用以沉积材料于基板上的沉积设备及阴极驱动单元制造技术

一种用以沉积材料的沉积设备(100)包括处理腔室(110)，处理腔室具有凸缘(120)。沉积设备(100)包括阴极驱动单元(130)。阴极驱动单元(130)耦接于凸缘(120)。阴极驱动单元(130)包括支撑构件(150)。阴极驱动单元(130)包括绝缘布置。绝缘布置的至少一部分分离支撑构件(150)与凸缘(120)。绝缘布置包括第一绝缘构件(262)及第二绝缘构件(264)，第二绝缘构件相邻于第一绝缘构件(262)。阴极驱动单元(130)包括第一密封件(210)，位于第一绝缘构件(262)及第二绝缘构件(264)之间。二绝缘构件(264)之间。二绝缘构件(264)之间。

【技术实现步骤摘要】
用以沉积材料于基板上的沉积设备及阴极驱动单元


[0001]本公开的多个实施方式有关于层沉积，例如是一种通过来自靶材的溅射的沉积工艺。一些实施方式特别是有关于溅射数层于多个大面积基板上。此处所述的多个实施方式特别是有关于一种溅射沉积设备，这种溅射沉积设备包括一或多个阴极组件。

技术介绍

[0002]在许多应用中必须沉积薄层于基板上。基板可在涂布设备中的一或多个腔室中进行涂布。基板可在真空中利用蒸气沉积技术涂布。
[0003]许多已知方法用以沉积材料于基板上。举例来说，基板可通过物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)工艺、化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)工艺或等离子体辅助化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)工艺等来进行涂布。工艺在处理设备或处理腔室中执行，将涂布的基板位于处理设备或处理腔室。沉积材料提供于设备中。数种材料及数种材料的氧化物、氮化物或碳化物可用于沉积于基板上。已涂布材料可使用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用以沉积材料于基板上的沉积设备，其特征在于，包括：处理腔室，具有凸缘；以及阴极驱动单元，所述阴极驱动单元耦接于所述凸缘，所述阴极驱动单元包括：支撑构件；绝缘布置，所述绝缘布置的至少一部分分离所述支撑构件与所述凸缘，所述绝缘布置包括第一绝缘构件及第二绝缘构件，所述第二绝缘构件相邻于所述第一绝缘构件；及密封件，位于所述第一绝缘构件与所述第二绝缘构件之间。2.根据权利要求1所述的沉积设备，其中所述支撑构件用以在所述阴极驱动单元的操作期间处于高电压。3.根据权利要求1所述的沉积设备，其中所述密封件用以避免在所述支撑构件与所述凸缘之间产生电弧。4.根据权利要求1至3的任一项所述的沉积设备，其中所述密封件密封所述第一绝缘构件与所述第二绝缘构件之间的间隙。5.根据权利要求1至3的任一项所述的沉积设备，其中所述密封件为带状密封件，围绕阴极组件的旋转轴。6.根据权利要求1至3的任一项所述的沉积设备，其中所述沉积设备用以沉积于垂直定位基板上。7.根据权利要求1至3的任一项所述的沉积设备，其中所述沉积设备用以沉积于大面积基板上。8.一种阴极驱动单元，用于阴极组件，所述阴极驱动单元用以耦接至处理腔室的凸缘，其特征在于，所述阴极驱动单元包括：支撑构件，用以在所述阴极驱动单元的操作期间处于高电压；绝缘布置，其中所述绝缘布置的至少一部分配置成分离所述支撑构件与所述处理腔室的所述凸缘，所述绝缘布置包括第一绝缘构件及第二绝缘构件，所述第二绝缘构件相邻于所述第一绝缘构件；以及密封件，位于所述第一绝缘构件与所述第二绝缘构件之间。9.一种用以沉积材料于基板上的沉积设备，其特征在于，包括：处理腔室，具有凸缘；以及阴极驱动单元，所述阴极驱动单元耦接于所述凸缘，所述阴极驱动单元包括：支撑构件；第一绝缘构件，分离所述支撑构件与所述凸缘，所述第一绝缘构件具有第一侧及第二侧，所述第一侧面对所述凸缘，所述第二侧面对所述支撑构件，所述第一绝缘构件具有通孔，所述通孔从所述第一侧延伸至所述第二侧；以及密封件，位于所述第一绝缘构件与所述凸缘之间，其中所述通孔布置于所述密封件的径向外部位置。10.根据权利要求9所述的沉积设备，其中所述支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：