一种含有硼、硒/碲与氮原子的稠环化合物及有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种含有硼、硒/碲与氮原子的稠环化合物，如式(I)所示。与现有技术相比，本发明专利技术采用含有硼原子、硒/碲与氮原子的稠环化合物作为发光材料，一方面可利用硼原子、硒(碲)原子和氮原子之间的共振效应实现HOMO和LUMO的分离，从而实现较小的ΔE

【技术实现步骤摘要】
一种含有硼、硒/碲与氮原子的稠环化合物及有机电致发光器件


[0001]本专利技术属于有机发光材料
，尤其涉及一种含有硼、硒/碲与氮原子的稠环化合物及有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机发光器件(OLEDs)通常是由阴极、阳极及阴极和阳极之间插入的有机物层构成，即器件是由透明ITO阳极、空穴注入层(TIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和阴极组成，按需要可省略1～2有机层，或加入激子阻挡层(EBL)，其作用机理为两个电极之间形成电压，从阴极注入电子的同时从阳极注入空穴，电子和空穴在发光层结合形成激发态，激发态辐射回到基态，进而实现器件发光。由于色彩丰富、快速响应以及可制备柔性器件等特点，有机电致发光材料被认为是最具发展前景的下一代平板显示和固体照明材料。
[0003]由于自旋量子统计规律的限制，传统的荧光材料在电致发光过程中仅能利用25％的单线态激子， 75％的三线态激子以非辐射跃迁的形式损失，器件内量子效率(IQE)的理论极限值为25％，因此充分利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含有硼、硒/碲与氮原子的稠环化合物，如式(I)所示：其中，m、n与p各自独立地为0～20的整数；a为0或1；X选自Se或Te；选自选自中的任意一种；与各自独立地选自取代或未取代的六元芳环、取代或未取代的六元杂芳环、取代或未取代的五元芳杂环、取代或未取代的芳香稠环单元；所述芳香稠环单体含有六元芳环、六元芳杂环与五元芳杂环中的一种或多种，且所述芳香稠环单元通过六元芳环、六元芳杂环或五元芳杂环与N与X或Y进行连接；R
a
、R
b
、R
c
与R
d
各自独立地选自D、F、Cl、Br、I、
‑
CN、
‑
NO2、、
‑
O
‑
R1、
‑
S
‑
R1、
‑
Se
‑
R1、、
‑
Te
‑
R1、、取代或未取代的C1～C30的直链烃基、取代或未取代的C1～C30的支链烃基、取代或未取代的C1～C30的卤代烷烃基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳香基团、取代或未取代的C5～C60的杂芳香基团；所述R1、R2和R3各自独立地选自H、D、F、Cl、Br、I、
‑
OH、
‑
SH、
‑
NH2、取代或未取代的C1～C30的直链烃基、取代或未取代的C1～C30的支链烃基、取代或未取代的C1～C30的卤代烷烃基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳香基团、取代或未取代的C5～C60的杂芳香基团；所述杂芳香基团中的杂原子选自Si、Ge、N、P、O、S与Se中的一种或多种；
或者R
a
、R
b
、R
c
与R
d
各自之间、或者R
d
与R
a
或之间、或者R
d
与R
b
或之间、或者R1、R2和R3相互之间通过单键、
‑
C
‑
C
‑
、
‑
C＝C
‑
、
‑
C＝N
‑
、
‑
C＝P
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、、与中的一种或多种连接；所述L1′
～L
12
′
各自独立地选自H、D、F、Cl、Br、I、
‑
CN、
‑
NO2、取代或未取代的C1～C30的直链烃基、取代或未取代的C1～C30的支链烃基、取代或未取代的C1～C30的卤代烷烃基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳香基团、取代或未取代的C5～C60的杂芳香基团。2.根据权利要求1所述的稠环化合物，其特征在于，所述与各自独立地选自取代或未取代的C6～C15的六元芳环、取代或未取代的C3～C15的六元杂芳环、取代或未取代的C3～C15的五元芳杂环、取代或未取代的C4～C40的芳香稠环单元。3.根据权利要求1所述的稠环化合物，其特征在于，所述取代的六元芳环、取代的六元杂芳环、取代的五元芳杂环与取代的芳香稠环单元中的取代基选自D、取代或未取代的C1～C30的直链烃基、取代或未取代的C1～C30的支链烃基、取代或未取代的C1～C30的卤代烷烃基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳香基团、取代或未取代的C5～C60的杂芳香基团；所述杂芳香基团中的杂原子选自Si、Ge、N、P、O、S与Se中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的稠环化合物，其特征在于，所述与各自独立地选自A1～A50所示基团中的一种，且R
a
、R
b
、R
c
与R
d
为A1～A50所示基团中碳原子上连接的取代基：
L1、L2与L3各自独立选自H、D、取代或未取代的C1～C30的直链烃基、取代或未取代的C1～C30的支链烃基、取代或未取代的C1～C30的卤代烷烃基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳香基团、取代或未取代的C5～C60的杂芳香基团；所述杂芳香基团中的杂原子选自Si、Ge、N、P、O、S与Se中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的稠环化合物，其特征在于，所述m、n与p各自独立地为0～4的整数。6.根据权利要求1所述的稠环化合物，其特征在于，所述稠环化合物具有式A1
‑
1～式D1
‑
14所示的结构：
其中，R1～R
11
各自独立地选自H、D、F、Cl、Br、I、
‑
CN、
‑
NO2、、
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王利祥，邵世洋，李强，王兴东，赵磊，王淑萌，吕剑虹，田洪坤，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：