一种转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法技术

本发明专利技术属于电子传输层QLED制备技术领域，具体涉及一种干法转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法。先在辅助衬底上制备一层ZnO纳米薄膜，然后将预先制备的粘性弹性体PDMS贴合在ZnO薄膜上，利用弹性体PDMS的粘性吸附ZnO纳米薄膜，将PDMS/ZnO与辅助衬底分离。然后进行退火使PDMS印章粘性减弱，将PDMS/ZnO贴合到钙钛矿量子点发光层上并按压，ZnO纳米颗粒被转移至钙钛矿层上，最后将PDMS印章与ZnO层分离。本发明专利技术通过PDMS印章转移ZnO纳米薄膜至钙钛矿量子点发光层上作为电子传输层，不仅可以构建完美的异质界面，还可避免溶液加法中溶剂作用或真空工艺的热效应对钙钛矿量子点发光层的破坏。点发光层的破坏。点发光层的破坏。

【技术实现步骤摘要】
一种转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法


[0001]本专利技术属于电子传输层QLED制备
，具体涉及一种干法转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法。

技术介绍

[0002]氧化锌是一种禁带宽带达到3.37eV的直接带隙半导体，室温下其激子束缚能达到60meV，ZnO晶体结构一般为六方纤锌矿结构，有着优异的光学性能和电学性能。纳米氧化锌本征的缺陷主要是Zn间隙与O空位，且氧化锌是一种n型半导体材料，普遍用于量子点发光二极管的电子传输层。
[0003]钙钛矿量子点因其优异的光电性能，在钙钛矿发光二极管（PeLED）方面展现出诱人的的应用前景。目前，以钙钛矿量子点为发光层制备的PeLED器件已取得了非凡的成就，并在照明、广色域显示等领域展现出巨大的应用潜力。虽然钙钛矿发光层能通过旋涂等溶液加工的方法制备而成，但在钙钛矿上层制备电荷传输层往往是通过真空热蒸镀实现的。因为使用极性溶剂在钙钛矿上层加工会导致发光层的快速猝灭，而使用非极性溶剂则会导致量子点薄膜再溶解，这使得全溶剂加工的钙钛矿量子点器件难以实现。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法，其特征在于：在透明导电玻璃衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和钙钛矿量子点薄膜、ZnO电子传输层、金属阴极。其中，ZnO电子传输层以转印的方法制备，具体过程如下：将ZnO纳米薄膜沉积在一辅助衬底上，将预先制备的粘性弹性体贴合在ZnO纳米薄膜上，以弹性体的粘性吸附ZnO纳米薄膜，并转移至钙钛矿量子点薄膜上，最后将粘性弹性体与ZnO层分离。2.根据权利要求1所述转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法，其特征在于：所述辅助衬底为柔性衬底或刚性衬底中的任意一种。3.根据权利要求2所述转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法，其特征在于：其中柔性衬底包括聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、聚萘二甲酸乙二醇酯 PEN...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡海龙，李福山，孟汀涛，井继鹏，高宏锦，郭太良，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：