半导体发光元件制造技术

本发明专利技术提供能够适当地确保从发射器发出的热的散热经路、改善注入电流

【技术实现步骤摘要】
半导体发光元件


[0001]本专利技术涉及具备多个发光部的半导体发光元件。

技术介绍

[0002]以往，在具备多个发光部(发射器)的半导体芯片中，着眼于发射器间的热串扰(热干扰)，谋求注入电流-光输出特性(I-L特性)的改善或散热改善。例如，在专利文献1、2中公开了通过在多个发射器之间设置散热部来降低相邻的多个活性区域的热干扰的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013-179209号公报
[0006]专利文献2：日本特开2013-179210号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]以往，为了改善半导体芯片的I-L特性或改善散热，如上所述一直实施在发射器间设置散热构件或者加大发射器间的距离等对策。
[0009]然而，为了改善半导体芯片的I-L特性或改善散热，得到新的见解：发射器的外侧的散热经路是重要的。若从发射器的外侧的散热经路被限制，则存在半导体芯片的散热特性恶化而光输出功率下降的问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件，其特征在于，其具备：具有第1面及第2面的半导体基板；形成于所述半导体基板的所述第1面上的半导体层；在所述半导体层内分别沿第1方向分开而配置且分别电连接的多个发光部；形成于所述半导体层上的第1电极；和形成于所述半导体基板的所述第2面上的第2电极，所述第1电极具有：比在所述第1方向上配置于最外侧的所述发光部的外端部更靠外侧的第1部分；和配置于所述最外侧的所述发光部的内端部与相邻的所述发光部的外端部之间的第2部分，在所述第1方向上，所述第1部分的宽度具有所述第2部分的宽度的一半以上的长度。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本晋太郎，萩元将人，
申请(专利权)人：优志旺电机株式会社，
类型：发明
国别省市：