半导体制造方法及半导体制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种准确对电极进行退火的半导体制造方法，其具备如下工序：金属薄膜蒸镀工序，在p型GaN基板(11)上蒸镀金属薄膜(161)；及激光照射工序，对已蒸镀的金属薄膜(161)照射激光。通过向金属薄膜(161)照射激光从而避免照射到p型GaN基板(11)上的其他部分，能够抑制该其他部分被加热升温，能够主要对金属薄膜(161)进行退火。因此，能够实现电极的退火的准确化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体制造方法及半导体制造装置
本专利技术涉及一种半导体制造方法及半导体制造装置。
技术介绍
以AlN、AlGaN、GaN、InGaN、InN为代表的氮化物半导体的带隙比硅宽，因此，正在推进对即使在高温环境下也能够动作的高频、高输出晶体管等的适用。由此，可期待设备的大幅度的小型化和高效率化。这种宽频带的带隙半导体在其制造工序中为了形成欧姆电极通过退火装置(RTA)以规定的温度对整个基板进行退火，从而实现欧姆特性的提高(例如，参考专利文献1)。以往技术文献专利文献专利文献1：日本特开平10-135515号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题然而，以往在退火装置的腔室内对整个基板进行加热，因此加热的影响还波及到欧姆电极以外的部分，会产生无法有效利用宽带隙半导体所具有的电特性的问题，例如，热影响引起高电阻化等使得半导体的特性受损等。本专利技术的目的在于通过对局部进行激光退火来有效地进行欧姆电极的形成。用于解决技术课题的手段本专利技术所涉及的半导体制造方法具备如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制造方法，其具备如下工序：/n金属薄膜蒸镀工序，在掺杂有施主或者受主的氮化物半导体上蒸镀金属薄膜；及/n激光照射工序，对已蒸镀的所述金属薄膜照射激光。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180907 JP 2018-1682291.一种半导体制造方法，其具备如下工序：
金属薄膜蒸镀工序，在掺杂有施主或者受主的氮化物半导体上蒸镀金属薄膜；及
激光照射工序，对已蒸镀的所述金属薄膜照射激光。


2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中，
在所述激光照射工序之后具备在所述金属薄膜上蒸镀Au的Au蒸镀工序。


3.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其中，
所述激光为脉冲激光，脉冲宽度为1ns以上且小于1000ns。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体制造方法，其中，
所述激光的照射能量设为所述金属薄膜不会熔融且所述金属薄膜与所述氮化物半导体之间的界面温度成为800℃以下。


5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：川崎辉尚，青柳克信，黒濑范子，
申请(专利权)人：住友重机械工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP