一种高抗性大豆的育种方法技术

本发明专利技术适用于植物育种技术领域，提供了一种高抗性大豆的育种方法，一种高抗性大豆的育种方法，包括以下步骤：S1、选择育种主干亲本和抗源亲本：选择当地主要栽培的农艺和产量性状优良但抗性不足的大豆品种作为育种主干亲本，选择大豆种质资源库中经抗性鉴定表现为高抗的大豆品种作为抗源亲本；S2、杂交：正季种植大豆育种主干亲本和抗源亲本进行杂交得到F1代；S3、将F1代与其抗源亲本回交，得到F2代，并在F2代筛选出优势组合种子；S4、将S3中筛选出的种子用紫外线照射20～40分钟进行灭菌；本发明专利技术先经过杂交得到F1代以及F2代，后经过枯萎病病菌接种后，最终筛选培育出大豆枯萎病高抗性的新品种，对推广大豆抗病育种具有重要的意义。

【技术实现步骤摘要】
一种高抗性大豆的育种方法
本专利技术属于植物育种
，尤其涉及一种高抗性大豆的育种方法。
技术介绍
大豆是我国重要的粮油饲兼用作物和食品加工原料，在国民经济发展和保障国家粮食与食品安全中具有重要的战略地位。提高大豆产量是保障我国大豆产业安全发展的根本途径。目前，大豆育种中杂种后代的选择均是在生育后期对地上部性状的选择。但是，大豆在成长过程中由于其本身的抗性低，往往会导致大豆易患枯萎病从而降低了大豆的产量。
技术实现思路
本专利技术提供一种高抗性大豆的育种方法，旨在解决上述
技术介绍
中所提到的问题。本专利技术是这样实现的，一种高抗性大豆的育种方法，包括以下步骤：S1、选择育种主干亲本和抗源亲本：选择当地主要栽培的农艺和产量性状优良但抗性不足的大豆品种作为育种主干亲本，选择大豆种质资源库中经抗性鉴定表现为高抗的大豆品种作为抗源亲本；S2、杂交：正季种植大豆育种主干亲本和抗源亲本进行杂交得到F1代；S3、将F1代与其抗源亲本回交，得到F2代，并在F2代筛选出优势组合种子；S4、将S3中筛选出的种子用紫外线照射20～40分钟进行灭菌，然后用高锰酸钾溶液浸泡10～30分钟，放入6-8％的盐水中浸泡2～5h，盐水和种子比例为3：1，用水清洗后在26～32℃条件下催芽；S5、取S4中胚根长0.7～1.4cm的萌发种子，损伤胚根，在浓度为6～8×106个孢子/ml的枯萎病病菌液中浸泡20-50min；S6、取S5中接种病菌后的种子，1～3周后连续20天调查，淘汰发病株，未发病株自交留种，从而获得稳定的高抗性大豆。优选的，在S4中，将S3中筛选出的种子用紫外线照射25～35分钟进行灭菌，然后用高锰酸钾溶液浸泡15～25分钟，放入6-8％的盐水中浸泡3～4h，盐水和种子比例为3：1，用水清洗后在28～30℃条件下催芽。优选的，在S4中，将S3中筛选出的种子用紫外线照射30分钟进行灭菌，然后用高锰酸钾溶液浸泡20分钟，放入6-8％的盐水中浸泡3.5h，盐水和种子比例为3：1，用水清洗后在29℃条件下催芽。优选的，在S5中，取S4中胚根长0.8～1.0cm的萌发种子，损伤胚根，在浓度为6～8×106个孢子/ml的枯萎病病菌液中浸泡30-40min。优选的，在S5中，取S4中胚根长0.9cm的萌发种子，损伤胚根，在浓度为7×106个孢子/ml的枯萎病病菌液中浸泡35min。优选的，在S6中，取S5中接种病菌后的种子，2周后连续20天调查，淘汰发病株，未发病株自交留种，从而获得稳定的高抗性大豆。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的高抗性大豆的育种方法先经过杂交得到F1代以及F2代，后经过枯萎病病菌接种后，最终筛选培育出大豆枯萎病高抗性的新品种，对推广大豆抗病育种具有重要的意义。本专利技术提供的高抗性大豆的育种方法可有效克服大豆抗胞囊线虫病育种鉴定难、鉴定与选择脱节、选择难、育种效率低的技术难题，提高了抗胞囊线虫病育种效率。附图说明图1为本专利技术一种高抗性大豆的育种方法的流程示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图1，本专利技术提供一种技术方案：一种高抗性大豆的育种方法，包括以下步骤：S1、选择育种主干亲本和抗源亲本：选择当地主要栽培的农艺和产量性状优良但抗性不足的大豆品种作为育种主干亲本，选择大豆种质资源库中经抗性鉴定表现为高抗的大豆品种作为抗源亲本；S2、杂交：正季种植大豆育种主干亲本和抗源亲本进行杂交得到F1代；S3、将F1代与其抗源亲本回交，得到F2代，并在F2代筛选出优势组合种子；S4、将S3中筛选出的种子用紫外线照射20～40分钟进行灭菌，然后用高锰酸钾溶液浸泡10～30分钟，放入6-8％的盐水中浸泡2～5h，盐水和种子比例为3：1，用水清洗后在26～32℃条件下催芽；S5、取S4中胚根长0.7～1.4cm的萌发种子，损伤胚根，在浓度为6～8×106个孢子/ml的枯萎病病菌液中浸泡20-50min；S6、取S5中接种病菌后的种子，1～3周后连续20天调查，淘汰发病株，未发病株自交留种，从而获得稳定的高抗性大豆。进一步的，在S4中，将S3中筛选出的种子用紫外线照射25～35分钟进行灭菌，然后用高锰酸钾溶液浸泡15～25分钟，放入6-8％的盐水中浸泡3～4h，盐水和种子比例为3：1，用水清洗后在28～30℃条件下催芽。进一步的，在S4中，将S3中筛选出的种子用紫外线照射30分钟进行灭菌，然后用高锰酸钾溶液浸泡20分钟，放入6-8％的盐水中浸泡3.5h，盐水和种子比例为3：1，用水清洗后在29℃条件下催芽。进一步的，在S5中，取S4中胚根长0.8～1.0cm的萌发种子，损伤胚根，在浓度为6～8×106个孢子/ml的枯萎病病菌液中浸泡30-40min。进一步的，在S5中，取S4中胚根长0.9cm的萌发种子，损伤胚根，在浓度为7×106个孢子/ml的枯萎病病菌液中浸泡35min。进一步的，在S6中，取S5中接种病菌后的种子，2周后连续20天调查，淘汰发病株，未发病株自交留种，从而获得稳定的高抗性大豆。为了进一步说明本专利技术，以下结合实施例对本专利技术提供的一种高强度镁合金材料及其制备方法进行详细描述，但不能将其理解为对本专利技术保护范围的限定。实施例1一种高抗性大豆的育种方法，包括以下步骤：S1、选择育种主干亲本和抗源亲本：选择当地主要栽培的农艺和产量性状优良但抗性不足的大豆品种作为育种主干亲本，选择大豆种质资源库中经抗性鉴定表现为高抗的大豆品种作为抗源亲本；S2、杂交：正季种植大豆育种主干亲本和抗源亲本进行杂交得到F1代；S3、将F1代与其抗源亲本回交，得到F2代，并在F2代筛选出优势组合种子；S4、将S3中筛选出的种子用紫外线照射20～40分钟进行灭菌，然后用高锰酸钾溶液浸泡10分钟，放入6-8％的盐水中浸泡2h，盐水和种子比例为3：1，用水清洗后在26℃条件下催芽；S5、取S4中胚根长0.7cm的萌发种子，损伤胚根，在浓度为6×106个孢子/ml的枯萎病病菌液中浸泡20min；S6、取S5中接种病菌后的种子，1周后连续20天调查，淘汰发病株，未发病株自交留种，从而获得稳定的高抗性大豆。实施例2一种高抗性大豆的育种方法，包括以下步骤：S1、选择育种主干亲本和抗源亲本：选择当地主要栽培的农艺和产量性状优良但抗性不足的大豆品种作为育种主干亲本，选择大豆种质资源库中经抗性鉴定表现为高抗的大豆品种作为抗源亲本；S2、杂交：正季种植大豆育种主干亲本和抗源亲本进行杂交得到F1代；S3、将F1代与其抗源亲本回交，得到F2代，并在F2代筛选出优势组合种子；S4、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高抗性大豆的育种方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、选择育种主干亲本和抗源亲本：选择当地主要栽培的农艺和产量性状优良但抗性不足的大豆品种作为育种主干亲本，选择大豆种质资源库中经抗性鉴定表现为高抗的大豆品种作为抗源亲本；/nS2、杂交：正季种植大豆育种主干亲本和抗源亲本进行杂交得到F1代；/nS3、将F1代与其抗源亲本回交，得到F2代，并在F2代筛选出优势组合种子；/nS4、将S3中筛选出的种子用紫外线照射20～40分钟进行灭菌，然后用高锰酸钾溶液浸泡10～30分钟，放入6-8％的盐水中浸泡2～5h，盐水和种子比例为3：1，用水清洗后在26～32℃条件下催芽；/nS5、取S4中胚根长0.7～1.4cm的萌发种子，损伤胚根，在浓度为6～8×10

