【技术实现步骤摘要】
掺杂钛和/或锆的硅基负极材料及制备方法、锂离子电池
[0001]本专利技术具体涉及一种掺杂钛和/或锆的硅基负极材料及制备方法、锂离子电池。
技术介绍
[0002]随着能源的枯竭和环境的日益恶化,寻求可替代的清洁能源越来越重要。锂离子电池作为新一代的储能材料,具有重量轻、寿命长、比能量密度高、无污染、无记忆效应等优点,被广泛应用于手机、电脑、数码相机等电子设备中。锂离子电池主要由正极材料、负极材料、隔膜、电解质组成,负极材料的性能决定电池性能。
[0003]目前的负极材料主要为石墨,其比容量已经接近372mAh/g的理论值,很难再有提升的空间,因此寻找替代碳的高比容量负极材料成为一个重要的发展方向。在各种新型负极材料中,硅基负极具有独特的优势和潜力。硅负极材料在充放电过程中,能与锂形成Li
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Si7、Li
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Si4、Li7Si3、Li
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Si4、Li
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Si5等合金,具有高容量(Li
22
Si5,最高4200mAh/g)、 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掺杂Ti和/或Zr的硅基多孔负极材料的制备方法,其特征在于,其包括下述步骤:(1)将原料进行真空熔炼,得合金;其中,所述原料包括Si、Ge、Al和掺杂元素,所述掺杂元素为Ti和/或Zr;所述Si占所述原料总量的百分比为8~16wt%,所述Ge占所述原料总量的百分比为6~10wt%,所述Al占所述原料总量的百分比为74~84wt%,所述掺杂元素占所述原料总量的百分比为0.5~1.5wt%;(2)去除所述合金中的Al元素,即可。2.如权利要求1所述的掺杂Ti和/或Zr的硅基多孔负极材料的制备方法,其特征在于,所述Si为晶体硅;和/或,步骤(1)中,所述Si、所述Ge、所述Al、所述Zr或者所述Ti的纯度为99.9%以上。3.如权利要求1所述的掺杂Ti和/或Zr的硅基多孔负极材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述Si占所述原料总量的百分比为9~15wt%;和/或,步骤(1)中,所述Ge占所述原料总量的百分比为7~9wt%;和/或,步骤(1)中,所述Al占所述原料总量的百分比为75~83wt%;和/或,步骤(1)中,所述掺杂元素占所述原料总量的百分比为0.6~1.4wt%。4.如权利要求3所述的掺杂Ti和/或Zr的硅基多孔负极材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述Si占所述原料总量的百分比为10wt%、12wt%或者14wt%;和/或,步骤(1)中,所述Ge占所述原料总量的百分比为8wt%;和/或,步骤(1)中,所述Al占所述原料总量的百分比为76wt%、78wt%、79wt%或者81wt%;和/或,步骤(1)中,所述掺杂元素占所述原料总量的百分比为0.8~1.2wt%。5.如权利要求4所述的掺杂Ti和/或Zr的硅基多孔负极材料的制备方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴政操,吴仙斌,李富营,朱丽萍,张鹏昌,苗荣荣,
申请(专利权)人:宁波杉杉新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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