一种用于高电平复位电路的抗单粒子瞬态缓冲器制造技术

本发明专利技术公开一种用于高电平复位电路的抗单粒子瞬态缓冲器，包括依次连接的第一级反相器电路、第二级反相器电路，第一级反相器电路包括第一晶体管、第一电阻，第二级反相器电路包括第二晶体管、第二电阻，第一晶体管的栅极接入缓冲器的输入信号，第一晶体管的漏极分别连接第一电阻、第二晶体管的栅极，第二晶体管的漏极通过第二电阻连接电源，第二晶体管的漏极还连接缓冲器的输出信号端。本发明专利技术能够用于高电平复位电路，提高复位电路的抗单粒子瞬态能力，降低复位电路产生单粒子瞬态对功能电路的影响。的影响。的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种用于高电平复位电路的抗单粒子瞬态缓冲器


[0001]本专利技术涉及CMOS集成电路复位电路
，尤其涉及一种用于高电平复位电路的抗单粒子瞬态缓冲器。

技术介绍

[0002]在宇宙空间中，存在大量高能粒子(质子、电子、重离子等)。集成电路受到这些高能粒子轰击后，会产生单粒子瞬态脉冲。单粒子瞬态脉冲对于集成电路的正常工作将产生极大的负面影响，例如，当单粒子瞬态脉冲传播至时序电路单元复位端口时，由于时序单元采用异步复位模式，只需满足复位信号最小脉冲宽度即可立刻使时序单元发生复位，改变时序单元所存储的数据值。由于复位信号是一个全局信号，若单粒子瞬态脉冲在复位电路根节点产生，那么就会使得整个集成电路复位，从而造成错误。如L.W.Massengill等人在IEEE transaction on Nuclear Science(IEEE核科学汇刊)上发表的“Single Event Transients in Digital CMOS
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A Review”(关于数字CMOS电路中单粒子瞬态的综述，2013年6月第60卷第3期，第17本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于高电平复位电路的抗单粒子瞬态缓冲器，其特征在于：包括依次连接的第一级反相器电路(1)、第二级反相器电路(2)，所述第一级反相器电路包括第一晶体管P1、第一电阻R1，所述第二级反相器电路(2)包括第二晶体管N2、第二电阻R2，所述第一晶体管P1的栅极接入所述缓冲器的输入信号，所述第一晶体管P1的漏极分别连接所述第一电阻R1、所述第二晶体管N2的栅极，所述第二晶体管N2的漏极通过所述第二电阻R2连接电源，所述第二晶体管N2的漏极还连接所述缓冲器的输出信号端。2.根据权利要求1所述的用于高电平复位电路的抗单粒子瞬态缓冲器，其特征在于：当输入信号为低电平状态时，所述第一晶体管P1和第二晶体管N2均处于打开状态。3.根据权利要求1所述的用于高电平复位电路的抗单粒...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴振宇，刘必慰，梁斌，郭阳，胡春媚，池雅庆，陈建军，黄鹏程，宋睿强，袁珩洲，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：