一种低压交直流低功耗整流电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低压交直流低功耗整流电路，包括分别基于MOS管Q1、Q2、Q3、Q4的四组整流单元。本实用新型专利技术的整流电路由于MOS管的导通内置是比较小，导通压降要远小于二极管的导通压降，根据功耗功率P＝UI，在相同的电流情况下，电压越低，功耗越低。因此，整个整流整流电路的功耗要比二极管整流线路要降低50％左右。且不同的输入电压，通过调整不同的耐压和不同的导通阻值的MOS管，可以调节到适合的整流功耗。其节能降耗，适应于一些低压整流需要低损耗的应用产品。要低损耗的应用产品。要低损耗的应用产品。

【技术实现步骤摘要】
一种低压交直流低功耗整流电路

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[0001]本技术涉及电源电路
，尤其涉及一种低压交直流低功耗整流电路。

技术介绍
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[0002]整流电路是把交流电能转换为直流电能的电路。大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波器等组成。它在直流电动机的调速、发电机的励磁调节、电解、电镀等领域得到广泛应用。20世纪70年代以后，主电路多用硅整流二极管和晶闸管组成。
[0003]整流电路的作用是将交流降压电路输出的电压较低的交流电转换成单向脉动性直流电，这就是交流电的整流过程，整流电路主要由整流二极管组成。但是，目前的基于二极管的整流电路功耗较大，不适应于低功耗产品。

