一种双元固气混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供的一种双元固气混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤利用气相双元固气混合浴在基底上制备得到钙钛矿薄膜；本发明专利技术通过气相双元固气混合浴法的方法进行钙钛矿薄膜的制备，操作简单，避免了溶液使用的同时，拓展了钙钛矿薄膜气相制备的途径，且对导电基底要求较低，材料易得无污染，且效果明显，适合高性能、低成本、无污染的高效太阳能电池的制备。的制备。

【技术实现步骤摘要】
一种双元固气混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法


[0001]本专利技术为钙钛矿太阳能电池器件的设计和制备领域，具体涉及一种双元固气混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]近年来发现的钙钛矿型太阳能电池由于高转换效率、低成本、环境友善、产品可挠化等优点正在受到越来越广泛的关注。其中，新型钙钛矿性太阳能电池的光电转换效率在短短几年内提升了数倍，表现出非常优异的光电性能，基于钙钛矿型半导体材料的器件设计和制备也越发值得探究。
[0003]目前钙钛矿型薄膜研究面临的重要问题之一是进行无溶液高质量薄膜的制备，而目前通过蒸镀法进行无溶液高质量薄膜的制备，但是该方法存在成本高的缺陷。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供的一种双元固气混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，解决了现有技术中存在的不足。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：
[0006]本专利技术提供的一种双元固气混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
[0007]利用气相双元固气混合浴法在基底上制备得到钙本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双元固气混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：利用气相双元固气混合浴在基底上制备得到钙钛矿薄膜。2.根据权利要求1所述的一种双元固气混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，利用气相双元固气混合浴法制备钙钛矿吸光层，具体方法是：在温度为30
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120℃、气源压力为0.05
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0.3Pa的条件下，将MAI置于基底起源前方3
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10cm处，通入I2离子，在铅膜上制备得到钙钛矿薄膜，所得钙钛矿薄膜的厚度为300
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600nm。3.根据权利要求1所述的一种双元固气混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，利用气相双元固气混合浴法制备钙钛矿吸光层，具体方法是：在温度为70℃、气源压力为0.08Pa的条件下，将MAI置于基底起源前方5cm处，通入I2离子，在基底上制备得到钙钛矿薄膜，所得钙钛矿薄膜的厚度为300
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600nm。4.根据权利要求1所述的一种双元固气混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述基底和钙钛矿薄膜之间设置有铅膜。5.根据权利要求4所述的一种双元固气混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，利用蒸镀法在基底上制备铅膜。6.一种双元固气混合浴的太阳...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘家梁，赵志国，秦校军，肖平，赵东明，邬俊波，董超，熊继光，王百月，冯笑丹，梁思超，王森，张杰，
申请(专利权)人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：