【技术特征摘要】
1.一种高抗性大豆的育种方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、选择育种主干亲本和抗源亲本：选择当地主要栽培的农艺和产量性状优良但抗性不足的大豆品种作为育种主干亲本，选择大豆种质资源库中经抗性鉴定表现为高抗的大豆品种作为抗源亲本；
S2、杂交：正季种植大豆育种主干亲本和抗源亲本进行杂交得到F1代；
S3、将F1代与其抗源亲本回交，得到F2代，并在F2代筛选出优势组合种子；
S4、将S3中筛选出的种子用紫外线照射20～40分钟进行灭菌，然后用高锰酸钾溶液浸泡10～30分钟，放入6-8％的盐水中浸泡2～5h，盐水和种子比例为3：1，用水清洗后在26～32℃条件下催芽；
S5、取S4中胚根长0.7～1.4cm的萌发种子，损伤胚根，在浓度为6～8×106个孢子/ml的枯萎病病菌液中浸泡20-50min；
S6、取S5中接种病菌后的种子，1～3周后连续20天调查，淘汰发病株，未发病株自交留种，从而获得稳定的高抗性大豆。


2.如权利要求1所述的一种高抗性大豆的育种方法，其特征在于，在S4中，将S3中筛选出的种子用紫外线照射25～35分钟进行灭菌，然后...

【专利技术属性】
技术研发人员：卫玲，肖俊红，乔羽佳，刘博，杨海峰，段学艳，
申请(专利权)人：山西省农业科学院小麦研究所，
类型：发明
国别省市：山西;14