用于制造玻璃带的装置和方法制造方法及图纸

装置可以包括：容纳设备，所述容纳设备包括表面，所述表面限定在所述容纳设备的流动方向上延伸的区域。定位为支撑所述容纳设备的重量的支撑构件可以包括支撑材料，所述支撑材料在1400℃的温度下在从1MPa到5MPa的压力下具有从1x10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造玻璃带的装置和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请依据35U.S.C.
§
119要求2018年8月10日提交的美国临时专利申请第62/717170号的优先权权益，该申请的内容是本申请的基础并且全文以引用的方式并入本文。

技术介绍

[0003]已知用形成装置将熔融材料处理成玻璃带。已知操作常规的形成装置来将一定量的熔融材料从形成装置下拉为玻璃带。

技术实现思路

[0004]下文呈现了本公开内容的简化概要，以提供详细描述中所述的一些示例性实施例的基本理解。
[0005]本公开内容大体涉及用于制造玻璃带的装置和方法，并且更具体地是涉及用于容纳熔融材料的容纳设备和用来支撑容纳设备的重量的支撑构件，以及用于用容纳设备容纳熔融材料同时由支撑构件支撑容纳设备和容纳设备内的熔融材料的重量的方法。
[0006]根据一些实施例，一种装置可以包括导管，该导管包括周边壁，该周边壁限定在导管的流动方向上延伸的区域。导管的周边壁的第一部分可以包括延伸穿过周边壁的外周表面的狭槽。狭槽可以与区域连通。该装置可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，包括：导管，所述导管包括周边壁，所述周边壁限定在所述导管的流动方向上延伸的区域，所述周边壁的第一部分包括延伸穿过所述周边壁的外周表面的狭槽，其中所述狭槽与所述区域连通；支撑构件，所述支撑构件包括支撑表面，所述支撑表面限定接收所述周边壁的第二部分的区域，其中所述支撑构件包括支撑材料，所述支撑材料在1400℃的温度下在从1MPa到5MPa的压力下包括从1x 10
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12 1/s到1x 10
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14 1/s的蠕变速率；和形成楔，所述形成楔定位在所述导管的所述狭槽下游，所述形成楔包括第一楔表面和第二楔表面，所述第一楔表面和所述第二楔表面在下游方向上收敛以形成所述形成楔的根部。2.如权利要求1所述的装置，其中所述支撑材料包括陶瓷材料。3.如权利要求2所述的装置，其中所述陶瓷材料可以包括碳化硅。4.一种装置，包括：导管，所述导管包括周边壁，所述周边壁限定在所述导管的流动方向上延伸的区域，所述周边壁的第一部分包括延伸穿过所述周边壁的外周表面的狭槽，其中所述狭槽与所述区域连通；碳化硅支撑构件，所述碳化硅支撑构件包括支撑表面，所述支撑表面限定接收所述周边壁的第二部分的区域；和形成楔，所述形成楔定位在所述导管的所述狭槽下游，所述形成楔包括第一楔表面和第二楔表面，所述第一楔表面和所述第二楔表面在下游方向上收敛以形成所述形成楔的根部。5.如权利要求1
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4中任一项所述的装置，其中所述支撑表面环绕所述周边壁的所述外周表面的约25％到约60％。6.如权利要求1
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5中任一项所述的装置，其中接收所述周边壁的所述第二部分的所述区域的深度沿着所述狭槽的长度变化。7.如权利要求6所述的装置，其中接收所述周边壁的所述第二部分的所述区域的所述深度在小于在所述导管的所述流动方向上测量到的所述狭槽的所述长度的约33％的位置处最大。8.如权利要求6所述的装置，其中所述导管包括第一导管，所述第一导管在接合点处与第二导管串联连接，其中接收所述周边壁的所述第二部分的所述区域的所述深度在所述接合点的侧向位置处比在所述第一导管的中间侧向位置和所述第二导管的中间侧向位置处更大。9.如权利要求1
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8中任一项所述的装置，其中所述周边壁的所述第一部分与所述周边壁的所述第二部分相对。10.如权利要求1
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9中任一项所述的装置，其中所述狭槽的宽度在所述导管的所述流动方向上增加。11.如权利要求1
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10中任一项所述的装置，其中所述区域的与所述导管的所述流动方向垂直地截取的横截面积在所述导管的所述流动方向上减少。12.如权利要求1
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11中任一项所述的装置，其中所述周边壁的所述外周表面沿着与所
述导管的所述流动方向垂直地截取的横截面包括圆形形状。13.如权利要求1
