【技术实现步骤摘要】
一种正硅酸乙酯包覆的钙钛矿纳米晶的制备方法
[0001]本专利技术涉及一种正硅酸乙酯包覆的钙钛矿纳米晶及其制备方法,属于研究纳米晶包覆领域。
技术介绍
[0002]由于全无机卤化铅铯钙钛矿纳米晶具有波长可调,吸收范围广,带隙可调,高量子效率的优点,广泛受到关注。CsPbX3纳米晶的制备方法有溶液的热注入合成法和离子交换法。CN201710783608.X公开了一种水溶性CsPbX3钙钛矿纳米晶的制备方法,将其分散在有机溶剂中进行稳定保护,离心之后得到聚合物离子。获得可发光、高量子效率的钙钛矿粒子,在生物应用、显示等领域具有巨大的应用价值。CN201910202479.X公开了一种由三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法,实现了发光可调,制作成本较少,稳定性有所提高,更加环保。尽管薄膜法合成的纳米晶量子效率高,但是CsPbX3纳米晶遇空气和水极其不稳定,易分解变质,严重限制了其广泛应用。薄膜对钙钛矿纳米晶的保护作用优于溶液,但还是弱于稳定的粉体结构。
[0003]本专利技术的一种正硅酸乙酯包覆的钙钛矿( ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种正硅酸乙酯包覆的钙钛矿纳米晶的制备方法,包括如下步骤:(1)获得钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液,其中X代表卤素,所述分散液中钙钛矿CsPbX3纳米晶的浓度为1
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5wt%,溶剂为正己烷和/或甲苯;(2)在步骤(1)的钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液中加入正硅酸乙酯,使钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液与正硅酸乙酯的体积比为100:10~90,充分混合后放入烘箱内干燥得到正硅酸乙酯包覆的钙钛矿纳米晶。2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:X为Br。3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述分散液中钙钛矿CsPbX3纳米晶的浓度为1
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2wt%。4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,使钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液与正硅酸乙酯的体积比为100:60~70。5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:X为Br,所述分散液中钙钛矿CsPbX3纳米晶的浓度为1.2wt%,使钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液与正硅酸乙酯的体积比为100:67。6.如权利要求1
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5之一所述的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,混合方式为搅拌,搅拌时间为1
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5min。7.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,干燥温度为30
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90℃,干燥时间为5
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15小时。8.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述的钙钛矿CsPbX3纳米晶的分散液采用热注入法进行制备,具体步骤如下:(1
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1)前驱体的制备:一个三颈烧瓶内装入CsCO3、1
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十八烯(ODE)和油酸(OA),将温度升至100
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