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一种正硅酸乙酯包覆的钙钛矿纳米晶的制备方法技术

技术编号:28142794 阅读:122 留言:0更新日期:2021-04-21 19:22
本发明专利技术公开了一种正硅酸乙酯包覆的钙钛矿纳米晶的制备方法,包括如下步骤:(1)获得钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液,其中X代表卤素,所述分散液中钙钛矿CsPbX3纳米晶的浓度为1

【技术实现步骤摘要】
一种正硅酸乙酯包覆的钙钛矿纳米晶的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种正硅酸乙酯包覆的钙钛矿纳米晶及其制备方法,属于研究纳米晶包覆领域。

技术介绍

[0002]由于全无机卤化铅铯钙钛矿纳米晶具有波长可调,吸收范围广,带隙可调,高量子效率的优点,广泛受到关注。CsPbX3纳米晶的制备方法有溶液的热注入合成法和离子交换法。CN201710783608.X公开了一种水溶性CsPbX3钙钛矿纳米晶的制备方法,将其分散在有机溶剂中进行稳定保护,离心之后得到聚合物离子。获得可发光、高量子效率的钙钛矿粒子,在生物应用、显示等领域具有巨大的应用价值。CN201910202479.X公开了一种由三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法,实现了发光可调,制作成本较少,稳定性有所提高,更加环保。尽管薄膜法合成的纳米晶量子效率高,但是CsPbX3纳米晶遇空气和水极其不稳定,易分解变质,严重限制了其广泛应用。薄膜对钙钛矿纳米晶的保护作用优于溶液,但还是弱于稳定的粉体结构。
[0003]本专利技术的一种正硅酸乙酯包覆的钙钛矿(CsPbX3/CsP本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种正硅酸乙酯包覆的钙钛矿纳米晶的制备方法,包括如下步骤:(1)获得钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液,其中X代表卤素,所述分散液中钙钛矿CsPbX3纳米晶的浓度为1

5wt%,溶剂为正己烷和/或甲苯;(2)在步骤(1)的钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液中加入正硅酸乙酯,使钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液与正硅酸乙酯的体积比为100:10~90,充分混合后放入烘箱内干燥得到正硅酸乙酯包覆的钙钛矿纳米晶。2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:X为Br。3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述分散液中钙钛矿CsPbX3纳米晶的浓度为1

2wt%。4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,使钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液与正硅酸乙酯的体积比为100:60~70。5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:X为Br,所述分散液中钙钛矿CsPbX3纳米晶的浓度为1.2wt%,使钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液与正硅酸乙酯的体积比为100:67。6.如权利要求1

5之一所述的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,混合方式为搅拌,搅拌时间为1

5min。7.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,干燥温度为30

90℃,干燥时间为5

15小时。8.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述的钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液采用热注入法进行制备,具体步骤如下:(1

1)前驱体的制备:一个三颈烧瓶内装入CsCO3、1

十八烯(ODE)和油酸(OA),将温度升至100

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【专利技术属性】
技术研发人员:向卫东周宇峰梁晓娟
申请(专利权)人:温州大学
类型:发明
国别省市:

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