一种标准流量元件及其制备方法、标准流量系统技术方案

本申请公开了一种标准流量元件及其制备方法、标准流量系统，用以提高封装效果，避免标准流量元件漏气，提高测量精度。本申请实施例提供的一种标准流量元件，所述标准流量元件包括：对盒设置的第一基板和第二基板；所述第一基板包括：第一衬底基板，以及位于所述第一衬底基板面向所述第二基板一侧的第一金属层；所述第一衬底基板包括：开口面向所述第二基板一侧的多个凹槽；所述第一金属层至少在所述凹槽之外的区域覆盖所述第一衬底基板；所述第二基板包括：第二衬底基板，以及位于所述第二衬底基板面向所述第一基板一侧的第二金属层；在所述凹槽之外的区域，所述第二金属层与所述第一金属层接触且通过共晶反应键合。金属层接触且通过共晶反应键合。金属层接触且通过共晶反应键合。

【技术实现步骤摘要】
一种标准流量元件及其制备方法、标准流量系统


[0001]本申请涉及标准流量元件
，尤其涉及一种标准流量元件及其制备方法、标准流量系统。

技术介绍

[0002]标准流量元件是一种可以产生恒定气体流量的元件，广泛的应用于真空检漏，真空测量领域，被誉为真空计量的标尺。近年来微通道式标准流量元件得到了广泛的研究和应用，但标准流量元件的封装问题一直未得到较好的解决。微通道式标准流量元件通常采用传统的树脂密封胶粘接方式，该封装方式虽然工艺简单、成本低廉，但在高真空状态下漏气较为严重，存在测量精度较低，无法实现极小流量校准等问题。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了一种标准流量元件及其制备方法、标准流量系统，用以提高封装效果，避免标准流量元件漏气，提高测量精度。
[0004]本申请实施例提供的一种标准流量元件，所述标准流量元件包括：对盒设置的第一基板和第二基板；
[0005]所述第一基板包括：第一衬底基板，以及位于所述第一衬底基板面向所述第二基板一侧的第一金属层；
[0006]所述第一衬底基板包括：开口面向所述第二基板一侧的多个凹槽；所述第一金属层至少在所述凹槽之外的区域覆盖所述第一衬底基板；
[0007]所述第二基板包括：第二衬底基板，以及位于所述第二衬底基板面向所述第一基板一侧的第二金属层；
[0008]在所述凹槽之外的区域，所述第二金属层与所述第一金属层接触且通过共晶反应键合。
[0009]在一些实施例中，所述第一金属层以及所述第二金属层的材料均包括：过渡金属。
[0010]在一些实施例中，所述第一基板还包括贯穿其厚度的第一开孔；所述凹槽延伸至所述第一开孔；
[0011]所述第二基板还包括贯穿其厚度的第二开孔；
[0012]所述第二开孔在所述第一衬底基板的正投影与所述凹槽在所述第一衬底基板的正投影具有交叠，且所述第二开孔在所述第一衬底基板的正投影与所述第一开孔在所述第一衬底基板的正投影互不交叠。
[0013]在一些实施例中，所述第一金属层在所述凹槽底部具有图案；
[0014]所述第一金属层的厚度小于所述凹槽的深度。
[0015]在一些实施例中，所述第一基板在所述第二基板的正投影落入所述第二基板内；
[0016]在所述第二开孔之外，所述第二金属层完全覆盖所述第二衬底基板。
[0017]本申请实施例提供的一种标准流量元件的制备方法，所述方法包括：
[0018]在第一衬底基板形成多个凹槽；
[0019]在所述凹槽开口一侧，在所述第一衬底基板上形成第一金属层，获得第一基板；其中，所述第一金属层至少在所述凹槽之外的区域覆盖所述第一衬底基板；
[0020]在第二衬底基板上形成第二金属层，获得第二基板；
[0021]将所述第一基板和所述第二基板对盒，在所述凹槽之外的区域使得所述第一金属层和所述第二金属层接触，并采用键合工艺使得所述第一金属层和所述第二金属层通过共晶反应键合。
[0022]在一些实施例中，在第一衬底基板形成多个凹槽之前，所述方法还包括：
[0023]采用切割工艺在所述第一衬底基板形成第一子开孔；其中，所述凹槽延伸至所述第一子开孔；
[0024]在第二衬底基板上形成第二金属层之前，所述方法还包括：
[0025]采用切割工艺在所述第二衬底基板形成第二子开孔；其中，所述第二开孔在所述第一衬底基板的正投影与所述凹槽在所述第一衬底基板的正投影具有交叠，且所述第二开孔在所述第一衬底基板的正投影与所述第一开孔在所述第一衬底基板的正投影互不交叠。
[0026]在一些实施例中，在第一衬底基板形成多个凹槽，具体包括：
[0027]采用紫外光刻或纳米压印工艺在第一衬底基板形成多个凹槽。
