用于减轻图案塌陷的水溶性聚合物制造技术

本发明专利技术提供了一种用于防止半导体衬底中形成的图案化高纵横比特征在从该特征之间的空间移除用于清洁蚀刻残留物的类型的初始流体时发生塌陷的方法。在本方法中，空间至少部分地填充有置换溶液，诸如经由旋涂，以基本上置换初始流体。该置换溶液包含至少一种溶剂和至少一种水溶性聚合物诸如聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)或聚丙烯酰胺(PAAM)形式的填充材料。然后使溶剂挥发以便使填充材料以基本上固体形式沉积在空间内。与使用当前填充材料相比，可以通过采用高去胶速率的已知等离子体去胶方法来移除填充材料，这防止或减轻了硅损失。这防止或减轻了硅损失。这防止或减轻了硅损失。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于减轻图案塌陷的水溶性聚合物

技术介绍
1.
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[0001]本公开涉及经由光刻技术的电子部件的制造，以及塌陷或粘滞的减轻或防止，该塌陷或粘滞可能在移除用于移除去胶残留物的类型的水性洗涤溶液时发生在半导体衬底的图案化高纵横比特征之间。
[0002]2.相关技术的描述：
[0003]在制造电子部件(诸如存储器单元以及建立在半导体衬底(诸如纯硅或掺杂硅晶片)上的其他部件)期间，使用光刻技术来处理衬底。例如，可以将光致抗蚀剂沉积到平坦硅晶片上，然后例如使用UV曝光对光致抗蚀剂进行图案化。然后，对光致抗蚀剂进行显影以有利于移除与衬底上形成的窄或高纵横比特征之间形成的沟槽的位置相对应的光致抗蚀剂部分。
[0004]接下来，使用蚀刻方法(诸如等离子体蚀刻)以便在剩余光致抗蚀剂部分之间将沟槽蚀刻到硅晶片中，然后使用通常为水性溶液的洗涤溶液来移除剩余的光致抗蚀剂和任何剩余的蚀刻剂或其他碎屑。以此方式，在洗涤步骤之后，存在从下面硅晶片延伸的一系列细长、垂直设置的高纵横比硅特征，其中洗涤溶液设置在硅特征之间的沟槽或空间内。
[0005]有问题的是，如图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于防止半导体衬底特征的塌陷的方法，包括以下步骤：提供具有多个高纵横比特征的图案化半导体衬底，所述特征之间具有空间，所述间隙空间至少部分地填充有初始流体；用置换溶液置换所述初始流体，所述置换溶液包含至少一种主要溶剂和至少一种水溶性聚合物形式的第一填充材料，按凝胶渗透色谱法(GPC)测定，所述水溶性聚合物具有介于1,000道尔顿和15,000道尔顿之间的重均分子量(Mw)，所述置换溶液还具有小于100厘泊的粘度；将所述衬底暴露于升高温度，以便从所述空间基本上移除所述溶剂，并且使所述填充材料以基本上固体形式沉积在所述空间内；以及将所述衬底暴露于干法去胶方法以从所述间隙空间移除所述填充材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种水溶性聚合物选自由聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)、聚丙烯酰胺(PAAM)以及它们的组合构成的组。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述升高温度介于100℃和280℃之间。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种溶剂包括水。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种溶剂包括至少一种非水溶剂。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种溶剂包括水和至少一种非水溶剂。7.根据权利要求1所述的方法，其中基于所述置换溶液的总重量，所述置换溶液包含介于5重量％和30重量％之间的所述填充材料。8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：德萨拉吉，
申请(专利权)人：霍尼韦尔国际公司，
类型：发明
国别省市：