一种单晶硅炉用加热器SiC-ZrC-BN复合涂层及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种单晶硅炉用加热器SiC

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅炉用加热器SiC
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ZrC
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BN复合涂层及制备方法


[0001]本专利技术属于非金属晶体制造设备领域，尤其涉及一种单晶硅炉用加热器SiC
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ZrC
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BN复合涂层及制备方法。

技术介绍

[0002]直拉法是制造单晶硅的一种重要方法，具有工艺简单、生产高效、易于控制等优点。目前，直拉法制造单晶硅的加热器所用材质多采用石墨材料。在制造单晶硅的过程中，单晶炉内为富硅气氛，使得加热部件受到侵蚀，使得加热器使用寿命大大缩短。同时，单晶炉加热器多为整体式加热器，需要使用直径和高度都大于单晶炉加热器的整块等静压石墨材料加工而成，故成本较高，且在使用一段时间后，个别部位发生老化，单晶炉加热器只能整体报废，进一步增加了生产成本。
[0003]申请公布号为CN 103570377 A的专利技术专利公开的“一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面制备SiC涂层的方法”介绍了一种用碳毡和SiO2粉末在石墨发热体表面制备SiC涂层的方法，该方法过程相对简单，易操作，重复性好。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅炉用加热器SiC
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ZrC
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BN复合涂层的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)将Si粉、Zr粉、氮化硼粉、石墨粉和ZrO2粉放入球磨机中研磨，得到混合粉体；(2)将单晶硅炉用加热器的加热部件置于石墨盒中，将步骤(1)得到的混合粉末覆盖加热部件；(3)将步骤(2)的石墨盒置于真空炉中进行包埋渗处理，得到所述SiC
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ZrC
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BN复合涂层。2.根据权利要求1所述的单晶硅炉用加热器SiC
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ZrC
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BN复合涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，按照质量百分比，各原料的含量为：30～70％的Si粉，10～20％的Zr粉，5～15％的氮化硼粉、5～15％的石墨粉和10～20％的ZrO2粉。3.根据权利要求1或2所述的单晶硅炉用加热器SiC
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ZrC
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BN复合涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，Si粉的粒度为5～200μm，Zr粉的粒度为5～30μm，氮化硼粉的粒度为5～30μm，石墨粉的粒度为1～20μm，ZrO2粉的粒度为10～50μm。4.根据权利要求3所述的单晶硅炉用加...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈正，单彩霞，陈强，樊宇，王汝江，刘雨雨，徐杰，张平，吴亚娟，郑加镇，
申请(专利权)人：中国矿业大学，
类型：发明
国别省市：