过电流保护电路及开关电路制造技术

过电流保护电路用于根据控制电压来控制接通断开的开关元件，该过电流保护电路具备：第一晶体管，为PNP型双极型晶体管，且具有与控制电压连接的发射极；和第二晶体管，为NPN型双极型晶体管，且具有与第一晶体管的集电极连接的基极、与第一晶体管的基极连接且被上拉到规定的上拉电压的集电极、及接地的发射极，在过电流保护电路中，当控制电压超过规定的第一阈值电压时，第一晶体管及第二晶体管被接通，通过上拉电压的下降而使所述控制电压下降，而开始将半导体开关断开的保护动作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】过电流保护电路及开关电路
本专利技术涉及一种过电流保护电路及开关电路。在此，开关电路是指例如升压斩波电路、半桥逆变电路、全桥逆变电路等开关电路。
技术介绍
半导体器件一般具有短路容量，当超过短路容量的电流流过时，有可能造成破坏。通过高速地检测到由于短路而在半导体器件中流过的过电流，并且使流过半导体器件的电流停止，从而能进行半导体器件的过电流保护。例如，专利文献1提供一种电力转换装置的过电流保护装置，无论在直流电压较高的情况、较低的情况、恒定的情况下，其均能在任意的定时下改变集电极短路检测的检测电压的设定电平，从而能可靠地保护电压驱动元件免受过电流的影响。专利文献1所涉及的过电流保护装置具备：电力转换装置，具有电压驱动型的电力用开关元件；过电流检测部，对上述电力用开关元件的输入侧主端子的电压进行检测，并在上述电压超过规定值时，向上述电力用开关元件提供断开信号；过电流设定部，能够在任意的定时下与上述过电流检测部连接为并联关系，并能改变上述规定值。GaN器件为使用了氮化镓GaN的半导体器件，其与绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过电流保护电路，用于开关元件，所述开关元件根据控制电压来控制接通和断开，所述过电流保护电路具备：/n第一晶体管，是PNP型双极型晶体管，且具有与所述控制电压连接的发射极；以及/n第二晶体管，是NPN型双极型晶体管，且具有：与所述第一晶体管的集电极连接的基极、与所述第一晶体管的基极连接且被上拉到规定的上拉电压的集电极、及接地的发射极，/n在所述过电流保护电路中，当所述控制电压超过规定的第一阈值电压时，所述第一晶体管及第二晶体管被接通，通过所述上拉电压的下降而使所述控制电压下降，而开始将所述开关元件断开的保护动作。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190201 JP 2019-0173321.一种过电流保护电路，用于开关元件，所述开关元件根据控制电压来控制接通和断开，所述过电流保护电路具备：
第一晶体管，是PNP型双极型晶体管，且具有与所述控制电压连接的发射极；以及
第二晶体管，是NPN型双极型晶体管，且具有：与所述第一晶体管的集电极连接的基极、与所述第一晶体管的基极连接且被上拉到规定的上拉电压的集电极、及接地的发射极，
在所述过电流保护电路中，当所述控制电压超过规定的第一阈值电压时，所述第一晶体管及第二晶体管被接通，通过所述上拉电压的下降而使所述控制电压下降，而开始将所述开关元件断开的保护动作。


2.根据权利要求1所述的过电流保护电路，其中，
还具备第一电容器，所述第一电容器与所述第二晶体管的集电极和发射极连接，且用于减轻当所述控制电压的上升时的所述上拉电压的变化。


3.根据权利要求1或2所述的过电...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲田宏宪，岩井聪，野坂纪元，
申请(专利权)人：欧姆龙株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP