本发明专利技术公开一种具有结合结构的壳体装置，其第一壳体包括第一壳座及第一结合结构。第一壳座具有第一底面、第一墙体及延伸壁，第一墙体及延伸壁分别自第一底面朝远离第一底面的方向延伸，延伸壁位在第一墙体的内侧并高于第一墙体；第一结合结构包含卡勾、基座及设置作为超声波熔接线的第一凸块，卡勾设置在延伸壁面向第一墙体的一侧，基座凸设于第一墙体并对应位在卡勾的下方，且第一凸块设置在基座上；借此，壳座的全周缘可进行超声波结合，进而提高壳体装置的可靠度。高壳体装置的可靠度。高壳体装置的可靠度。
【技术实现步骤摘要】
具有结合结构的壳体装置
[0001]本专利技术涉及塑料壳体，尤指一种具有结合结构的壳体装置。
技术介绍
[0002]按，产品的壳体装置除了维持产品外形的美观之外，还提供容纳电气零组件等功能。又，一般壳体装置主要可区分金属或塑料材质。以塑料材质来说，壳体装置大多是由相互盖合的两壳座所构成，其中，两壳座是分别通过射出成型方式形成，待两壳座相互盖合后，再利用卡合、锁固或黏合等方式作结合，据此完成产品的组设。
[0003]再者，传统壳体装置的锁固方式在组装程序中非常耗时且不易拆卸，因此，目前已有利用卡勾及超声波结合的方式作固定。然而，传统壳座的卡勾结构是直接凸设在壳座墙体，为避免在射出成型时形成倒勾或产生干涉而无法脱模，故传统壳座无法在卡勾的位置下方形成超声波结合结构，因此，传统壳座在进行超声波结合时需跳过卡勾的部分，造成无法在壳座的全周缘进行超声波结合，导致壳座在卡勾位置处的结构强度较弱而容易发生毁损。
[0004]有鉴于此，本专利技术遂针对上述现有技术，特潜心研究并配合学理的运用，尽力解决上述的问题点，即成为本专利技术的研究动机。
技术实现思路
[0005]本专利技术的一目的，在于提供一种具有结合结构的壳体装置，其壳座的全周缘可进行超声波结合并可加强卡勾位置处的结构强度，进而提高壳体装置的可靠度。
[0006]为了达成上述的目的，本专利技术提供一种具有结合结构的壳体装置，包含第一壳体，第一壳体包括第一壳座及第一结合结构。第一壳座具有第一底面、第一墙体及延伸壁，第一墙体及延伸壁分别自第一底面朝远离第一底面的方向延伸，延伸壁位在第一墙体的内侧并高于第一墙体；第一结合结构包含卡勾、基座及设置作为超声波熔接线的第一凸块，卡勾设置在延伸壁面向第一墙体的一侧，基座凸设于第一墙体并对应位在卡勾的下方，且第一凸块设置在基座上。
[0007]其中，该基座具有一倾斜面，该第一凸块设置于该倾斜面上。
[0008]其中，该第一壳座具有位在该延伸壁与该第一墙体之间的一沟槽；该第一结合结构更包含一加强肋，该加强肋位在该延伸壁远离该第一墙体的一侧并对应该卡勾的位置而设置。
[0009]其中，其更包括一第二壳体，该第二壳体包括:一第二壳座，具有一第二底面及一第二墙体，该第二墙体自该第二底面朝远离该第二底面的方向延伸，该第二墙体的顶面设置有用于作为超声波熔接线的一第二凸块，该第二凸块嵌入该第一壳体的该沟槽中；以及一第二结合结构，包含设置在该第二墙体上的一卡槽及位在该卡槽一侧的一抵掣块；其中，该第二壳体通过该卡槽卡合该第一壳体的该卡勾并通过该抵掣块抵接该第一壳体的该基座。
[0010]其中，该第一壳体及该第二壳体通过超声波熔合方式作结合，该基座与该抵掣块通过该第一凸块的熔化而黏合，该第一墙体与该第二墙体通过该第二凸块的熔化而黏合。
[0011]为了达成上述的目的，本专利技术提供一种具有结合结构的壳体装置，包含第一壳体，第一壳体包括第一壳座及第一结合结构。第一壳座具有第一底面及第一墙体，第一墙体自第一底面朝远离第一底面的方向延伸；第一结合结构包含卡勾、基座、及设置作为超声波熔接线的第一凸块，卡勾凸出第一墙体，基座凸设于第一墙体并对应位在卡勾的下方，且第一凸块设置在基座上。
[0012]其中，该基座具有一倾斜面，该第一凸块设置于该倾斜面上。
[0013]其中，该第一壳座具有位在该第一墙体的一外侧的一沟槽；该第一结合结构更包含一加强肋，该加强肋对应该卡勾的位置而设置。
[0014]其中，其更包括一第二壳体，该第二壳体包括:一第二壳座，具有一第二底面及一第二墙体，该第二墙体自该第二底面朝远离该第二底面的方向延伸，该第二墙体的顶面设置有用于作为超声波熔接线的一第二凸块，该第二凸块嵌入该第一壳体的该沟槽中；以及一第二结合结构，包含设置在该第二墙体上的一卡槽及位在该卡槽一侧的一抵掣块；其中，该第二壳体通过该卡槽卡合该第一壳体的该卡勾并通过该抵掣块抵接该第一壳体的该基座。
[0015]其中，该第一壳体及该第二壳体利用超声波熔合方式作结合，该基座与该抵掣块通过该第一凸块的熔化而黏合，该第一墙体与该第二墙体通过该第二凸块的熔化而黏合。
