低压电解电容器阳极用铝轧制材料及其制造方法技术

本发明专利技术的目的是提供一种能够增大静电容量的低压电解电容器阳极用铝轧制材料。低压电解电容器阳极用铝轧制材料，铝纯度为99.9％以上，含有Fe：5～50ppm、Si：5～50ppm、Cu：11～19ppm，满足11≤C

【技术实现步骤摘要】
低压电解电容器阳极用铝轧制材料及其制造方法


[0001]本专利技术涉及低压电解电容器阳极用铝轧制材料及其制造方法。

技术介绍

[0002]一般作为铝电解电容器用阳极材料使用的铝轧制材料，为了扩大其有效面积、增大单位面积的静电容量，通常实施电化学或化学蚀刻处理。
[0003]但是，仅通过对箔进行蚀刻处理无法得到充分的静电容量。特别是在低压用电容器用途中，需要微细的蚀坑，主要通过交流蚀刻形成海绵状的蚀坑。该蚀刻处理时，如果发生铝轧制材料的过度溶解，则所形成的微细的蚀坑会被破坏，无法达成有效的表面积扩大，因此从铝材料方面进行控制是非常重要的。
[0004]对于这样的用途，例如专利文献1中公开了铝的纯度为99.99％以上，含有Si、Fe、Cu、Mg、Ga、Mn、Ce，此外还限制B、Ti、Zr、V的含量的连续铸造轧制的制造方法，专利文献2中公开了铝的纯度为99.98％以上，含有Si、Fe、Cu、Mn、Cr、Mg、Zn、Ga、Ti，还含有V、Zr、B中的一种以上，含有Pb、Bi、Sn中的一种以上的合金箔。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献1：CN 101789314B
[0007]专利文献2：CN 104616897B

