透明导电性薄膜、其制造方法以及具备该透明导电性薄膜的触摸面板技术

本发明专利技术提供一种透明导电体层已被图案化而且外观良好的透明导电性薄膜及其制造方法。该透明导电性薄膜是一种在透明的薄膜基材的单面或两面经由至少一层底涂层具有透明导电体层的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电体层已被图案化，而且在不具有所述透明导电体层的非图案部具有所述至少一层底涂层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在可见光线区域具有透明性而且在薄膜基材上经由底涂层设置透明导电体层的透明导电性薄膜及其制造方法。进而，还涉及具备该透明导电性薄膜的触摸面板。本专利技术的透明导电性薄膜除了被用作液晶显示器、电致发光显示器等显示器方式或触摸面板等中的透明电极以外，还被用于透明物品的防静电干扰或电磁波屏蔽等。本专利技术的透明导电性薄膜特别优选用于触摸面板用途中。其中，优选用于静电电容结合方式的触摸面板用途。
技术介绍
利用位置检测的方法不同，触摸面板包括光学方式、超声波方式、静电电容方式、电阻膜方式等。电阻膜方式的触摸面板的透明导电性薄膜与带透明导电体层玻璃经由间隔件对置配置，成为在透明导电性薄膜中流电流来计测带透明导电体层玻璃中的电压的结构。另一方面，静电电容方式的触摸面板的特征在于，以在基材上具有透明导电层的结构为基本结构，没有可动部分，具有高耐久性、高透过率，所以适用于车辆用途等中。在所述触摸面板中，例如提出了在透明的薄膜基材的单面，从所述薄膜基材的一侧，依次形成第一底涂层、第二底涂层以及透明导电体层的透明导电性薄膜(专利文献1)。专利文献1：特开2002-326301号公报
技术实现思路
所述透明导电性薄膜有时图案化透明导电体层。但是，明确化了图案化透明导电体层的图案部与非图案化部的差异，作为显示元件的外观变差。特别是在静电电容结合方式的触摸面板中，由于透明导电体层被用于-->入射表面侧，所以在已图案化透明导电体层的情况下，作为显示元件的外观也需要为良好。本专利技术的目的在于提供一种透明导电体层已被图案化而且外观良好的透明导电性薄膜及其制造方法。另外，其目的还在于提供一种具备该透明导电性薄膜的触摸面板。本专利技术人等为了解决所述课题而进行潜心研究，结果发现通过采用下述结构可以实现所述目的，以至完成本专利技术。即，本专利技术涉及一种透明导电性薄膜，其是在透明的薄膜基材的单面或两面经由至少一层底涂层具有透明导电体层的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电体层已被图案化，而且在不具有所述透明导电体层的非图案部具有所述至少一层底涂层。在所述透明导电性薄膜中，在至少具有两层底涂层的情况下，优选至少离透明的薄膜基材最远的底涂层与透明导电体层同样地被图案化。在所述透明导电性薄膜中，在至少具有两层底涂层的情况下，优选至少离透明的薄膜基材最远的底涂层由无机物形成。由无机物形成的底涂层优选为SiO2膜。在所述透明导电性薄膜中，从透明的薄膜基材开始第一层的底涂层优选由有机物形成。在所述透明导电性薄膜中，透明导电体层的折射率与底涂层的折射率的差优选为0.1以上。在所述透明导电性薄膜中，在已被图案化的透明导电体层经由两层底涂层设置的情况下，优选从透明的薄膜基材开始第一层的底涂层的折射率(n)为1.5～1.7，厚度(d)100～220nm，从透明的薄膜基材开始第二层的底涂层的折射率(n)为1.4～1.5，厚度(d)20～80nm，透明导电体层的折射率(n)为1.9～2.1，厚度(d)为15～30nm，所述各层的光学厚度(n×d)的总合为208～554nm。另外，优选已被图案化的透明导电体层和两层底涂层的所述光学厚度-->的总合与非图案部的底涂层的光学厚度的差(Δnd)为40～130nm。作为本专利技术的透明导电性薄膜，为了在至少单面配置所述已被图案化的透明导电体层，可以使用经由透明的粘合剂层至少叠层两片所述透明导电性薄膜的透明导电性薄膜。另外，作为本专利技术的透明导电性薄膜，为了在单面配置所述已被图案化的透明导电体层，可以使用在所述透明导电性薄膜的单面经由透明的粘合剂层贴合透明基体的透明导电性薄膜。所述透明导电性薄膜可以优选用于触摸面板。作为触摸面板，优选静电电容结合方式的触摸面板。另外，本专利技术还涉及一种透明导电性薄膜的制造方法，其是所述透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，具有：配制在透明的薄膜基材的单面或两面经由至少一层底涂层具有透明导电体层的透明导电性薄膜的工序；以及利用酸蚀刻所述透明导电体层从而图案化的工序。在所述制造方法中，在底涂层至少具有两层的情况下，在利用酸蚀刻透明导电体层从而图案化的工序之后，至少具有：利用碱蚀刻离透明的薄膜基材最远的底涂层的工序。在所述透明导电性薄膜的制造方法中，在图案化透明导电体层的工序之后，可以具有退火处理已被图案化的透明导电体层从而使其结晶化的工序。另外，本专利技术还涉及一种特征在于具备所述透明导电性薄膜的触摸面板。在透明导电性薄膜中，在图案化设置透明导电体层的情况下，在图案部和非图案部的反射率差的作用下，图案间变得明确化，外观被损坏。在本专利技术的透明导电性薄膜中，虽然图案化透明导电体层，但在非图案部设置底涂层，可以将图案部与非图案部的反射率差抑制为较小，可以消除图案间的明确化引起的不良情形，外观变好。另外，通过在非图案部设置底涂层，薄膜基材不会成为露出的状态，可以抑制薄膜基材中的寡聚物的发-->生，从外观的点出发，为良好。另外，通过在非图案部设置底涂层，已被图案化的透明导电体层的彼此之间被绝缘化，利用已被图案化的透明导电体层，透明导电性薄膜的使用方式被扩大。这种透明导电性薄膜被优选用于触摸面板。特别优选用于静电电容结合方式的触摸面板。附图说明图1是表示本专利技术的一个实施方式中的透明导电性薄膜的剖面图。图2是表示本专利技术的一个实施方式中的透明导电性薄膜的剖面图。图3是表示本专利技术的一个实施方式中的透明导电性薄膜的剖面图。图4是表示比较例1中的透明导电性薄膜的剖面图。图5是表示本专利技术的一个实施方式中的透明导电性薄膜的剖面图。图6是表示本专利技术的一个实施方式中的透明导电性薄膜的剖面图。图7是表示本专利技术的一个实施方式中的透明导电性薄膜的剖面图。图8是表示本专利技术的一个实施方式中的透明导电性薄膜的剖面图。图9是表示本专利技术的一个实施方式中的透明导电性薄膜的剖面图。图10是表示本专利技术的一个实施方式中的透明导电性薄膜的剖面图。图11是表示本专利技术的一个实施方式中的透明导电性薄膜的剖面图。图12是表示本专利技术的一个实施方式中的透明导电性薄膜的剖面图。图13是表示本专利技术的透明导电性薄膜的图案的一例的俯视图。图中，1-薄膜基材，2-底涂层，3-透明导电体层，4-粘合剂层，5-透明基体，6-硬涂层，a-图案部，b-非图案部。具体实施方式以下参照图说明本专利技术的实施方式。图1是表示本专利技术的透明导电性薄膜的一例的剖面图。图1的透明导电性薄膜在透明的薄膜基材1的单面经由底涂层2具有透明导电体层3。透明导电体层3被图案化。其中，在各图中，透明导电体层3被图案化是指具有透明导电体层3的图案部a和没有透明导电体层3的非图案部b。另外，在所述非图案部b具有所述底涂层2。图2、3是有两层底涂层2的情况。在图2、3中，从透明的薄膜基材1侧依次设置底涂层21、22。图2是在非图案部b具有底涂层21、-->22的情况。图3中，离透明的薄膜基材1最远的底涂层22与透明导电体层3同样地被图案化。在图3中，在非图案部b具有底涂层21。即，有两层底涂层2的情况下，在非图案部b从透明的薄膜基材1侧开始至少具有第一层底涂层21。在图2、3中，例示了两层底涂层2的情况，但底涂层2也可以为三层以上。即使有三层以上底涂层的情况下，在非图案部b也至少具有从透明的薄膜基材1侧开始第一层底涂层2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电性薄膜，其在透明的薄膜基材的单面或两面上，经由至少一层底涂层地具有透明导电体层的透明导电性薄膜，其特征在于，　　　　所述透明导电体层被图案化，而且在不具有所述透明导电体层的非图案部具有所述至少一层底涂层。

