺杂的聚乳酸纳米线的制备方法,其特征在于,所述聚乳酸与CdSe/ZnS量子点溶液的料液比(g/mL)为(5-15):1。


5.根据权利要求4所述的一种CdSe/ZnS量子点掺杂的聚乳酸纳米线的制备方法,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:雷宏香贺炜琦张伟娜张健添刘璞
申请(专利权)人:中山大学
类型:发明
国别省市:广东;44

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