一种光增强氙灯泵浦激光放大器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光增强氙灯泵浦激光放大器及其制备方法，激光放大器由氙灯泵浦源、隔板玻璃、增益介质组成，其中，氙灯灯罩表面附着一层光转换薄膜，该薄膜可吸收特定波段的氙灯光谱，并转换为激光放大器增益介质可吸收的波长，从而提高氙灯光源的利用率和激光放大器的工作效率。本发明专利技术可在高能粒子发射的初期便对其有效吸收，能防止高能粒子在激光放大器腔室内的碰撞，有效调控腔室内部温度，提高放大器的工作效率；且材料来源广泛、制备成本低廉，具有较大的经济效应。具有较大的经济效应。具有较大的经济效应。

【技术实现步骤摘要】
一种光增强氙灯泵浦激光放大器及其制备方法


[0001]本专利技术属于激光放大器领域，具体涉及一种光增强氙灯泵浦激光放大器。

技术介绍

[0002]高功率固体激光器的激光驱动技术在激光惯性约束聚变技术的激励下发展迅猛。30多年间，世界许多国家的重要单位和实验室都对各种规模和各种水平的超高功率激光驱动器进行了大量研究。从上世纪70年代中期的Janus激光系统，到现在的国家点火装置，氙灯泵浦的大口径钕玻璃激光系统已取得了巨大的发展。
[0003]氙灯泵浦式激光放大器主要由氙灯光源、隔板玻璃和增益介质组成，其功能是将输入端的高质量小能量激光放大到所需大能量。然而，目前氙灯泵浦式激光器仍存在许多难以克服的问题：首先，传统的氙灯泵浦式激光器整体效率偏低，而且是固有的单发装置，每次打靶都需要数小时来消除热畸变，不能满足惯性聚变电站在技术和经济方面必需的要求；其次，氙灯的发射波谱范围是190～1100nm，而传统增益介质只对特定波长具有峰值吸收，大部分氙灯的能量被迫转化为热能，极大限制了激光放大器的工作效率，对体系也造成一定的损伤。因此，开发一款光谱可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光增强氙灯泵浦激光放大器，由氙灯泵浦源、隔板玻璃和增益介质组成，其特征在于：在所述的氙灯泵浦源灯罩外设有光转换薄膜，该光转换薄膜用于吸收特定波段的氙灯光谱，并转换为所述的增益介质可吸收的波长。2.根据权利要求1所述的光增强氙灯泵浦激光放大器，其特征在于，所述的光转换薄膜的厚度为1～50nm。3.根据权利要求1所述的光增强氙灯泵浦激光放大器，其特征在于，所述的光转换薄膜的材料包括钙钛矿、II
‑
VI族半导体、IV
‑
VI族半导体、III
‑
V族半导体、的一种或多种。4.根据权利要求3所述的光增强氙灯泵浦激光放大器，其特征在于：所述光转换薄膜的材料为ABX3型钙钛矿半导体化合物的，荧光发光波长位于400～800nm；其中，A为CH3NH
3+
(甲胺基)、CH3CH2NH
3+
(乙胺基)、CH(NH2)
2+
(甲脒基)、C(NH2)
3+
(胍基)、Li
+
、Na
+
、K
+
、Rb
+
、Ag
+
、Cu
+
、Cs
+
中至少一种一价阳离子，B为Ge
2+
、Sn
2+
、Pb
2+
、Be
2+
、Mg
2+
、Ca
2+
、Sr
2+
、Ba
2+
、Cu
2+
、Fe
2+
、Mn
2+
、Zn
2+
中至少一种二价金属离子，X为F
‑
、Cl
‑
、Br
‑
、I
‑
、SCN
‑
中至少一种一价阴离子，所述钙钛矿半导体化合物的禁带宽度值大于等于1.0eV，且小于等于2.5eV。5.根据权利要求3所述的光增强氙灯泵浦激光放大器，其特征在于：所述光转换薄膜的采用II
‑
VI族半导体、IV
‑
VI族半导体、III
‑
V族半导体材料，其发射波长为400～800nm；其中，II
‑
VI族半导体包括CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、ZnTe、ZnO、HgTe、HgS；IV<...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑毅帆，程慧媛，王欣，邵宇川，胡丽丽，邵建达，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：