一种Parylene-C盛装料囊的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种Parylene

【技术实现步骤摘要】
一种Parylene
‑
C盛装料囊的清洗方法


[0001]本专利技术属于Parylene
‑
C盛装料囊清洗领域，具体涉及一种Parylene
‑
C盛装料囊的清洗方法。

技术介绍

[0002]料囊是OLED蒸镀制程中用来盛装有机料Parylene
‑
C的装置，在其使用过程中表面会附着Parylene
‑
C材料，影响下次使用。由于Parylene
‑
C耐酸碱腐蚀、耐大部分有机溶剂、耐高温；料囊口径小且一次送洗数量大，人工打磨用时较长。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题便是针对上述现有技术的不足，提供一种Parylene
‑
C盛装料囊的清洗方法，能在保证料囊本体的完好度的前提下，清洗去除料囊表面会附着Parylene
‑
C材料。
[0004]本专利技术所采用的技术方案是：一种Parylene
‑
C盛装料囊的清洗方法，包括以下步骤：
[0005]步骤10、一次浸泡：将待清洗的料囊放入丙酮中浸泡，待去除料囊铜箔纸即可完成一次浸泡；
[0006]步骤20、二次浸泡：将步骤10中完成一次浸泡的料囊放入甲苯与二氯苯混合溶液中浸泡，待去除料囊Parylene
‑
C材料即可完成二次浸泡；
[0007]步骤30、漂洗：将步骤20中完成二次清洗的料囊用丙酮进行漂洗；
[0008]步骤40、无尘室纯水超声波清洗:将步骤30中经漂洗的料囊送入无尘室进行超声波纯水清洗，超声波纯水清洗过程中，超声波功率为1200
±
100W，超声波能量密度为15w/inch2‑
20w/inch2；
[0009]步骤50、无尘干燥：将步骤40中经过无尘超声波纯水清洗的料囊在无尘室进行干燥，即可完成料囊的清洗。
[0010]其中一个实施例中，步骤10中，所述浸泡时间为2h
‑
4h。
[0011]其中一个实施例中，步骤20中，所述浸泡至去膜为止，可更换新液重复浸泡。
[0012]其中一个实施例中，步骤30中，所述漂洗时间为10min。
[0013]其中一个实施例中，步骤50中，所述干燥方式为烘烤。
[0014]其中一个实施例中，步骤50中，所述干燥温度为150℃。
[0015]本专利技术的有益效果在于：能在保证料囊本体的完好度的前提下，清洗去除料囊表面会附着Parylene
‑
C材料。
具体实施方式
[0016]下面将结合具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。
[0017]本专利技术公开了一种Parylene
‑
C盛装料囊的清洗方法，包括以下步骤：
[0018]步骤10、一次浸泡：将待清洗的料囊放入丙酮中浸泡，待去除料囊铜箔纸即可完成一次浸泡；
[0019]步骤20、二次浸泡：将步骤10中完成一次浸泡的料囊放入甲苯与二氯苯混合溶液中浸泡，待去除料囊Parylene
‑
C材料即可完成二次浸泡；
[0020]步骤30、漂洗：将步骤20中完成二次清洗的料囊用丙酮进行漂洗；
[0021]步骤40、无尘室纯水超声波清洗:将步骤30中经漂洗的料囊送入无尘室进行超声波纯水清洗，超声波纯水清洗过程中，超声波功率为1200
±
100W，超声波能量密度为15w/inch2‑
20w/inch2；
[0022]步骤50、无尘干燥：将步骤40中经过无尘超声波纯水清洗的料囊在无尘室进行干燥，即可完成料囊的清洗。
[0023]本实施例中，步骤10中，所述浸泡时间为2h
‑
4h。
[0024]本实施例中，步骤20中，所述浸泡至去膜为止，可更换新液重复浸泡。
[0025]本实施例中，步骤30中，所述漂洗时间为10min。
[0026]本实施例中，步骤50中，所述干燥方式为烘烤。
[0027]本实施例中，步骤50中，所述干燥温度为150℃。
[0028]步骤10中，粘铜箔纸的干胶在丙酮中易溶胀和松软，因此选用丙酮进行一次浸泡。步骤20中，由于Parylene
‑
C为耐酸碱、耐高温、耐一般有机溶剂的优良介电质材料，因此选用进行二次浸泡。甲苯与二氯苯混合溶液中甲苯与二氯苯的比例根据实际情况调整。步骤30中，由于甲苯与二氯苯混合溶液为有机溶剂，其不溶于水且挥发性差，而丙酮挥发性好，因此选用丙酮去除料囊表面的残留的甲苯与二氯苯混合溶液。步骤40中，超声清洗完成时，超声波纯水槽电导率<1μs/cm。
[0029]本专利技术能在保证料囊本体的完好度的前提下，清洗去除料囊表面会附着Parylene
‑
C材料。
[0030]以上所述实施例仅表达了本专利技术的具体实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Parylene
‑
C盛装料囊的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤10、一次浸泡：将待清洗的料囊放入丙酮中浸泡，待去除料囊铜箔纸即可完成一次浸泡；步骤20、二次浸泡：将步骤10中完成一次浸泡的料囊放入甲苯与二氯苯混合溶液中浸泡，待去除料囊Parylene
‑
C材料即可完成二次浸泡；步骤30、漂洗：将步骤20中完成二次清洗的料囊用丙酮进行漂洗；步骤40、无尘室纯水超声波清洗:将步骤30中经漂洗的料囊送入无尘室进行超声波纯水清洗，超声波纯水清洗过程中，超声波功率为1200
±
100W，超声波能量密度为15w/inch2‑
20w/inch2；步骤50、无尘干燥：将步骤40中经过无尘超声波纯水清洗的料囊在无尘室进行干燥，即可完成料囊的清洗。2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹专政，惠朝先，邱俊，吕先锋，陈运友，
申请(专利权)人：四川富乐德科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：