一种层级结构SiOC透波材料、制备方法及其应用技术

本发明专利技术一种层级结构SiOC透波材料、制备方法及其应用中，层级结构SiOC透波材料，包括多层的SiOC纳米线，由芯层向外层该SiOC纳米线包括有SiC层、SiO2层以及Si‑O‑C层，其中Si‑O‑C层为非晶的。本方案通过均匀生长具有梯度组成的具有优异透波性能的SiOC纳米线。所提出的制备SiOC纳米线的方法简单、适于大规模的生产，具有应用于雷达罩新型透波涂层的潜力。

【技术实现步骤摘要】
一种层级结构SiOC透波材料、制备方法及其应用
本专利技术属于吸波材料
，具体涉及一种层级结构SiOC透波材料、制备方法及其应用。
技术介绍
随着电磁波的探索和应用，越来越多的与电磁波有关的材料得到了应用，其中最典型的是电磁波吸收材料和渗透材料。根据已有报道，常用的制备纳米线的方法包括化学气相沉积法、电弧放电法、碳纳米管约束反应法。在过去的两个世纪中，电磁波在电路器件和信息技术中的应用越来越广泛和深入，这促进了电磁波材料，包括透波材料、吸波材料和屏蔽材料的快速发展，以满足电磁波材料的迫切需要。众所周知，SiC是典型的电磁波吸波材料，SiO2是典型的电磁波透波材料。SiC纳米线由于其化学电阻率高、热稳定性好、机械强度和硬度高等优点，在高强度复合材料、光催化和传感器件等领域具有广阔的应用前景。LiangHu,YangZou等人提出了一种不添加催化剂制备的SiC纳米线的方法。将硅粉、乙基纤维素和甲醇混合制备的浆料均匀涂覆在石墨纸上，然后在真空炉中不同温度下保温以形成碳化硅纳米线。结果表明，硅粉颗粒经气-固过程逐渐升华，与石墨纸提供的碳反本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.层级结构SiOC透波材料，包括多层的SiOC纳米线，由芯层向外层该SiOC纳米线包括有SiC层、SiO

【技术特征摘要】
1.层级结构SiOC透波材料，包括多层的SiOC纳米线，由芯层向外层该SiOC纳米线包括有SiC层、SiO2层以及Si-O-C层，其中Si-O-C层为非晶的。


2.根据权利要求1所述的层级结构SiOC透波材料，其特征在于，所述SiC层的厚度小于0.05微米；SiO2层的厚度小于0.03微米；Si-O-C层的厚度小于0.03微米。


3.层级结构SiOC透波材料及制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、碳纤维原料、硅片原料、石英纤维的准备；
B、反应器的反应腔内依次铺叠硅片原料、碳纤维原料和石英纤维原料；
C、以升温速率为2-7℃/min升温至1450-1550℃后，保温1h，然后以5-15℃/min的降温速率冷却至室温即可。


4.根据权利要求3所述的层级结构SiOC透波材料及制备方法，其特征在于，所述步骤A中碳纤维原料的准备包括碱处理，所述碱处理为将碳纤维原料在5wt％氢氧化钠溶液中浸泡去除表面杂质。


5.根据权利要求3或4所述的层级结构S...

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，谢芳，宫晓博，郑建，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学威海，山东兰海新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37