本发明专利技术涉及陶瓷制品技术领域，具体公开一种利用废弃原料制得的陶瓷花盆，由坯体及釉层烧结而成，其中：所述坯体由如下原料组成：德化高岭土、钾长石、纳米废瓷粉、叶蜡石、坯用助熔剂及坯用低温熔块；所述釉层由如下原料组成：白泥、钾长石、萤石尾矿、釉用助熔剂及釉用低温熔块。坯用助熔剂和釉用助熔剂由氟化钠和硅氟酸钠按质量比为3︰1配制而成。本发明专利技术使得纳米废瓷粉、硼泥和萤石尾矿能够与其他原料混合烧制，且可大大降低了坯体的烧成温度，制得的陶瓷花盆坯釉结合良好，吸水率小于2％，抗弯强度为55MPa以上，180℃～20℃二次急冷不裂，釉面平滑光润，耐磨性好。耐磨性好。
【技术实现步骤摘要】
利用废弃原料制得的陶瓷花盆及其制备工艺
[0001]本专利技术属于陶瓷制品
，具体涉及一种利用废弃原料制得的陶瓷花盆及其制备工艺。
技术介绍
[0002]花盆，种花用的一种器皿，为口大底端小的倒圆台或倒棱台形状，种植花卉的花盆形式多样，大小不一，花卉生产者或养花人士可以根据花卉的特性和需要以及花盆的特点选用花盆，根据制作材料不同，可以分为很多种，其中陶瓷花盆较为常见。
[0003]陶瓷花盆一般构造为坯体和釉层，坯体原料一般包括高岭土、长石和石英等，釉层原料也一般包括高岭土、石英、长石、滑石等。而在工业生产或生活使用中难免会产生一些陶瓷废弃料，为降低生产成本和资源回收利用，有些企业会选择加入适量的陶瓷废料，如专利号为201710946573.7的专利技术专利公开了用废旧陶瓷料制作的陶瓷制品及其制作方法。该用废旧陶瓷料制作的陶瓷制品，包括按照质量份数计的如下原料：废旧陶瓷粉50～65份、黏土15～20份、废旧陶瓷颗粒6～10份、硅微粉5～9份、聚乙烯蜡3～6份、粘结剂2～5份，其中所述废旧陶瓷粉粒径为40～100μm，废旧陶瓷颗粒粒径为1～3mm。
[0004]但是，上述陶瓷制品需要在1200℃以上烧制，烧成温度高、时间长，能源损耗大，仍有进一步节能空间。另外，萤石矿物在开采过程中也会产生大量的尾矿，在硼砂生产过程中也会产生大量的硼泥废渣，现有技术中并没有出现综合利用废瓷粉、萤石尾矿和硼泥等废弃原料制备加工出同时满足坯釉结合良好，热稳定性好，抗弯强度高的陶瓷制品。
技术实现思路
[0005]本专利技术专利技术目的在于提供一种利用废弃原料制得的陶瓷花盆及其制备工艺，低温一次烧制且釉结合良好，热稳定性好，抗弯强度高。
[0006]为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案是：
[0007]利用废弃原料制得的陶瓷花盆，陶瓷花盆由坯体及釉层烧结而成，其中：
[0008]所述坯体由如下重量份数原料组成：20
‑
30份的德化高岭土、10
‑
20份的钾长石、40
‑
60份的纳米废瓷粉、15
‑
20份的叶蜡石、5
‑
10份的坯用助熔剂及10
‑
20份的坯用低温熔块；
[0009]所述釉层由如下重量份数原料组成：40
‑
60份的白泥、10
‑
20份的钾长石、10
‑
20份的萤石尾矿、5
‑
10份的釉用助熔剂及10
‑
20份的釉用低温熔块。
[0010]优选地，所述坯用低温熔块由如下重量份数原料制成：20
‑
30份的石英、10
‑
15份的钠长石、15
‑
20份的硼砂、10
‑
20份的硅灰石、10
‑
15份的硼泥。
[0011]优选地，所述坯用低温熔块的制备方法为：将石英、钠长石、硼砂、硅灰石、硼泥按配比混合研磨均匀制得混合料，将混合料布撒装入耐火匣钵中，进行1290℃～1310℃高温熔制，得到熔融态的浆料；将浆料水淬冷却，并破碎成颗粒状，制得坯用低温熔块。
[0012]优选地，所述釉用低温熔块由如下重量份数原料制成：25
‑
30份的石英、10
‑
15份的
钠长石、10
‑
20份的叶长石、15
‑
20份的硼砂、5
‑
10份的碳酸锂。
[0013]优选地，所述釉用低温熔块的制备方法为：将石英、钠长石、叶长石、硼砂、碳酸锂按配比混合研磨均匀制得混合料，将混合料布撒装入耐火匣钵中，进行1320℃～1350℃高温熔制，得到熔融态的浆料；将浆料水淬冷却，并破碎成颗粒状，制得釉用低温熔块。
[0014]优选地，所述坯用助熔剂和釉用助熔剂由氟化钠和硅氟酸钠按质量比为3︰1配制而成。
[0015]本专利技术还提供一种利用废弃原料制得的陶瓷花盆的制备工艺，包括如下步骤：
[0016]S1、原料准备：按照重量份数分别称取各原料，备用；
[0017]S2、坯体制作：将坯体原料混合加水后以氧化铝球为球磨介质进行球磨，球磨20min
‑
30min后过500目筛，得到坯体泥料，经过脱水、真空练泥、陈腐工序，然后将定型得到的粗坯，进行利坯、晾晒，得到坯体；
[0018]S3、釉水制作：将釉层原料混合后加水球磨，调节其含水率为45～55％，之后过250～320目筛，再在真空度为0.1～0.5MPa，50～62℃的条件下以120～150r/min的速度进行真空搅拌与除泡，自然降温后得到釉水；
[0019]S4、调节步骤S3得到釉水的含水率为50％～60％，然后对步骤(2)得到的坯体进行施釉，晾干后在氧化气氛下烧结，最高烧结温度为1080～1120℃。
[0020]优选地，所述烧结过程的烧成温度控制具体为：以2.2℃/min～2.5℃/min的升温速率从室温匀速升温至350℃～380℃，再以2.0℃/min～2.2℃/min的升温速率匀速升温至600℃～620℃，接着以1.5℃/min～1.8℃/min的升温速率匀速升温至900℃～950℃并保温20min～30min，然后以1.2℃/min～1.5℃/min的升温速率匀速升温至最高烧结温度并保温30min～40min。