[0028]本申请实施例提供的一种标准流量系统，所述标准流量系统包括本申请实施例提供的标准流量元件。
[0029]在一些实施例中，所述标准流量元件的第一基板包括第一开孔，所述标准流量元件的第二基板包括第二开孔；
[0030]所述标准流量系统还包括：与所述第一开孔法兰连接的进气元件，以及与所述第二开孔法兰连接的出气元件。
[0031]本申请实施例提供的标准流量元件及其制备方法、标准流量系统，在第一衬底基板面向第二基板一侧设置第一金属层，在第二衬底基板面向第一基板一侧设置第二金属层，第一金属层和第二金属层通过共晶反应形成共晶层以实现两层金属层键合，即第一基板和第二基板通过金属键合方式进行封装，可以避免漏气，提高封装可靠性。当利用本申请实施例提供的标准流量元件进行测量时，还可以提高测量精度，延伸测量下限。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1为本申请实施例提供的一种标准流量元件的结构示意图；
[0034]图2为本申请实施例提供的一种标准流量元件的俯视图；
[0035]图3为本申请实施例提供的沿图2中BB
’
的截面图；
[0036]图4为本申请实施例提供的一种标准流量元件中第二基板的俯视图；
[0037]图5为本申请实施例提供的一种标准流量元件的制备方法的示意图；
[0038]图6为本申请实施例提供的另一种标准流量元件的制备方法的示意图。
具体实施方式
[0039]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例的附图，对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本申请的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0040]除非另外定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
[0041]需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本申请内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
[0042]本申请实施例提供了一种标准流量元件，如图1所示，所述标准流量元件包括：对盒设置的第一基板1和第二基板2；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种标准流量元件，其特征在于，所述标准流量元件包括：对盒设置的第一基板和第二基板；所述第一基板包括：第一衬底基板，以及位于所述第一衬底基板面向所述第二基板一侧的第一金属层；所述第一衬底基板包括：开口面向所述第二基板一侧的多个凹槽；所述第一金属层至少在所述凹槽之外的区域覆盖所述第一衬底基板；所述第二基板包括：第二衬底基板，以及位于所述第二衬底基板面向所述第一基板一侧的第二金属层；在所述凹槽之外的区域，所述第二金属层与所述第一金属层接触且通过共晶反应键合。2.根据权利要求1所述的标准流量元件，其特征在于，所述第一金属层以及所述第二金属层的材料均包括：过渡金属。3.根据权利要求1所述的标准流量元件，其特征在于，所述第一基板还包括贯穿其厚度的第一开孔；所述凹槽延伸至所述第一开孔；所述第二基板还包括贯穿其厚度的第二开孔；所述第二开孔在所述第一衬底基板的正投影与所述凹槽在所述第一衬底基板的正投影具有交叠，且所述第二开孔在所述第一衬底基板的正投影与所述第一开孔在所述第一衬底基板的正投影互不交叠。4.根据权利要求3所述的标准流量元件，其特征在于，所述第一金属层在所述凹槽底部具有图案；所述第一金属层的厚度小于所述凹槽的深度。5.根据权利要求3所述的标准流量元件，其特征在于，所述第一基板在所述第二基板的正投影落入所述第二基板内；在所述第二开孔之外，所述第二金属层完全覆盖所述第二衬底基板。6.一种标准流量元件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在第一衬底基板形成多个凹槽；在...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵永恒，何讯超，潘黎，郑琅琅，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：