【技术实现步骤摘要】
一种具有SiC
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ZrC
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B4C
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BN复合涂层的单晶硅炉用加热器及制备方法
[0001]本专利技术属于非金属晶体制造设备领域,尤其涉及一种具有SiC
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ZrC
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B4C
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BN复合涂层的单晶硅炉用加热器及制备方法。
技术介绍
[0002]直拉法是制造单晶硅的一种重要方法,具有工艺简单、生产高效、易于控制等优点。目前,直拉法制造单晶硅的加热器所用材质多采用石墨材料。在制造单晶硅的过程中,单晶炉内为富硅气氛,使得加热部件受到侵蚀,使得加热器使用寿命大大缩短。同时,单晶炉加热器多为整体式加热器,需要使用直径和高度都大于单晶炉加热器的整块等静压石墨材料加工而成,故成本较高,且在使用一段时间后,个别部位发生老化,单晶炉加热器只能整体报废,进一步增加了生产成本。
[0003]SiC具有高熔点、高温强度高、抗氧化、耐腐蚀、热膨胀系数小和化学稳定性好等特点,具有良好的防氧化性能,与石墨材料有良好的物理、化学相容性,是石墨材 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种具有SiC
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ZrC
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B4C
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BN复合涂层的单晶硅炉用加热器,其特征在于:所述单晶硅炉用加热器包括加热部件,加热部件上覆有SiC
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ZrC
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B4C
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BN复合涂层。2.根据权利要求1所述的具有SiC
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ZrC
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B4C
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BN复合涂层的单晶硅炉用加热器,其特征在于:所述SiC
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ZrC
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B4C
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BN复合涂层的厚度为10~1000μm。3.根据权利要求1所述的具有SiC
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ZrC
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B4C
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BN复合涂层的单晶硅炉用加热器,其特征在于:所述加热部件的材质为石墨。4.一种SiC
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ZrC
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B4C
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BN复合涂层的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)将Si粉、Zr粉、B4C粉、氮化硼粉、石墨粉和ZrO2粉放入球磨机中研磨,得到混合粉末;(2)将单晶硅炉用加热器的加热部件置于石墨盒中,以步骤(1)得到的混合粉末覆盖;(3)将步骤(2)的石墨盒置于真空炉中进行包埋渗处理,得到所述SiC
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ZrC
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B4C
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BN复合涂层。5.根据权利要求4所述的SiC
技术研发人员:郑加镇,陈正,陈强,张平,樊宇,徐杰,何业增,范贺良,
申请(专利权)人:中国矿业大学,
类型:发明
国别省市:
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