[0021]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
[0022]本专利技术陶瓷花盆的坯体利用纳米废瓷粉和包含硼泥的坯用低温熔块以及坯用助熔剂，其中坯用低温熔块构成镁
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钙
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硼
‑
钠
‑
铝
‑
硅多元复合熔剂，外加由氟化钠与硅氟酸钠构成的坯用助熔剂，而釉层利用萤石尾矿和釉用低温熔块等，其中釉用低温熔块构成锂
‑
硼
‑
钠
‑
铝
‑
硅多元复合熔剂，外加由氟化钠与硅氟酸钠构成的釉用助熔剂，从而使得纳米废瓷粉、硼泥和萤石尾矿能够与其他原料混合烧制，且可大大降低了坯体的烧成温度，制得的陶瓷花盆坯釉结合良好，吸水率小于2％，抗弯强度达50MPa以上，180℃～20℃二次急冷不裂，釉面平滑光润，耐磨性好。
具体实施方式
[0023]实施例1
[0024]本实施例提供一种利用废弃原料制得的陶瓷花盆，由坯体及釉层烧结而成。
[0025]其中：所述坯体由如下重量份数原料组成：25份的德化高岭土、10份的钾长石、50份的纳米废瓷粉、18份的叶蜡石、8份的坯用助熔剂及15份的坯用低温熔块，所述坯用助熔剂由氟化钠和硅氟酸钠按质量比为3︰1配制而成。所述坯用低温熔块由如下重量份数原料制成：25份的石英、12份的钠长石、20份的硼砂、15份的硅灰石、10份的硼泥，坯用低温熔块的制备方法为：将石英、钠长石、硼砂、硅灰石、硼泥按配比混合研磨均匀本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.利用废弃原料制得的陶瓷花盆，其特征在于：陶瓷花盆由坯体及釉层烧结而成，其中：所述坯体由如下重量份数原料组成：20
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30份的德化高岭土、10
‑
20份的钾长石、40
‑
60份的纳米废瓷粉、15
‑
20份的叶蜡石、5
‑
10份的坯用助熔剂及10
‑
20份的坯用低温熔块；所述釉层由如下重量份数原料组成：40
‑
60份的白泥、10
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20份的钾长石、10
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20份的萤石尾矿、5
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10份的釉用助熔剂及10
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20份的釉用低温熔块。2.根据权利要求1所述的利用废弃原料制得的陶瓷花盆，其特征在于：所述坯用低温熔块由如下重量份数原料制成：20
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30份的石英、10
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15份的钠长石、15
‑
20份的硼砂、10
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20份的硅灰石、10
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15份的硼泥。3.根据权利要求2所述的利用废弃原料制得的陶瓷花盆，其特征在于：所述坯用低温熔块的制备方法为：将石英、钠长石、硼砂、硅灰石、硼泥按配比混合研磨均匀制得混合料，将混合料布撒装入耐火匣钵中，进行1290℃～1310℃高温熔制，得到熔融态的浆料；将浆料水淬冷却，并破碎成颗粒状，制得坯用低温熔块。4.根据权利要求1所述的利用废弃原料制得的陶瓷花盆，其特征在于：所述釉用低温熔块由如下重量份数原料制成：25
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30份的石英、10
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15份的钠长石、10
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20份的叶长石、15
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20份的硼砂、5
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈国斌，
申请(专利权)人：福建省德化鑫东宝瓷业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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