有源矩阵基板的制造方法及有源矩阵基板技术

在有源矩阵基板的制造方法中，形成基底无机绝缘膜的工序包括：在基底无机绝缘膜上涂布抗蚀剂的工序；通过第一灰化处理，在抗蚀剂的表面形成凹凸面的灰化处理工序；以及接着灰化处理工序，通过进行第二灰化处理和基底无机绝缘膜的蚀刻处理，使基底无机绝缘膜的表面粗面化的粗面化工序。在形成半导体膜的工序中，半导体膜的至少一部分仿照基底无机绝缘膜的粗糙面，从而对表面进行粗面化。从而对表面进行粗面化。从而对表面进行粗面化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源矩阵基板的制造方法及有源矩阵基板


[0001]本专利技术涉及一种有源矩阵基板的制造方法及有源矩阵基板。

技术介绍

[0002]在构成配置成矩阵的像素的显示元件中，众所周知有电流驱动型的有机EL(Electro Luminescence：电致发光)元件。近年来，能够使组装有显示装置的显示器大型化且薄型化，并且着眼于所显示的图像的鲜艳度，正在积极地进行像素中包括有机EL元件的有机EL显示装置的开发。
[0003]特别是以下情况较多，将电流驱动型的显示元件与单独控制的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)等开关元件一起设于各像素，成为按每个像素控制电光元件的有源矩阵型的显示装置。这是因为，通过有源矩阵型的显示装置，能够进行比无源型的显示装置更高精细的图像显示。
[0004]有机EL显示装置用的驱动TFT使电压变化，并进行根据流动的电流的大小来控制灰度的灰度控制(例如参照专利文献1)。
[0005]在该灰度控制中，随着I
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V特性的S值变小，特性波形的倾斜变得陡峭，不利于灰度控制，另本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有源矩阵基板的制造方法，所述有源矩阵基板的制造方法包括：在基板上形成基底无机绝缘膜的工序；在所述基底无机绝缘膜上形成半导体膜的工序；对所述半导体膜进行图案化的工序；在所述半导体膜上形成栅极绝缘膜的工序；在所述栅极绝缘膜上形成栅极金属膜的工序；以及从所述栅极金属膜对栅极进行图案化的工序，所述有源矩阵基板的制造方法的特征在于，形成所述基底无机绝缘膜的工序包括：在所述基底无机绝缘膜上涂布抗蚀剂的工序；灰化处理工序，通过第一灰化处理，在所述抗蚀剂的表面形成凹凸面；以及接着所述灰化处理工序的粗面化工序，通过进行第二灰化处理和所述基底无机绝缘膜的蚀刻处理，将所述基底无机绝缘膜的表面粗面化，在形成所述半导体膜的工序中，所述半导体膜的至少一部分仿照所述基底无机绝缘膜的粗糙面，从而对表面进行粗面化。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，所述基底无机绝缘膜具有平坦化区域，所述有源矩阵基板的制造方法还包括粗面化区域图案化工序，在所述平坦化区域中的与形成晶体管的所述半导体膜全部重叠的区域，对粗面化区域进行图案化。3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，所述有源矩阵基板的制造方法包括：粗面化区域图案化工序，至少对与所述半导体膜重叠的所述粗面化区域进行图案化，所述半导体膜与所述栅极重叠；以及掺杂区域图案化工序，以所述平坦化区域与所述半导体膜的掺杂区域的至少一部分重叠的方式对所述半导体膜的掺杂区域进行图案化形成的掺杂区域图案化。4.根据权利要求2或3所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，所述有源矩阵基板的制造方法包括设置像素电路的工序，所述像素电路具有：驱动晶体管，其具有所述半导体膜，所述半导体膜的所述栅极与所述粗面化区域重叠，至少一部分与所述粗面化区域重叠；以及写入晶体管，所述平坦化区域和所述栅极隔着所述半导体膜重叠。5.根据权利要求2至4中任一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，所述有源矩阵基板的制造方法包括设置所述半导体膜的工序，在设置所述半导体膜的工序中，由连续的所述半导体膜形成写入晶体管和发光控制晶体管，在所述发光控制晶体管与所述写入晶体管之间所述半导体膜的至少一部分与所述平坦化区域重叠。6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，所述有源矩阵基板的制造方法包括设置发光控制晶体管的工序，所述发光控制晶体管具有所述半导体膜，所述半导体膜中所述栅极与所述平坦化区域重叠。7.根据权利要求2至6中任一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，所述有源矩阵基板的制造方法包括设置驱动晶体管用初始化晶体管的工序，所述驱动
晶体管用初始化晶体管具有所述栅极与所述粗面化区域重叠的所述半导体膜。8.根据权利要求7所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，所述有源矩阵基板的制造方法包括设置驱动晶体管用初始化...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤贵翁，三轮昌彦，神崎庸辅，孙屹，山中雅贵，金子诚二，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：