一种低热膨胀系数绝缘胶膜及其制备方法技术

技术编号:28121663 阅读:38 留言:0更新日期:2021-04-19 11:29
本发明专利技术属于新型电子封装材料技术领域,公开了一种低热膨胀系数绝缘胶膜及其制备方法。该绝缘胶膜材料由三层结构组成,其包括绝缘聚合物复合物层,绝缘聚合物复合物层底部的薄膜支撑层,以及绝缘聚合物复合物层表面覆盖的保护膜,绝缘聚合物层由绝缘聚合物电子浆料制成,所述绝缘聚合物电子浆料包括聚合物树脂、固化剂、固化促进剂、无机填料、助剂、溶剂,所述绝缘聚合物电子浆料中的无机填料的含量为绝缘聚合物电子浆料中不含溶剂固体份总质量的40%~82%。本发明专利技术的绝缘聚合物复合物固化后的热膨胀系数值低至20ppm/K,可应用于印刷线路板(PCB)、基板、载板等半导体电子封装,实现精细电子线路的制造。精细电子线路的制造。精细电子线路的制造。

【技术实现步骤摘要】
一种低热膨胀系数绝缘胶膜及其制备方法


[0001]本专利技术属于新型电子封装材料
,更具体地,本专利技术涉及一种应用于半导体系统级电子封装用的绝缘胶膜材料,具体为一种低热膨胀系数绝缘胶膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子信息技术的发展,特别是可穿戴电子设备、智能手机、超薄电脑等各类电子产品,不断向高频高速、轻薄短小和多功能系统集成方向发展。高频高速则要求材料具有低的介电常数和介电损耗;轻薄化、小型化则要求材料具有良好的热稳定性好,结构形变小,即小的热膨胀系数。一般的,用于电子封装
的绝缘介质材料一般为高分子聚合物与陶瓷填料粒子组成的复合材料。由于高分子材料的热膨胀系数显著高于与其相接的金属构件和被封装器件,各种材料受热时膨胀程度不一,造成热膨胀系数失配问题,产生的热残余应力可能会使器件老化开裂、耐热冲击差、更甚者失效,严重影响电子器件的使用寿命和可靠性。
[0003]现有技术一般采用添加一种低膨胀系数无机填料粒子来降低复合材料的热膨胀系数,但是热膨胀依然比较高。通过添加大量的无机填料粒子来实现低热膨胀系数的同时会本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低热膨胀系数绝缘胶膜,该绝缘胶膜材料由三层结构组成,其包括绝缘聚合物复合物层,绝缘聚合物复合物层底部的薄膜支撑层,以及绝缘聚合物复合物层表面覆盖的保护膜,其特征在于,所述绝缘聚合物层由绝缘聚合物电子浆料制成,所述绝缘聚合物电子浆料包括聚合物树脂、固化剂、固化促进剂、无机填料、助剂、溶剂,所述绝缘聚合物电子浆料中的无机填料的含量为绝缘聚合物电子浆料中不含溶剂固体份总质量的40%~82%,优选为50%~75%,更优的为50%~65%。2.根据权利要求1所述的低热膨胀系数绝缘胶膜,其特征在于,所述无机填料包含至少一种低热膨胀系数的无机填料和至少一种负热膨胀系数的无机填料;所述低热膨胀系数无机填料与负热膨胀系数的无机填料的质量比为5~10。3.根据权利要求1所述的低热膨胀系数绝缘胶膜,其特征在于,无机填料粒子的尺寸为20nm~5μm,优选为100nm~3μm,更优选为200nm~1μm,或所述无机填料粒子为尺寸为20nm~5μm范围内的多尺度的混合物。4.根据权利要求2所述的低热膨胀系数绝缘胶膜,其特征在于,所述低热膨胀系数的无机填料为二氧化硅、氧化铝、氮化硼、钛酸钡、二氧化钛、氧化锌、氧化锆、氧化镁、碳酸钙、氮化硅、碳化硅、氮化硼中的一种或多种;负热膨胀系数的无机填料为钨酸锆、钼酸锆、以A2M3O
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为化学通式的钨酸盐系列和钼酸盐系列、以AV2O7为化学通式的钒酸盐系列、菱沸石中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的低热膨胀系数绝缘胶膜,其特征在于,绝缘聚合物复合物层的厚度为10μm~400μm,优选为20μm~100μm,更优选为30μm~70μm。6.根据权利要求1所述的低热膨胀系数绝缘胶膜,其特征在于,所述聚合物树脂选自环氧树脂、氰酸酯树脂、酚醛树脂、丙烯酸树脂、苯并噁嗪树脂、聚酯树脂中的一种以上;优选的,所述固化剂选自脂肪多元胺型固化剂、脂环多元胺型固化剂、芳香胺类固化剂、酸酐类固化剂、聚酰胺固化剂、潜伏固化剂、合成树脂类固化剂中的一种或多种;优选的,所述固化促进剂选自咪唑类固化剂、2,4,6

三(二甲氨基亚甲基)苯酚、卞基二甲胺、酰基胍、过氧化苯甲酰、乙酰丙酮铜、乙酰丙酮铝、乙酰丙酮锆中的一种或多种;优选的,所述助剂包括分散剂、消泡剂、偶联剂、防沉剂、流平剂、流变剂、阻燃剂;优选的,所述溶剂选自芳香类溶剂、卤化烃类溶剂、脂肪烃类溶剂、脂环烃类溶剂、酯类溶剂、酮类溶剂、酰胺类溶剂中的一种或多种;优选的,所述环氧树脂选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛型环氧树脂、邻甲酚醛型环氧树脂、多官能团环氧树脂、间苯二酚环氧树脂、橡胶改性环氧树脂、聚氨酯改性环氧树脂、联苯环氧树脂、双环戊二烯环氧树脂...

【专利技术属性】
技术研发人员:于淑会李超凡罗遂斌孙蓉
申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院
类型:发明
国别省市:

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