漏电保护装置、电连接设备以及用电器制造方法及图纸

本申请公开了一种漏电保护装置、电连接设备以及用电器。漏电保护装置包括：漏电检测模块，用于检测主干线路上的漏电流信号，进而输出漏电故障信号；自检模块，用于周期性地生成模拟漏电流信号，当漏电检测模块发生故障时，自检模块输出自检故障信号；脱扣模块，其包括：开关，耦合在输入端与输出端之间；第一线圈，用于驱动开关以控制输入端与输出端之间的电力连接；驱动模块，用于在漏电故障信号和/或自检故障信号的影响下，驱动脱扣模块以断开电力连接；脱扣检测模块，配置为当检测到第一线圈产生断路时，生成线圈故障信号，以使得开关断开电力连接。电力连接。电力连接。

【技术实现步骤摘要】
漏电保护装置、电连接设备以及用电器


[0001]本申请涉及电气领域，尤其涉及一种具备自检功能的漏电保护装置、电连接设备以及用电器。

技术介绍

[0002]随着人们用电安全意识的提高，漏电保护装置的使用越来越广泛，为了提升漏电保护装置的安全性能，行业的技术人员开始研究为漏电保护装置增加自动检测功能，达到漏电保护装置漏电检测保护功能丧失时，输出无电，来提高产品的安全性。现有带自检功能的漏电保护装置仍存在一些缺陷，比如，漏电保护装置内的关键零件脱扣线圈、驱动部件等长期处于工作状态，易于损坏，特别是漏电保护装置内部的脱扣线圈绕制的漆包线较细，且工作温度高，更容易损坏(例如，断路)，造成漏电保护装置丧失保护功能，从而无法断开输入输出的电力连接，存在触电安全隐患。

技术实现思路

[0003]基于上述问题，本申请提出通过增设脱扣线圈来保证当一个脱扣线圈损坏(例如断路)时，漏电保护装置能够断开电力连接。
[0004]本申请一方面公开了一种漏电保护装置，包括：漏电检测模块，用于检测主干线路上的漏电流信号，进而输出漏电故障信号；自检模块，用于周期性地生成模拟漏电流信号，当所述漏电检测模块发生故障时，所述自检模块输出自检故障信号；脱扣模块，其包括：开关(RESET)，耦合在输入端与输出端之间；第一线圈(SOL1)，用于驱动所述开关以控制所述输入端与所述输出端之间的电力连接；驱动模块，用于在所述漏电故障信号和/或所述自检故障信号的影响下，驱动所述脱扣模块以断开所述电力连接；脱扣检测模块，配置为当检测到所述第一线圈产生断路时，生成线圈故障信号，以使得所述开关断开所述电力连接。
[0005]在一种实施方式中，所述脱扣检测模块包括：第二线圈(SOL2)；第一半导体元件(Q3)，其第一极耦合至所述主干线路，第二极耦合至所述第二线圈，控制极用于接收所述线圈故障信号，其中，所述第一半导体元件(Q3)响应于所述线圈故障信号以使得所述第二线圈驱动所述开关以断开所述电力连接。
[0006]在一种实施方式中，所述脱扣检测模块包括：第二半导体元件(Q2)，其控制极耦合至所述第一线圈，第一极耦合至所述第一半导体元件(Q3)的控制极以提供所述线圈故障信号，第二极耦合至地电位。
[0007]在一种实施方式中，所述第二半导体元件(Q2)的第一极通过第一二极管(D8)和/或第一电阻耦合至所述第一半导体元件(Q3)的控制极。
[0008]在一种实施方式中，所述驱动模块还包括：第三半导体元件(Q1)，其第一级耦合至所述第一线圈，第二极耦合到地电位，控制极用于接收于所述漏电故障信号和/或所述自检故障信号。
[0009]在一种实施方式中，所述脱扣检测模块还包括：第四半导体元件(Q4)，其第一极耦
合至所述第二线圈，第二极耦合至地电位，控制极耦合至所述第二半导体元件(Q2)的第一极以接收所述线圈故障信号，其中，所述第一线圈与所述第二线圈串联耦合，并且所述第一半导体元件(Q3)与所述第一线圈并联耦合。
[0010]在一种实施方式中，所述第三半导体元件(Q1)的控制极经由第一滤波电路(R10、C11)接收所述漏电故障信号，并且通过第二滤波电路(R20、C12)耦合到所述第四半导体元件(Q4)的控制极，所述第四半导体元件(Q4)的控制极通过所述第二滤波电路接收所述自检故障信号和所述漏电故障信号，其中，所述第一滤波电路的时间特性大于所述第二滤波电路的时间特性。通过该实施方式，当第三半导体元件Q1损坏或断开时，第四半导体元件Q4能够在漏电故障信号的控制下导通，进而使得线圈SOL1、SOL2驱动开关断开；当Q1短路时，线圈SOL1将驱动开关断开；当第三半导体元件Q1正常工作时，由于第一滤波电路的时间特性大于第二滤波电路的时间特性不同，第四半导体元件Q4则受控于自检故障信号。
[0011]在一种实施方式中，所述第三半导体元件(Q1)的控制极通过第三二极管(D4)和/或第三电阻耦合到所述第四半导体元件(Q4)的控制极。
[0012]在一种实施方式中，所述第一至第四半导体元件中的任意一个选自于以下项：可控硅、双极型晶体管、场效应晶体管、光电耦合元件以及继电器。
[0013]在一种实施方式中，所述漏电检测模块包括漏电检测线圈(CT1)和第一处理器(U1)，其中，所述第一处理器(U1)基于由所述漏电检测线圈(CT1)检测到的漏电流信号生成所述漏电故障信号；所述自检模块包括第二处理器(U2)以周期性地生成所述模拟漏电流信号，并且当所述漏电检测模块发生故障时，所述第二处理器(U2)生成所述自检故障信号。
[0014]在一种实施方式中，所述第一处理器(U1)和所述第二处理器(U2)被封装在同一个处理器中。
[0015]本申请另一方面提出了一种漏电保护装置，包括：漏电检测模块，用于检测主干线路上的漏电流信号，进而输出漏电故障信号；自检模块，用于周期性地生成模拟漏电流信号，当所述漏电检测模块发生故障时，所述自检模块输出自检故障信号；开关模块(RESET)，耦合在输入端与输出端之间；驱动控制模块，用于在所述漏电故障信号和/或所述自检故障信号的影响下，驱动所述开关模块以断开所述输入端与所述输出端之间的电力连接，其中，所述驱动控制模块包括：第一线圈(SOL1)；第二线圈(SOL2)，其串联耦合至所述第一线圈，其中，所述驱动控制模块配置为当检测到所述第一线圈和所述第二线圈中的一个线圈产生故障时，生成线圈故障信号，进而通过另一个线圈驱动所述开关模块以断开所述电力连接。
[0016]在一种实施方式中，还包括：第一半导体元件(Q1)，其串联耦合至所述第二线圈；第二半导体元件(Q3)，其串联耦合至所述第二线圈，并且与所述第一线圈并联耦合，其中，所述第二半导体元件的控制极用于接收所述线圈故障信号；以及第三半导体元件(Q4)，其串联耦合至所述第一线圈(SOL1)，并且与所述第二线圈(SOL2)并联，其中，所述第一半导体元件与所述第三半导体元件受控于所述漏电故障信号和/或所述自检故障信号。
[0017]在一种实施方式中，还包括：第四半导体元件(Q2)，其控制极耦合至所述第一线圈(SOL1)，第一极耦合至所述第二半导体元件(Q3)的控制极以提供所述线圈故障信号，第二极耦合至地电位。
[0018]在一种实施方式中，所述第四半导体元件(Q2)的第一极通过第一二极管(D8)和/或电阻耦合至所述第二半导体元件(Q3)的控制极。
[0019]在一种实施方式中，所述第一半导体元件(Q1)的控制极经由第一滤波电路(R10、C11)接收所述漏电故障信号和所述自检故障信号，所述第三半导体元件(Q4)的控制极经由第二滤波电路(R20、C12)接收所述漏电故障信号和所述自检故障信号，其中，所述第一滤波电路的时间特性大于所述第二滤波电路的时间特性。
[0020]在一种实施方式中，所述漏电检测模块包括漏电检测线圈(CT1)和第一处理器(U1)，其中，所述第一处理器(U1)基于由所述漏电检测线圈(CT1)检测到的漏电流信号生成所述漏电故障本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种漏电保护装置，其特征在于，包括：漏电检测模块，用于检测主干线路上的漏电流信号，进而输出漏电故障信号；自检模块，用于周期性地生成模拟漏电流信号，当所述漏电检测模块发生故障时，所述自检模块输出自检故障信号；脱扣模块，其包括：开关(RESET)，耦合在输入端与输出端之间；第一线圈(SOL1)，用于驱动所述开关以控制所述输入端与所述输出端之间的电力连接；驱动模块，用于在所述漏电故障信号和/或所述自检故障信号的影响下，驱动所述脱扣模块以断开所述电力连接；脱扣检测模块，配置为当检测到所述第一线圈产生断路时，生成线圈故障信号，以使得所述开关断开所述电力连接。2.如权利要求1所述的漏电保护装置，其特征在于，所述脱扣检测模块包括：第二线圈(SOL2)；第一半导体元件(Q3)，其第一极耦合至所述主干线路，第二极耦合至所述第二线圈，控制极用于接收所述线圈故障信号，其中，所述第一半导体元件(Q3)响应于所述线圈故障信号以使得所述第二线圈驱动所述开关以断开所述电力连接。3.如权利要求2所述的漏电保护装置，其特征在于，所述脱扣检测模块包括：第二半导体元件(Q2)，其控制极耦合至所述第一线圈，第一极耦合至所述第一半导体元件(Q3)的控制极以提供所述线圈故障信号，第二极耦合至地电位。4.如权利要求3所述的漏电保护装置，其特征在于，所述第二半导体元件(Q2)的第一极通过第一二极管(D8)和/或第一电阻耦合至所述第一半导体元件(Q3)的控制极。5.如权利要求3所述的漏电保护装置，其特征在于，所述驱动模块还包括：第三半导体元件(Q1)，其第一级耦合至所述第一线圈，第二极耦合到地电位，控制极用于接收于所述漏电故障信号和/或所述自检故障信号。6.如权利要求5所述的漏电保护装置，其特征在于，所述脱扣检测模块还包括：第四半导体元件(Q4)，其第一极耦合至所述第二线圈，第二极耦合至地电位，控制极耦合至所述第二半导体元件(Q2)的第一极以接收所述线圈故障信号，其中，所述第一线圈与所述第二线圈串联耦合，并且所述第一半导体元件(Q3)与所述第一线圈并联耦合。7.如权利要求6所述的漏电保护装置，其特征在于，所述第三半导体元件(Q1)的控制极经由第一滤波电路(R10、C11)接收所述漏电故障信号，并且通过第二滤波电路(R20、C12)耦合到所述第四半导体元件(Q4)的控制极，所述第四半导体元件(Q4)的控制极还经由所述第二滤波电路接收所述自检故障信号和所述漏电故障信号，其中，所述第一滤波电路的时间特性大于所述第二滤波电路的时间特性。8.如权利要求5所述的漏电保护装置，其特征在于，所述第三半导体元件(Q1)的控制极通过第三二极管(D4)和/或第三电阻耦合到所述第四半导体元件(Q4)的控制极。
9.如权利要求6所述的漏电保护装置，其特征在于，所述第一至第四半导体元件中的任意一个选自于以下项：可控硅、双极型晶体管、场效应晶体管、光电耦合元件以及继电器。10.如权利要求1所述的漏电保护装置，其特征在于，所述漏电检测模块包括漏电检测线圈(CT1)和第一处理器(U1)，其中，所述第一处理器(U1)基于由所述漏电检测线圈(CT1)检测到的漏电流信号生成所述漏电故障信号；所述自检模块包括第二处理器(U2)以周期性地生成所述模拟漏电流信号，并且当所述漏电检测模块发生故障时，所述第二处理器(U2)生成所述自检故障信号。11.如权利要求10所述的漏电保护装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成力，陈龙，聂胜云，
申请(专利权)人：苏州益而益电器制造有限公司，
类型：发明
国别省市：