【技术实现步骤摘要】
基于量子点掺杂的PLA纳米线共振散射折射率传感器
本专利技术属于光学折射率传感器
,具体涉及基于量子点掺杂的PLA纳米线共振散射折射率传感器。
技术介绍
在化学和生物传感器中,折射率传感器占有重要的地位,它通过探测折射率的变化来确定化学物质的种类和含量。折射率传感器的主要类型之一是光学折射率((RefractiveIndex,RI))传感器,这是因为光学RI传感器具有响应速度快、抗电磁干扰、信号采集方式多等优点,可用于测量目标分析物的浓度或检测目标分析物与其受体之间的结合情况,因而在生物医学领域具有许多潜在的应用。目前综合效果最好的RI传感器是基于棱镜传播的表面等离子体共振(Surfaceplasmonresonance,SPR)传感器和基于金属阵列的局域SPR传感器。上述RI传感器可以获得极高的灵敏度和品质因数(figureofmerit,FOM)。SPR传感器通常利用银膜或者金膜激发表面等离子体波,但相比于电介质材料,金属在可见光范围内的高光损耗特性,使得它们的应用范围受到限制,导致传感体积小,丢失了被感测 ...
【技术保护点】
1.一种CdSe/ZnS量子点掺杂的聚乳酸纳米线的制备方法,其特征在于,先对聚乳酸材料进行CdSe/ZnS量子点掺杂,然后采用一步拉制法制备得到。/n
【技术特征摘要】
1.一种CdSe/ZnS量子点掺杂的聚乳酸纳米线的制备方法,其特征在于,先对聚乳酸材料进行CdSe/ZnS量子点掺杂,然后采用一步拉制法制备得到。
2.根据权利要求1所述的一种CdSe/ZnS量子点掺杂的聚乳酸纳米线的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将聚乳酸、CdSe/ZnS量子点溶液和有机溶剂配制成聚乳酸和量子点的混合液;
S2、采用一步拉制法以一定的拉伸速度将步骤S1的混合液拉制成CdSe/ZnS量子点掺杂的聚乳酸纳米线。
3.根据权利要求2所述的一种CdSe/ZnS量子点掺杂的聚乳酸纳米线的制备方法,其特征在于,步骤S2所述的拉伸速度为(4-6)mm/s。
4.根据权利要求2所述的一种CdSe/ZnS量子点掺杂的聚乳酸纳米线的制备方法,其特征在于,所述聚乳酸与CdSe/ZnS量子点溶液的料液比(g/mL)为(5-15):1。
5.根据权利要求4所述的一种CdSe/ZnS量子点掺杂的聚乳酸纳米线的制备方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:雷宏香,贺炜琦,张伟娜,张健添,刘璞,
申请(专利权)人:中山大学,
类型:发明
国别省市:广东;44
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