紫外发光二极管的外延片及其制备方法技术

本公开提供了一种紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述外延片包括：衬底和顺次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、第一未掺杂AlGaN层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层包括顺次层叠在所述第一未掺杂AlGaN层上的高掺杂N型层和低掺杂N型层，所述低掺杂N型层包括层叠在所述高掺杂N型层上的第一低掺杂层，所述高掺杂N型层和所述第一低掺杂层均包括交替分布的多个AlGaN层和多个SiN层，所述高掺杂N型层中Si掺杂浓度高于所述低掺杂N型层中Si掺杂浓度。本公开能够提高紫外发光二极管的电性。本公开能够提高紫外发光二极管的电性。本公开能够提高紫外发光二极管的电性。

【技术实现步骤摘要】
紫外发光二极管的外延片及其制备方法


[0001]本公开涉及发光二极管领域，特别涉及一种紫外发光二极管的外延片及其制备方法。

技术介绍

[0002]紫外LED(Light Emitting Diode，发光二极管)有着广阔的市场应用前景，如紫外(简称UV)LED光疗仪是未来很受欢迎的医疗器械，但是UV LED技术还处于成长期，内量子效率低等问题制约着AlGaN基紫外LED进一步发展。
[0003]相关技术提供了一种AlGaN基紫外发光二极管的外延片，其结构包括：衬底以及顺次生长在衬底上的缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层。
[0004]在实现本公开的过程中，专利技术人发现相关技术至少存在以下问题：外延片的电性(如工作电压、抗静电能力等)存在改善的空间。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种紫外发光二极管的外延片及其制备方法，能够提高紫外发光二极管的电性。所述技术方案如下：
[0006]一方面，提供了一种紫外发光二极管的外延片，所述外延片包括：
[0007]衬底和顺次层叠在所述衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种紫外发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括：衬底和顺次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、第一未掺杂AlGaN层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层包括顺次层叠在所述第一未掺杂AlGaN层上的高掺杂N型层和低掺杂N型层，所述低掺杂N型层包括层叠在所述高掺杂N型层上的第一低掺杂层，所述高掺杂N型层和所述第一低掺杂层均包括交替分布的多个AlGaN层和多个SiN层，所述高掺杂N型层中Si掺杂浓度高于所述低掺杂N型层中Si掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述低掺杂N型层还包括第二低掺杂层，所述第二低掺杂层包括顺次层叠在所述第一低掺杂层上的GaN层和SiN层。3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述低掺杂N型层还包括第三低掺杂层，所述第三低掺杂层包括顺次层叠在所述第二低掺杂层上的AlN层和SiN层。4.根据权利要求1
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3任一项所述的外延片，其特征在于，所述低掺杂N型层中Si掺杂浓度低于10E19/cm3。5.根据权利要求1
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3任一项所述的外延片，其特征在于，所述外延片还包括第二未掺杂AlGaN层，所述第二未掺杂AlGaN层位于所述N型半导体层和所述有源层之间，所述第二未掺杂AlGaN层的厚度小于所述第一未掺杂AlGaN层的厚度。6.一种紫外发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供衬底；顺次在所述衬底上沉积低温缓冲层和第一未掺杂AlGaN层；在所述第一未掺杂AlGaN层上沉积N型半导体层，所述N型半导体层包括顺次层叠在所述第一未掺杂AlGaN...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔楠，李昱桦，刘旺平，刘源，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：