基板处理方法及基板处理装置制造方法及图纸

在本发明专利技术的基板处理方法中，对具有包含凹部(92)的图案(PT)的基板(W)进行处理。基板处理方法包括处理步骤(S1)、去除步骤(S2)、及蚀刻步骤(S3)。在处理步骤(S1)中，利用处理液处理基板(W)。在处理步骤(S1)之后，在去除步骤(S2)中，将进入凹部(92)的处理液自基板(W)去除。在去除步骤(S2)之后，在蚀刻步骤(S3)中，利用蚀刻液对基板(W)进行蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法及基板处理装置
本专利技术关于基板处理方法及基板处理装置。
技术介绍
专利文献1所记载的基板处理装置具备湿式处理单元。湿式处理单元执行湿式蚀刻处理。具体而言，湿式蚀刻处理包含晶圆搬入步骤、旋转开始步骤、自然氧化膜去除步骤、第一冲洗步骤、牺牲膜预蚀刻步骤、第二冲洗步骤、干燥步骤、及晶圆搬出步骤。执行晶圆搬入步骤及旋转开始步骤后，在自然氧化膜去除步骤中，向晶圆的表面供给DHF(稀氢氟酸)，将自然氧化膜从晶圆去除。而且，在第一冲洗步骤中，向晶圆的表面供给冲洗液，冲洗自然氧化膜的残留物。进而，在牺牲膜预蚀刻步骤中，向晶圆的表面供给蚀刻液，将牺牲膜的一部分从晶圆去除。具体而言，在晶圆的表面形成有包含凹部的图案。而且，在牺牲膜预蚀刻步骤中，使蚀刻液进入至凹部，去除形成在图案与硅基板之间的牺牲膜的一部分。然后，执行第二冲洗步骤、干燥步骤、及晶圆搬出步骤。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-88619号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在专利文献1所记载的基板处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，对具有包含凹部的图案的基板进行处理，其中，包括：/n处理步骤，利用处理液处理上述基板；/n去除步骤，在上述处理步骤之后，将进入上述凹部的上述处理液自上述基板去除；及/n蚀刻步骤，在上述去除步骤之后，利用蚀刻液对上述基板进行蚀刻。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180827 JP 2018-1581041.一种基板处理方法，对具有包含凹部的图案的基板进行处理，其中，包括：
处理步骤，利用处理液处理上述基板；
去除步骤，在上述处理步骤之后，将进入上述凹部的上述处理液自上述基板去除；及
蚀刻步骤，在上述去除步骤之后，利用蚀刻液对上述基板进行蚀刻。


2.如权利要求1所记载的基板处理方法，其中，
在上述去除步骤中，干燥上述基板，从而去除进入至上述凹部的上述处理液。


3.如权利要求1或2所记载的基板处理方法，其中，
上述处理步骤包括：
药液步骤，利用药液处理上述基板；及
冲洗步骤，通过作为上述处理液的冲洗液将上述药液自上述基板冲走。


4.如权利要求3所记载的基板处理方法，其中，
在上述药液步骤中，通过上述药液去除形成在上述基板的自然氧化膜。


5.如权利要求1至4中任一项所记载的基板处理方法，其中，
上述处理步骤、上述去除步骤及上述蚀刻步骤是在具备多个槽的基板处理装置的内部执行的一连串的步骤，而无需将上述基板取出至上述基板处理装置的外部。


6.如权利要求5所记载的基板处...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口侑二，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP