粘合片制造技术

提供一种粘合片，其可以在硬脆基板的背面磨削工序中用于硬脆基板的磨削，其低污染性、生产率、磨削精度及剥离性均优异。本发明专利技术的粘合片具备粘合剂层，该粘合剂层的厚度为1μm～300μm，该粘合剂层在25℃下的压痕硬度H(Pa)和粘合剂层的厚度h

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘合片


[0001]本专利技术涉及粘合片。

技术介绍

[0002]近年来，精度良好地制造白色LED用基板、SOS(硅蓝宝石，Silicon on Sapphire)等电子设备和/或智能手机和/或手表的保护玻璃等中使用的蓝宝石基板、可期待作为功率半导体用基板的碳化硅基板、氮化镓基板、氧化镓基板、金刚石基板、作为功率半导体用的散热电路板材料使用的氮化硅基板、氮氧化铝基板、玻璃和/或透镜的水晶振子等中使用的石英基板等硬且脆的陶瓷基板(以下统称为硬脆基板)的需求变高。作为制造这样的基板的工序的代表例，可举出将基板(晶圆)的背面磨削至期望厚度的背面磨削工序，在该工序中，为了将基板固定，使用蜡或粘合片(背面磨削带)作为固定材料。其中，粘合片与蜡相比不易污染基板，此外，从生产率的观点出发也可有利地使用。
[0003]另一方面，基板(硬脆基板)为高硬度，在对高硬度的基板(硬脆基板)进行磨削时，需要边将以金刚石等作为材质的固定磨粒或游离磨粒以高载荷挤压到被磨削体(硬脆基板)上边使研磨机旋转，使该被磨削体薄型化。此时，对固定材料施加高的垂直压力，以往的粘合片存在容易发生如下问题的倾向：产生粘合剂层的变形、被磨削体的振动等磨削性的问题。此外，为了消除这些问题而设计的固定材料会产生如下的问题：发生重剥离化，在背面磨削工序之后从固定材料将被磨削体剥离时污染被磨削体。如上所述，在对硬脆基板进行磨削时，以往的固定材料难以兼顾磨削性和剥离性。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献1：日本特开2011
‑r/>151163号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本专利技术是为了解决上述现有的问题而做出的，其目的在于，提供一种粘合片，其可以在硬脆基板的背面磨削工序中用于硬脆基板的磨削，其低污染性、生产率、磨削精度及剥离性均优异。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本专利技术的粘合片具备粘合剂层，该粘合剂层的厚度为1μm～300μm，该粘合剂层在25℃下的压痕硬度H(Pa)和粘合剂层的厚度h
A
(μm)满足下述式(1)的关系。
[0010]logH≥1.9385
×
logh
A
+4.2611
ꢀꢀ
···
(1)
[0011]在一个实施方式中，将上述粘合片的粘合面贴合于硅芯片时的25℃的环境温度下的剪切粘接强度为1.0MPa以上。
[0012]在一个实施方式中，将上述粘合片的粘合面贴合于SUS304BA时的80℃的环境温度下的剥离粘合力为15N/20mm以下。
[0013]在一个实施方式中，上述粘合剂层在25℃下的压痕硬度H为10MPa～1GPa。
[0014]在一个实施方式中，上述粘合剂层由包含基础聚合物的粘合剂构成，该基础聚合物为热塑性弹性体。
[0015]在一个实施方式中，上述热塑性弹性体为苯乙烯系弹性体或乙烯
‑
乙酸乙烯酯系弹性体。
[0016]在一个实施方式中，上述粘合剂还包含增粘树脂。
[0017]在一个实施方式中，上述增粘树脂的含量相对于前述基础聚合物100重量份为1重量份～350重量份。
[0018]在一个实施方式中，还具备配置在上述粘合剂层的至少单侧的基材。
[0019]在一个实施方式中，还具备配置在上述粘合剂层的至少单侧的其它粘合剂层。
[0020]在一个实施方式中，上述基材在25℃下的拉伸弹性模量为1
×
107Pa～1
×
10
10
Pa。
[0021]在一个实施方式中，上述粘合片作为半导体制造工序中的基板加工时的临时固定材料使用。
[0022]根据本专利技术的其它方面，提供一种基板的磨削方法。该基板的磨削方法包括：将基板载置在具备粘合剂层的粘合片的该粘合剂层上并固定之后，对该基板的与粘合剂层侧处于相反侧的面进行磨削，该粘合剂层的厚度为1μm～300μm，该粘合剂层在25℃下的压痕硬度H(Pa)与粘合剂层的厚度h
