一种铌酸锂纵模光隔离器制造技术

本发明专利技术提供一种铌酸锂纵模光隔离器，包括一体成型的第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)、第一耦合器(3)及第二耦合器(4)，第一耦合器(3)及第二耦合器(4)分别形成在第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)的两端，第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)沿长度方向均至少包括互易波导、非互易波导，其中：第一干涉臂(1)的互易波导与第二干涉臂(2)的互易波导长度不同；非互易波导包括磁光波导和铌酸锂波导，磁光波导和铌酸锂波导沿高度方向堆叠形成，磁光波导设置于铌酸锂波导的上方。本发明专利技术具有对反向传输纵模光的隔离度高，波导耦合效率高，器件尺寸小，易于集成等特点。特点。特点。

【技术实现步骤摘要】
一种铌酸锂纵模光隔离器


[0001]本专利技术涉及微纳光电子学集成
，具体涉及一种铌酸锂纵模光隔离器。

技术介绍

[0002]随着信息时代的发展，为了更好地满足其“爆炸式增长”的信息传输需要，对于光纤通信模块、链路和系统的性能要求也在逐步提升。在光路中，由于种种原因会产生与正向传输光方向相反的反射光，例如当光耦合进入光纤时，由于连接器和熔接点的存在，将会在这些端面和点处产生与原传输方向相反的反射光。反射波的光子回到器件之中时，其与半导体材料进行二次作用，干扰了发光材料的正常载流子分布，导致光路系统间产生自耦合效应和自激励效应，造成其他波长和模式光的产生，破坏传输稳定性并给器件带来各种不良影响：对于直调激光器，反射波会给激光带来啁啾，导致光源信号的剧烈波动，从而导致调制带宽下降，十分不利于高速信号的长距离传输，严重时甚至会烧毁激光器；对于光纤放大器，反射波的存在会增加噪声强度，从而使传输信噪比降低；对于模拟信号传输系统，本身抗电磁波干扰能力就较差，反射波会严重影响通信质量；对于相干光通信系统而言，反射波会增加载波信号的光谱宽度并带来频率漂移本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂纵模光隔离器，其特征在于，包括一体成型的第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)、第一耦合器(3)及第二耦合器(4)，所述第一耦合器(3)及第二耦合器(4)分别形成在所述第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)的两端，所述第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)沿长度方向均至少包括互易波导、非互易波导，其中：所述第一干涉臂(1)的互易波导与第二干涉臂(2)的互易波导长度不同；所述非互易波导包括磁光波导和铌酸锂波导，所述磁光波导和铌酸锂波导沿高度方向堆叠形成，所述磁光波导设置于所述铌酸锂波导的上方。2.根据权利要求1所述的铌酸锂纵模光隔离器，其特征在于，所述第一干涉臂(1)与第二干涉臂(2)中互易波导的长度之差使两束光产生π/2+2mπ相移，其中m为整数。3.根据权利要求1所述的铌酸锂纵模光隔离器，其特征在于，所述磁光波导的磁光材料为具有大法拉第系数的磁致旋光材料，包括掺杂型稀土铁石榴石材料。4.根据权利要求3所述的铌酸锂纵模光隔离器，其特征在于，所述磁光材料为铈掺杂钇铁石榴石。5.根据权利要求1所述的铌酸锂纵模光隔离器，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明轩，赵奕儒，戴双兴，李金野，刘建国，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：