一种宽带跨导增强型低噪声放大器制造技术

本发明专利技术属于无需通信技术领域，提供一种宽带跨导增强型低噪声放大器，用以克服现有传统g

【技术实现步骤摘要】
一种宽带跨导增强型低噪声放大器


[0001]本专利技术属于无需通信
，设计毫米波通信系统的接收机/发射机中的放大器，具体为一种宽带跨导增强型低噪声放大器。

技术介绍

[0002]随着通信技术尤其是个人移动通信的高速发展，无线电频谱的低端频率已经趋于饱和，即使采用多种技术扩大通信系统的容量，提高频谱的利用率，也无法满足未来通信发展的需求，因而实现高速、宽带的无线通信势必向微波高端开发新的频谱资源。毫米波由于其波长短、频带宽，可以有效地解决高速宽带无线接入面临的许多问题，因而在短距离通信中有着广泛的应用前景；而放大器是各种毫米波通信系统中最关键的一环，它在接收机中将接受的弱信号放大到后端处理、在发射机中将弱信号放大到天线发射出去，而低噪声放大器作为接收机的第一个单元，其性能对整个接收机有着关键的影响。
[0003]针对低噪声放大器，为降低噪声系数(NF)及提高增益，近年来已经诞生了很多结构，其中一种结构称为g
m
‑
boost，该结构通过改变晶体管的跨导g
m
，从而提高增益、降低噪声。如图6本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽带跨导增强型低噪声放大器，包括依次连接的输入变压器、第一级差分放大器、第一级间变压器、第二级差分放大器、第二级间变压器、第三级中和电容放大器及输出变压器；其中，所述输入变压器采用单转差巴伦；所述第一级差分放大器与第二级差分放大器结构相同，均由两路g
m
‑
boost结构构成，每一路g
m
‑
boost结构由晶体管、以及分别连接于晶体管的栅极和源极的第一耦合电感和第二耦合电感构成，晶体管的栅极作为差分放大器的输入端、且经过第一耦合电感后连接偏置电压V
bias
，晶体管的漏极作为差分放大器的输出端、且连接电源电压V
DD
。2.按权利要求1所述宽带跨导增强型低噪声放大器，其特征在于，所述第一级差分放大器的具体结构为：一路g
m
‑
boost结构由晶体管M1、以及分别连接于晶体管M1的栅极和源极的耦合电感L1和L2构成，另一路g
m
‑
boost结构由晶体管M2、以及分别连接于晶体管M2的栅极和源极的耦合电感L3和L4构成，晶体管M1与晶体管M2的栅极作为第一级差分放大器的输入端、分别经过耦合电感L1与耦合电感L3后连接于单转差巴伦的次级线圈两端、且单转差巴伦的次级线圈中心抽头接偏置电压V
bias
，晶体管M1与晶体管M2的漏极作为第一级差分放大器的输出端、分别连接于第一级间变压器的初级线圈两端、且第一级间变压器的初级线圈中心抽头接电源电压V
DD
。3.按权利要求1所述宽带跨导增强型低噪声放大器，其特征在于，所述第二级差分放大器的具体结构为：一路g
m
‑
boost结构由晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：康凯，熊宇航，吴韵秋，赵晨曦，刘辉华，余益明，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：