【技术特征摘要】
JP 2007-1-18 2007-009295;JP 2007-8-30 2007-2242321.一种透明导电性薄膜，其在透明的薄膜基材的单面或两面上，经由至少一层底涂层地具有透明导电体层的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电体层被图案化，而且在不具有所述透明导电体层的非图案部具有所述至少一层底涂层。2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，底涂层至少具有两层，至少离透明的薄膜基材最远的底涂层与透明导电体层同样地被图案化。3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，底涂层至少具有两层，至少离透明的薄膜基材最远的底涂层由无机物形成。4.根据权利要求3所述的透明导电性薄膜，其特征在于，由无机物形成的底涂层为SiO2膜。5.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，从透明的薄膜基材开始第一层的底涂层由有机物形成。6.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，透明导电体层的折射率与底涂层的折射率的差为0.1以上。7.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，已被图案化的透明导电体层经由两层底涂层地设置，从透明的薄膜基材开始第一层的底涂层的折射率(n)为1.5～1.7，厚度(d)100～220nm，从透明的薄膜基材开始第二层的底涂层的折射率(n)为1.4～1.5，厚度(d)20～80nm，透明导电体层的折射率(n)为1.9～2.1，厚度(d)为15～30nm，所述各层的光学厚度(n×d)的总合...

【专利技术属性】
技术研发人员：梨木智刚，菅原英男，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]