技术实现思路
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[0004]本技术的目的在于提供一种低压交直流低功耗整流电路，以解决现有技术的不足。
[0005]本技术由如下技术方案实施：一种低压交直流低功耗整流电路，包括分别基于MOS管Q1、Q2、Q3、Q4的四组整流单元，所述MOS 管Q1的源极连接电容C1正极、稳压二极管D1的负极，所述MOS管 Q1的栅极通过电阻R3连接三极管Q5集电极，所述三极管Q5基极通过电阻R1连接AC/DC1电源输入端，所述MOS管Q1的漏极连接MOS 管Q2的漏极，所述MOS管Q2的源极连接稳压二极管D2正极、电容 C1负极以及三极管Q5发射极，所述MOS管Q2的栅极连接稳压二极管D2负极、三极管Q6集电极，所述三极管Q6基极通过电阻R4连接 AC/DC1电源输入端，所述MOS管Q3的源极连接电容C1正极、稳压二极管D3的负极，所述MOS管Q3的栅极通过电阻R12连接三极管 Q8集电极，所述三极管Q8基极通过电阻R10连接AC/DC2电源输入端，所述MOS管Q3的漏极连接MOS管Q4的漏极，所述MOS管Q4的源极连接稳压二极管D4的正极、电容C1负极以及三极管Q7发射极，所述三极管Q7基极通过电阻R7连接AC/DC2电源输入端。
[0006]进一步地，所述MOS管Q1、Q3为P沟道耗尽型场效应管，所述 MOS管Q2、Q4为N沟道耗尽型场效应管。
[0007]进一步地，所述MOS管Q1、Q3栅极和源极之间分别连接电阻R2、 R11，所述MOS管Q2、Q4栅极和源极之间分别连接电阻R6、R9。
[0008]进一步地，所述MOS管Q2栅极通过电阻R5连接电容C1正极， MOS管Q4栅极通过电阻R8连接电容C1正极。
[0009]本技术的优点：
[0010]本技术的整流电路由于MOS管的导通内置是比较小，导通压降要远小于二极管的导通压降，根据功耗功率P＝UI，在相同的电流情况下，电压越低，功耗越低。因此，整个整流整流电路的功耗要比二极管整流线路要降低50％左右。且不同的输入电压，通过调整不同的耐压和不同的导通阻值的MOS管，可以调节到适合的整流功耗。其节能降耗，适应于一些低压整流需要低损耗的应用产品。
附图说明：
[0011]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1为本技术的电路原理图。
具体实施方式：
[0013]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0014]如图1所示，一种低压交直流低功耗整流电路，包括分别基于 MOS管Q1、Q2、Q3、Q4的四组整流单元，MOS管Q1的源极连接电容 C1正极、稳压二极管D1的负极，MOS管Q1的栅极通过电阻R3连接三极管Q5集电极，三极管Q5基极通过电阻R1连接AC/DC1电源输入端，MOS管Q1的漏极连接MOS管Q2的漏极，MOS管Q2的源极连接稳压二极管D2正极、电容C1负极以及三极管Q5发射极，MOS管Q2的栅极连接稳压二极管D2负极、三极管Q6集电极，三极管Q6基极通过电阻R4连接AC/DC1电源输入端，MOS管Q3的源极连接电容C1正极、稳压二极管D3的负极，MOS管Q3的栅极通过电阻R12连接三极管Q8集电极，三极管Q8基极通过电阻R10连接AC/DC2电源输入端， MOS管Q3的漏极连接MOS管Q4的漏极，MOS管Q4的源极连接稳压二极管D4的正极、电容C1负极以及三极管Q7发射极，三极管Q7基极通过电阻R7连接AC/DC2电源输入端。
[0015]其中，MOS管Q1、Q3为P沟道耗尽型场效应管，MOS管Q2、Q4 为N沟道耗尽型场效应管。
[0016]其中，MOS管Q1、Q3栅极和源极之间分别连接电阻R2、R11，MOS 管Q2、Q4栅极和源极之间分别连接电阻R6、R9。
[0017]其中，MOS管Q2栅极通过电阻R5连接电容C1正极，MOS管Q4 栅极通过电阻R8连接电容C1正极。
[0018]其中，AC/DC1电源输入端和AC/DC2电源输入端分别输入直流电压正极或者交流正波形。
[0019]工作原理：当AC/DC1接正半周电压，AC/DC2接负半周电压，Q1 和Q4这两个MOS管同时导通，整流电路对电容C1充电；Q2和Q3是截止的。当AC/DC2接正半周电压，AC/DC1接负半周电压，Q2和Q3 这两个MOS管同时导通，整流电路对电容C1充电；Q1和Q4是截止的。结合图1，具体分析如下：
[0020]国内交流电为50Hz正弦波交替形式，当AC/DC1接正半周电压， AC/DC2接负半周电压，电流经过PMOS管Q1和NMOS管Q4内部的二极管形成电流环路，给C1充电，电压升高；电流经过R1推动三极管Q5，Q5导通，R2和R3的分压处接PMOS管Q1的G极，PMOS管Q1的 S极的电压比G极栅极高，Q1导通，AC/DC1的输入电压经过Q1给C1 充电。同时R7接DC/AC2负电压，三极管Q7由于基极接负电压截止， R8和R9分压给NMOS管Q4的G极栅极供电，Q4导通，正极输入电流流经Q1给C1电容充电的电流经Q4流回AC/DC2负极。在正压作用下，电流流经R4给三极管
Q6供电，Q6导通，把NMOS管Q2的G脚电压导通止0V，Q2截止不导通；三极管Q8的基极通过R10接DC/AC2负电压极，Q8截止，PMOS管Q3的G脚电压和S脚电压等电位，Q3截止不导通。
[0021]当AC/DC2接正半周电压，AC/DC1接负半周电压，电流经过PMOS 管Q3和NMOS管Q2内部的二极管形成电流环路，给C1充电，电压升高；AC/DC2输入的正电压经过R10推动三极管Q8基极，Q8导通，R11 和R12分压处接G极PMOS管Q3，PMOS管Q3的S漏极的电压比G极栅极高，Q3导通，A本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压交直流低功耗整流电路，其特征在于，包括分别基于MOS管Q1、Q2、Q3、Q4的四组整流单元，所述MOS管Q1的源极连接电容C1正极、稳压二极管D1的负极，所述MOS管Q1的栅极通过电阻R3连接三极管Q5集电极，所述三极管Q5基极通过电阻R1连接AC/DC1电源输入端，所述MOS管Q1的漏极连接MOS管Q2的漏极，所述MOS管Q2的源极连接稳压二极管D2正极、电容C1负极以及三极管Q5发射极，所述MOS管Q2的栅极连接稳压二极管D2负极、三极管Q6集电极，所述三极管Q6基极通过电阻R4连接AC/DC1电源输入端，所述MOS管Q3的源极连接电容C1正极、稳压二极管D3的负极，所述MOS管Q3的栅极通过电阻R12连接三极管Q8集电极，所述三极管Q8基极通过电阻R10连接AC/DC2电源输入端，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨盛，
申请(专利权)人：深圳市拓宝莱照明科技有限公司，
类型：新型
国别省市：