一种内埋元件的封装结构及封装方法技术

本发明专利技术公开一种内埋元件的封装结构及封装方法，该内埋元件的封装结构包括：引线框架；半导体元件，其背面结合于导电部的正面；DAF层；半导体元件的正面电极接点由DAF层露出；DAF层设有导通孔；导电结构设于导通孔，导电结构与导电部连接；该内埋元件的封装方法，包括：采用结合材料将半导体元件的背面与引线框架的正面结合，形成一级结构；将DAF材料覆盖并压合于一级结构的正面，形成DAF层；在DAF层加工出将引线框架的正面露出的导通孔；在导通孔内设置导电结构；将引线框架刻出图案。该内埋元件的封装方结构及封装方法，将引线框架与DAF材料结合作为基板，半导体元件嵌入基板内，有利于缩小产品体积，简化了方法和结构，引线框架还可用于散热。架还可用于散热。架还可用于散热。

【技术实现步骤摘要】
一种内埋元件的封装结构及封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种内埋元件的封装结构及封装方法。

技术介绍

[0002]近年来随着便携式电子产品的蓬勃发展，各类相关产品逐渐朝向高密度、高性能以及轻、薄、小的趋势发展。
[0003]在许多集成电路产品中，一般先采用封装材料封装半导体元器件，再将半导体元器件封装件以及其他电子元件安上基板(如电路板)；如此，在电子系统中，封装材料以及基板占用了封装空间，且半导体元器件封装件占据基板的表面区域，不利于实现产品的小型化；并且，整个封装结构的结构复杂，制造过程复杂。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例的一个目的在于：提供一种内埋元件的封装结构，其将半导体元件嵌入基板内，有利于实现产品的小型化，且整个封装结构更加简单，散热性能佳。
[0005]本专利技术实施例的另一个目的在于：提供一种内埋元件的封装方法，其将半导体元件嵌入基板内，有利于实现产品的小型化，且整个封装结构更加简单，散热性能佳。
[0006]为达上述目的，本专利技术采用以下技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内埋元件的封装结构，其特征在于，包括：引线框架(10)，其为图案化导电层，其包括若干导电部(11)；半导体元件(20)，其背面通过第一结合层(71)结合于所述导电部(11)的正面，所述半导体元件(20)的正面设有电极接点(21)；DAF层(32)，其覆盖所述引线框架(10)的正面以及所述半导体元件(20)；所述半导体元件(20)的正面所述电极接点(21)由所述DAF层(32)露出；所述DAF层(32)设有导通孔(321)；导电结构(40)，其设于所述导通孔(321)；所述导电结构(40)一端与所述导电部(11)电连接，另一端由所述DAF层(32)露出。2.根据权利要求1所述的内埋元件的封装结构，其特征在于，还包括电子元件(60)，所述电子元件(60)的正面通过导电的第二结合层(72)与所述导电部(11)的背面结合。3.根据权利要求1所述的内埋元件的封装结构，还包括若干锡球(50)，所述半导体元件(20)的正面的电极接点(21)与所述锡球(50)电连接，所述导电结构(40)与所述锡球(50)电连接。4.根据权利要求1
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3任一项所述的内埋元件的封装结构，其特征在于，包括一个、两个或多个所述半导体元件(20)；至少一个所述半导体元件(20)为三极管晶片(201)；所述三极管晶片(201)的所述电极接点(21)包括设于背面的漏极接点，设于正面的源极接点(211)和栅极接点(212)。5.根据权利要求2所述的内埋元件的封装结构，其特征在于，包括多个所述电子元件(60)，所述电子元件(60)为晶片(61)或被动元件(62)。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐和明，王琇如，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：