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的课题
[0009]但是，添加了上述微量元素的铝轧制材料，并没有充分满足如今电解电容器的高静电容量化的需求。
[0010]本申请专利技术鉴于该
技术介绍
，目的是提供能够增大静电容量的电解电容器阳极用铝轧制材料及其制造方法。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]为解决上述课题，本申请专利技术人认真研究的结果，发现通过在铝轧制材料组成中使含有Fe、Si、Cu、Mn、Mg、Cr、Zn、Ga、Ti的合金中与Cu存在一定关系地共存Ag，能够增大由蚀刻实现的面积扩大率，并且通过各种微量元素的添加，能够协同发挥作用从而得到高静电容量的铝轧制材料。即、本申请专利技术如下所述。
[0013](1)一种低压电解电容器阳极用铝轧制材料，其特征在于，铝纯度为99.9％以上，含有Fe：5～50ppm、Si：5～50ppm、Cu：11～19ppm，满足11≤C
Cu
+5C
Ag
≤19ppm(其中C
Cu
表示Cu含量，C
Ag
表示Ag含量)的关系，并且含有Mn：0.5～10ppm、Cr：0.5～20ppm、Mg：0.2～10ppm、Zn：0.5～20ppm、Ga：0.5～40ppm、Ti：0.2～5ppm。
[0014](2)根据上述(1)记载的低压电解电容器阳极用铝轧制材料，其特征在于，含有选自V：0.2～5ppm、Zr：0.2～5ppm、B：0.5～20ppm中的一种以上。
[0015](3)根据上述(2)记载的低压电解电容器阳极用铝轧制材料，其特征在于，含有选
自Pb：0.2～3ppm、Bi：0.2～3ppm、Sn：0.2～10ppm中的一种以上。
[0016](4)根据上述(3)记载的低压电解电容器阳极用铝轧制材料，其特征在于，含有Ag：0.2～5ppm以上和P：0.2～10ppm中的至少一者。
[0017](5)一种低压电解电容器阳极用铝轧制材料的制造方法，其特征在于，包括下述工序：对于具有上述(1)～(4)的任一项记载的组成的铝合金锭，在后续实施的面切削之前或之后，以500℃以上且620℃以下的温度、1小时以上且40小时以下的时间实施均质化处理，在以该状态冷却后、或进行再加热以450℃以上且560℃以下的温度保持5分钟以上且20小时以下后，开始热轧，通过多个轧制道次实施压下率为95％以上且99.5％以下的热轧后，继续实施冷轧。
[0018](6)根据上述(5)记载的低压电解电容器阳极用铝轧制材料的制造方法，其特征在于，包括下述工序：在冷轧后，以120℃以上且200℃以下或300℃以上且450℃以下，实施1小时以上且30小时以下的最终退火。
[0019](7)根据上述(5)或(6)记载的低压电解电容器阳极用铝轧制材料的制造方法，其特征在于，包括下述工序：在冷轧的过程中实施至少一次温度为120℃以上且200℃以下、1小时以上且20小时以下的中间退火。
[0020]专利技术的效果
[0021]本专利技术涉及的电解电容器阳极用铝合金箔，能够通过形成微细的蚀坑而提高蚀坑的密度，并且使其均匀分散，通过蚀刻处理得到非常大的面积扩大率。因此，能够提供具有大的静电容量且电特性优异的电解电容器阳极用铝轧制材料。
具体实施方式
[0022]本申请专利技术的电解电容器阳极用铝轧制材料，其特征在于，铝纯度为99.9％以上，含有Fe：5～50ppm、Si：5～50ppm、Cu：11～19ppm，满足11≤C
Cu
+5C
Ag
≤19ppm(其中C
Cu
表示Cu含量，C
Ag
表示Ag含量)的关系，并且含有Mn：0.5～10ppm、Cr：0.5～20ppm、Mg：0.2～10ppm、Zn：0.5～20ppm、Ga：0.5～40ppm、Ti：0.2～5ppm。
[0023]以下，对本申请专利技术进行详细说明。
[0024]本专利技术涉及的铝合金箔，用于形成能够增大静电容量的电解电容器阳极用铝轧制材料。
[0025](铝纯度)
[0026]本专利技术涉及的电解电容器阳极用铝轧制材料，铝纯度需要为99.9％以上，这是由于如果纯度小于99.9％，在蚀刻时会由于许多杂质的存在而引起过度溶解，导致所形成的微细的蚀坑被破坏，无法形成由本专利技术范围的微量元素的存在而实现的均匀的海绵状的蚀坑，因此无法得到静电容量高的铝轧制材料。优选将铝纯度设为99.98％以上。
[0027]箔组成中所含的微量元素Fe、Si、Cu、Mn、Mg、Cr、Zn、Ga、Ti、Ag，如下所述分别有助于箔的蚀刻特性的提高，并且通过还含有选自V：0.2～10ppm、Zr：0.2～10ppm、B：0.5～20ppm中的一种以上，含有选自Pb：0.2～5ppm、Bi：0.2～5ppm、Sn：0.2～10ppm中的一种以上，能够得到与它们各自的作用相对应的协同效果。
[0028](Fe、Si含量)
[0029]Fe、Si在Al基质中容易形成与Al的化合物，通过控制这些元素的分散状态，能够使
蚀坑分布均匀。但是，如果含量过多，则会成为蚀刻时的过度溶解的原因，导致静电容量降低。因此，Fe含量需要为5～50ppm，优选下限值为20ppm，优选上限值为40ppm。另外，Si含量需要为5～50ppm，优选下限值为30ppm，优选上限值为45ppm。
[0030](Cu含量)
[0031]Cu通过固溶于Al基质中，能够增加箔的溶解性，促进蚀坑的生长，形成微细的蚀坑，使静电容量增大。Cu含量如果小于11ppm则上述效果差，并且在后述的中间退火或最终退本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压电解电容器阳极用铝轧制材料，其特征在于，铝纯度为99.9％以上，含有Fe：5～50ppm、Si：5～50ppm、Cu：11～19ppm，满足11≤C
Cu
+5C
Ag
≤19ppm的关系，其中C
Cu
表示Cu含量，C
Ag
表示Ag含量，并且含有Mn：0.5～10ppm、Cr：0.5～20ppm、Mg：0.2～10ppm、Zn：0.5～20ppm、Ga：0.5～40ppm、Ti：0.2～5ppm。2.根据权利要求1所述的低压电解电容器阳极用铝轧制材料，其特征在于，含有选自V：0.2～5ppm、Zr：0.2～5ppm、B：0.5～20ppm中的一种以上。3.根据权利要求2所述的低压电解电容器阳极用铝轧制材料，其特征在于，含有选自Pb：0.2～3ppm、Bi：0.2～3ppm、Sn：0.2～10ppm中的一种以上。4.根据权利要求3所述的低压电解电容器阳极用铝轧制材料，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：宗宫和久，山之井智明，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：