A
(μm)满足下述式(1)的关系。
[0023]根据本专利技术的其它方面，提供一种基板的制造方法。该基板的制造方法包括如下的磨削工序：将基板载置在具备粘合剂层的粘合片的该粘合剂层上并固定之后，对该基板的与粘合剂层侧处于相反侧的面进行磨削；该粘合剂层的厚度为1μm～300μm，该粘合剂层在25℃下的压痕硬度H(Pa)和粘合剂层的厚度h
A
(μm)满足下述式(1)的关系。
[0024]专利技术的效果
[0025]根据本专利技术，可以提供一种粘合片，其可以在硬脆基板的背面磨削工序中用于硬脆基板的磨削，其低污染性、生产率、磨削精度及剥离性均优异。
附图说明
[0026]图1的(a)、(b)及(c)为本专利技术的1个实施方式的粘合片的示意截面图。
具体实施方式
[0027]A.粘合片的概要
[0028]图1的(a)是本专利技术的1个实施方式的粘合片的示意截面图。粘合片100具备粘合剂层10。本专利技术的粘合片可以仅由粘合剂层10构成，也可以除了该粘合剂层以外还具备任意适当的层。
[0029]图1的(b)是本专利技术的其它实施方式的粘合片的示意截面图。粘合片200具备粘合剂层10和配置在粘合剂层10的至少单侧的基材20。图1的(c)是本专利技术的其它实施方式的粘合片的示意截面图。粘合片300具备粘合剂层10和配置在粘合剂层10的至少单侧的其它粘合剂层30。可以如图示例那样在粘合剂层10和其它粘合剂层30之间配置基材20，虽然未图示，但是也可以省略基材而由粘合剂层和其它粘合剂层构成粘合片。此外，虽然未图示，但是，上述粘合片中，作为除粘合剂层以外的层，还可以具备可对上述粘合片赋予弹性的弹性层(后述E项)、可剥离地配置在粘合剂层上的隔离体(后述F项)等。
[0030]本专利技术的粘合片具备的粘合剂层中，粘合剂层在25℃下的压痕硬度H(Pa)和粘合剂层的厚度h
A
(μm)满足下述式(1)的关系。此外，上述粘合剂层的厚度h
A
为1μm～300μm。
[0031]logH≥1.9385
×
logh
A
+4.2611
ꢀꢀ
···
(1)
[0032]在本专利技术中，在将厚度h
A
设为1μm～300μm的基础上，使得压痕硬度H与厚度h
A
满足上述关系，通过由此构成粘合剂层，能够得到相对于背面磨削工序中的磨削时的负荷(即，垂直方向的负荷及剪切方向的负荷)不易发生显著变形的粘合片。此外，满足上述关系的粘合剂层在高温下(例如80℃～120℃)保持弹性变形而不变软，因此，本专利技术的粘合片在对基板进行磨削之后可表现出优异的剥离性。具有这样的特性的本专利技术的粘合片可以适宜作为半导体制造工序中的基板加工时的临时固定材料使用，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种粘合片，其为具备粘合剂层的粘合片，该粘合剂层的厚度为1μm～300μm，该粘合剂层在25℃下的压痕硬度H(Pa)和粘合剂层的厚度h
A
(μm)满足下述式(1)的关系，logH≥1.9385
×
logh
A
+4.2611
···
(1)。2.根据权利要求1所述的粘合片，其中，将所述粘合片的粘合面贴合于硅芯片时的在25℃的环境温度下的剪切粘接强度为1.0MPa以上。3.根据权利要求1或2所述的粘合片，其中，将所述粘合片的粘合面贴合于SUS304BA时的在80℃的环境温度下的剥离粘合力为15N/20mm以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘合片，其中，所述粘合剂层在25℃下的压痕硬度H为10MPa～1GPa。5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘合片，其中，所述粘合剂层由包含基础聚合物的粘合剂构成，该基础聚合物为热塑性弹性体。6.根据权利要求5所述的粘合片，其中，所述热塑性弹性体为苯乙烯系弹性体或乙烯
‑
乙酸乙烯酯系弹性体。7.根据权利要求5所述的粘合片，其中，所述粘合剂还包含增粘树脂。8.根据权利要求7所述的粘合片，其中，所述增粘树脂的含量相对于所述基础聚合物100重量份为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野周作，由藤拓三，平山高正，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：