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12中任一项所述的装置，其中所述导管的所述周边壁的厚度为从约3mm到约7mm。14.如权利要求1
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13中任一项所述的装置，其中所述导管的所述周边壁包括铂。15.如权利要求1
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14中任一项所述的装置，进一步包括限定所述第一楔表面的第一侧壁和限定所述第二楔表面的第二侧壁。16.如权利要求15所述的装置，其中所述第一侧壁包括铂并且所述第二侧壁包括铂。17.如权利要求15
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16中任一项所述的装置，其中所述支撑构件定位在所述第一侧壁与所述第二侧壁之间。18.如权利要求15
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17中任一项所述的装置，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁不物理地接触所述支撑构件的任何部分。19.如权利要求15
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18中任一项所述的装置，其中所述第一侧壁的上游部分的上游端在第一接口处附接到所述导管的所述周边壁，并且所述第二侧壁的上游部分的上游端在第二接口处附接到所述导管的所述周边壁。20.如权利要求19所述的装置，其中所述第一接口和所述第二接口各自位于所述导管的所述狭槽下游。21.如权利要求19
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20中任一项所述的装置，其中所述第一侧壁的所述上游部分和所述第二侧壁的所述上游部分在所述下游方向上彼此背向张开。22.一种用如权利要求1
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21中任一项所述的装置从一定量的熔融材料制造玻璃带的方法，所述方法包括：使所述区域内的所述熔融材料在所述导管的所述流动方向上流动；使熔融材料从所述导管的所述区域流动通过所述狭槽作为第一熔融材料流和第二熔融材料流；使所述第一熔融材料流沿着所述下游方向在所述第一楔表面上流动，并且使所述第二熔融材料流沿着所述下游方向在所述第二楔表面上流动；和从所述形成楔的所述根部熔融拉出所述第一熔融材料流和所述第二熔融材料流作为玻璃带。23.一种装置，包括：支撑构件，所述支撑构件包括支撑流槽、第一支撑堰和第二支撑堰，并且所述支撑流槽侧向定位在所述第一支撑堰与所述第二支撑堰之间，其中所述支撑构件包括支撑材料，所述支撑材料在1400℃的温度下在从1MPa到5MPa的压力下包括从1x10
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12
1/s到1x10
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1/s的蠕变速率；上壁，所述上壁至少部分地限定熔融材料流槽，所述熔融材料流槽定位在所述支撑流槽内并由所述支撑流槽支撑，其中所述上壁不物理地接触所述支撑构件的任何部分；第一侧壁，所述第一侧壁包括附接到所述上壁的第一侧的上部分，所述第一侧壁不物理地接触所述支撑构件的任何部分；第二侧壁，所述第二侧壁包括附接到所述上壁的第二侧的上部分，所述第二侧壁不物理地接触所述支撑构件的任何部分；和形成楔，所述形成楔包括由所述第一侧壁的下部分限定的第一楔表面和由所述第二侧
壁的下部分限定的第二楔表面，其中所述第一楔表面和所述第二楔表面在下游方向上收敛以形成所述形成楔的根部。24.如权利要求23所述的装置，其中所述支撑材料包括陶瓷材料。25.如权利要求24所述的装置，其中所述陶瓷材料可以包括碳化硅。26.一种装置，包括：碳化硅支撑构件，所述碳化硅支撑构件包括支撑流槽、第一支撑堰和第二支撑堰，并且所述支撑流槽侧向定位在所述第一支撑堰与所述第二支撑堰之间；上壁，所述上壁至少部分地限定熔融材料流槽，所述熔融材料流槽定位在所述支撑流槽内并由所述支撑流槽支撑，其中所述上壁不物理地接触所述碳化硅支撑构件的任何部分；第一侧壁，所述第一侧壁包括附接到所述上壁的第一侧的上部分，所述第一侧壁不物理地接触所述支撑构件的任何部分；第二侧壁，所述第二侧壁包括附接到所述上壁的第二侧的上部分，所述第二侧壁不物理地接触所述支撑构件的任何部分；和形成楔，所述形成楔包括由所述第一侧壁的下部分所限定的第一楔表面和由所述第二侧壁的下部分所限定的第二楔表面，其中所述第一楔表面和所述第二楔表面在下游方向上收敛以形成所述形成楔的根部。27.如权利要求23
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26中任一项所述的装置，其中中间材料防止所述上壁、所述第一侧壁和所述第二侧壁物理地接触所述支撑构件的任何部分。28.如权利要求27所...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿列克谢，
申请(专利权)人：康宁公司，
类型：发明
国别省市：