【技术实现步骤摘要】
一种基于变压器组的多晶硅还原炉
[0001]本技术涉及多晶硅
,特别是涉及一种基于变压器组的多晶硅还原炉。
技术介绍
[0002]随着社会的不断进步以及科技的不断发展,多晶硅在人们日常生活中的应用越来越广泛,相应的用于生产多晶硅的多晶硅还原炉也在不断的发展。在现阶段,多晶硅还原炉通常需要连接三相变压器,以便于实现多晶硅还原炉在不同情况下运行。通常情况下,针对多晶硅还原炉不同情况的运行,通常需要三相变压器在正常状态或缺相状态运行。
[0003]而在现有技术中,多晶硅还原炉通常与三相低压双分裂变压器连接。但是随着多晶硅还原炉单套系统容量不断增大,伴随着为多晶硅生产提供电源的变压器容量也随之不断增大,相应的变压器尺寸和重量也随之增加,进而制造难度和运输限制问题进一步突出。所以如何便于多晶硅还原炉以及配套设备的制备和运输时本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是提供一种基于变压器组的多晶硅还原炉,便于多晶硅还原炉以及配套设备的制备和运输。
[0005]为解决上述技术问 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于变压器组的多晶硅还原炉,其特征在于,包括多晶硅还原炉本体,以及与所述多晶硅还原炉本体连接的三相变压器组;所述三相变压器组包括三台单相变压器,任一所述单相变压器均包括左柱变压单元和右柱变压单元,所述左柱变压单元的高压绕组与所述右柱变压单元的高压绕组并联连接;三个所述单相变压器之间角接,所述三相变压器组中各个低压绕组相互独立。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉,其特征在于,还包括多个调功柜,任一所述单相变压器包括两个低压绕组,所述低压绕组与所述调功柜一一对应,任一所述低压绕组通...
【专利技术属性】
技术研发人员:秦盛华,彭丽芳,杜鹏涛,雷涌,
申请(专利权)人:海南金盘智能科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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