【技术实现步骤摘要】
一种减少芯片电子辐射损伤的方法和受电子辐射损伤较小的芯片
[0001]本专利技术涉及电镜表征
,尤其涉及一种减少芯片电子辐射损伤的方法和受电子辐射损伤较小的芯片。
技术介绍
[0002]透射电子显微镜是表征材料外部形貌的强大工具,它能够实现高精度的纳米加工和性能测试,深入观察材料内部的晶格缺陷。芯片内部的晶格原子间距一般在纳米级别左右,试样的大小也在一定程度上受到限制,其表征和加工通常在透射电子显微镜下进行。显微表征和加工过程中,由于电子束长时间的辐照,会对芯片试样造成一定的损伤。芯片试样的厚度越小,对电子束的敏感程度就越高。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供一种减少芯片电子辐射损伤的方法和受电子辐射损伤较小的芯片,采用本专利技术的方法能够有效减少对芯片的电子束损伤,同时不影响显微仪器观察芯片内部结构。
[0004]为了实现上述专利技术目的,本专利技术提供以下技术方案:
[0005]本专利技术提供了一种减少芯片电子辐射损伤的方法,在芯片的表面镀覆单分子有机薄膜,所述单分 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种减少芯片电子辐射损伤的方法,其特征在于,在芯片的表面镀覆单分子有机薄膜,所述单分子有机薄膜的成分为聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏二氟乙烯、聚氯乙烯、聚醚砜、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯或聚丙烯腈;所述单分子有机薄膜的层数为1~3层。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述单分子有机薄膜的层数为1层。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用LB镀膜仪镀覆单分子有机薄膜。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述采用LB镀膜仪镀覆单分子有机薄膜的方法包括以下步骤:采用LB镀膜仪将有机材料制备成单分子有机薄膜;所述有机材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏二氟乙烯、聚氯乙烯、聚醚砜、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯或聚丙烯腈;将疏水处理后的芯片放进LB镀膜仪中,使芯片与LB镀膜仪中的单分子有机薄膜接触,随后向上提拉,所述单分子有机薄...
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