钍配位聚合物及其制备方法和在丙炔存储中的应用技术

本发明专利技术提供了钍配位聚合物及其制备方法和在丙炔存储中的应用。该钍配位聚合物的化学式为[Th6O4(OH)4(C

【技术实现步骤摘要】
钍配位聚合物及其制备方法和在丙炔存储中的应用


[0001]本专利技术属于配位化学领域，具体涉及钍配位聚合物，以及钍配位聚合物的制备方法和钍配位聚合物在丙炔存储中的应用。

技术介绍

[0002]金属
‑
有机框架(Metal
‑
Organic Framework，MOF)，又称为多孔配位聚合物，是由有机配体桥连无机金属离子或金属簇通过配位键形成的新型多孔晶态固体材料。
[0003]许多常见的物质，如炭材料和沸石材料，是长期以来被用作吸附剂的多孔材料。为了更好地处理气体，迫切需要开发具有大存储容量和高分离效率的多孔材料，特别是那些具有高孔隙率和不同尺寸的良好模块性的多孔材料。在这种背景下，许多新型多孔吸附剂，例如金属有机框架(MOFs)、共价有机框架(COFs)、和氢键有机框架(HOFs)，在过去的二十年里得到了发展。
[0004]在不同类型的框架材料中，多孔配位聚合物是有机
‑
无机杂化固体，通过有机配体与金属离子或金属簇的配位而形成的。适度的连接强度(90r/>‑
3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钍配位聚合物，其特征在于：化学式为[Th6O4(OH)4(C
14
H4F4O4)6(H2O)6]，属于立方晶系，空间群为Fm
‑
3m；单胞参数为a＝28～28.1埃，b＝28～28.1埃，c＝28～28.1埃，α＝90
°
，β＝90
°
，γ＝90
°
，Z＝4。2.根据权利要求1所述的钍配位聚合物的制备方法，包括以下步骤：将钍盐、3,3',5,5'
‑
四氟联苯
‑
4,4'
‑
二甲酸、硝酸和溶剂混合，再转移到反应釜中，然后在358～373K下反应，得到所述的钍配位聚合物。3.根据权利要求2所述的钍配位聚合物的制备方法，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉玲，吴渊博，刘庆燕，
申请(专利权)人：江西师范大学，
类型：发明
国别省市：