【技术实现步骤摘要】
一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置
[0001]本专利技术属于传感器
，具体涉及一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置。
技术介绍
[0002]传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理；现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，以对单晶硅进行刻蚀；片架在刻蚀过程中通常需要进行旋转以增加单晶硅与等离子体的接触均度，然而，片架的旋转可能导致其发生偏移，从而造成单晶硅与等离子之间的接触不均，进而影响其刻蚀效果。
[0003]为了解决上述问题，公布号为CN104975350A的中国专利公开了传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其记载了通过多个支撑杆件对片架进行定位处理，使得其始终处于反应室的轴线位置，从而使得片架之中的多个单晶硅的刻蚀加工的精度得以改善。
[0004]但是上述技术方案仍存在以下缺陷：其一是在实际的使用过程中，支撑杆与其他结构的配合存在误差，并缺乏验证机制，无法准确得知片架是否处于反应室的轴线位置，即...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，包括反应室本体(1)，所述反应室本体(1)内设置有片架(4)，其特征在于，所述反应室本体(1)上固定安装有片架旋转机构(5)，所述片架旋转机构(5)的动力输出轴与片架(4)固定连接，所述片架(4)的轴线、片架旋转机构(5)的动力输出轴的轴线与反应室本体(1)的轴线相重合；所述反应室本体(1)的内壁上固定安装有若干独立定位组件，若干所述独立定位组件可伸缩且可与片架(4)相接触，所述反应室本体(1)上还安装有实时验证组件，所述实时验证组件用于实时验证片架(4)所处的位置。2.根据权利要求1所述的一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述独立定位组件包括固定安装在反应室本体(1)内壁上的独立控制座(6)和固定安装在独立控制座(6)上的伸缩杆(7)。3.根据权利要求2所述的一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述伸缩杆(7)远离独立控制座(6)的一端安装有滚珠(8)，所述滚珠(8)的表面设置有抛光层。4.根据权利要求1所述的一种自动定位式传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述实时验证组件包括主动检测环(10)和与主动检测环(10)相匹配的反射组件(11)，所述主动检测环(10)上设置有若干主动发光点，所述主动发光点的密度为2...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵浩，李洪武，周丽，丁立军，王挺，许聚武，陈晟，习聪玲，
申请(专利权)人：嘉兴学院，
类型：发明
国别省市：
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