[0016]相较于现有技术，本专利技术的壳体装置的第一壳座成型有第一墙体及延伸壁，延伸壁位在第一墙体的内侧并高于第一墙体，另外，第一壳座还设置有第一结合结构，包含卡勾、基座及设置作为超声波熔接线的第一凸块；又，卡勾设置在延伸壁，基座凸设于第一墙体并对应位在卡勾的下方，且将第一凸块设置在基座上。再者，壳体装置还包括与第一壳体相互盖合的第二壳体；又，第二壳座还设置有第二结合结构，包含设置卡槽及抵掣块；据此，第一壳体与第二壳体在未设置有卡勾的地方，其第二壳体的第二凸块会插置在第一壳体的沟槽而进行超声波熔合，并通过第二凸块的熔化而黏合；另一方面，第一壳体及第二壳体在设置有卡勾之处亦可进行超声波熔合，第二壳体通过卡槽卡合第一壳体的卡勾并通过抵掣块抵接第一壳体的基座而定位，当壳体装置的第一壳体通过超声波熔合方式结合第二壳体时，其基座与抵掣块通过第一凸块的熔化而黏合；借此，第一壳体及第二壳体之间可进行全周缘的超声波熔合而增强两者之间的结合强度，进而提高壳体装置的可靠度，增加本专利技术的实用性。
[0017]以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。
附图说明
[0018]图1为本专利技术的具有结合结构的壳体装置的立体分解示意图。
[0019]图2为本专利技术的第一壳体的立体外观示意图。
[0020]图3为图1中沿3-3线组装前的剖面示意图。
[0021]图4为图3中的部分放大示意图。
[0022]图5为图1中沿5-5线组装前的剖面示意图。
[0023]图6为图5中的部分放大示意图。
[0024]图7为图3组装后的剖面示意图。
[0025]图8为图7中的部分放大示意图。
[0026]图9为图5组装后的剖面示意图。
[0027]图10为图9中的部分放大示意图。
[0028]图11为本专利技术第一壳体的卡勾的另一实施态样。
[0029]图12为本专利技术第一壳体的卡勾的另一实施态样应用在壳体装置时的结合示意图。
[0030]其中，附图标记：
[0031]1、1a
…
壳体装置
[0032]10、10a
…
第一壳体
[0033]11、11a
…
第一壳座
[0034]110、110a
…
沟槽
[0035]111、111a
…
第一底面
[0036]112、112a
…
第一墙体
[0037]113
…
延伸壁
[0038]12、12a
…
第一结合结构
[0039]121、121a
…
卡勾
[0040]122、122a
…
基座
[本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有结合结构的壳体装置，其特征在于，包含一第一壳体，该第一壳体包括:一第一壳座，具有一第一底面、一第一墙体及一延伸壁，该第一墙体及该延伸壁分别自该第一底面朝远离该第一底面的方向延伸，该延伸壁位在该第一墙体的一内侧并高于该第一墙体；以及一第一结合结构，包含一卡勾、一基座及设置作为超声波熔接线的一第一凸块，该卡勾设置在该延伸壁面向该第一墙体的一侧，该基座凸设于该第一墙体并对应位在该卡勾的下方，且该第一凸块设置在该基座上。2.根据权利要求1所述的具有结合结构的壳体装置，其特征在于，该基座具有一倾斜面，该第一凸块设置于该倾斜面上。3.根据权利要求1所述的具有结合结构的壳体装置，其特征在于，该第一壳座具有位在该延伸壁与该第一墙体之间的一沟槽；该第一结合结构更包含一加强肋，该加强肋位在该延伸壁远离该第一墙体的一侧并对应该卡勾的位置而设置。4.根据权利要求3所述的具有结合结构的壳体装置，其特征在于，其更包括一第二壳体，该第二壳体包括:一第二壳座，具有一第二底面及一第二墙体，该第二墙体自该第二底面朝远离该第二底面的方向延伸，该第二墙体的顶面设置有用于作为超声波熔接线的一第二凸块，该第二凸块嵌入该第一壳体的该沟槽中；以及一第二结合结构，包含设置在该第二墙体上的一卡槽及位在该卡槽一侧的一抵掣块；其中，该第二壳体通过该卡槽卡合该第一壳体的该卡勾并通过该抵掣块抵接该第一壳体的该基座。5.根据权利要求4所述的具有结合结构的壳体装置，其特征在于，该第一壳体及该第二壳体通过超声波熔合方式作结合，该基座与该抵掣块通过该第一凸块的熔化而黏合...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢文勇，
申请(专利权)人：群光电能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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