具有指数加权修整的电阻器制造技术

本发明专利技术公开一种电子设备(100)，例如可修整电阻器，其包括具有逐渐增大的电阻值的多个熔断电阻器。可选地，这些电阻值形成指数级数。每个熔断电阻器包括形成在半导体衬底中的一个或多个掺杂电阻区(410)，这些掺杂电阻区可选地是热敏电阻器。每个熔断电阻器的第一端子连接到多个可熔链路(135)中的相应可熔链路的第一端子。第一互连总线(125)和第二互连总线(130)位于衬底上方，其中第一互连总线连接到每个熔断电阻器的第二端子，并且第二互连总线连接到每个可熔链路的第二端子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有指数加权修整的电阻器
本申请涉及半导体设备领域，并且更具体地但非排他地涉及具有修整能力的电阻器。
技术介绍
精密电阻器在各种电子设备和组合件中起着重要作用。此类电阻器可以经济地形成在半导体衬底或晶片上，但由于诸如整个晶片上的工艺不均匀性等因素，以这种方式形成的此类电阻器可能具有相对较大的电阻值分布。这种分布可能需要按电阻值对电阻器进行分类以在敏感应用中提供已知精度的电阻器。在一些情况下，可能会报废与目标电阻有较大偏差的电阻器。
技术实现思路
专利技术人公开了可有益地用于制造包括可调电阻器(例如，可编程热敏电阻器网络)的集成电路(IC)的各种方法和设备。尽管可能期望此类实施例提供实现可调电阻器群体中的目标电阻的改善，但不需要特别的结果。本说明书介绍一种电子设备，例如可修整电阻器。该设备包括多个熔断电阻器，每个熔断电阻器包括在半导体衬底中形成的一个或多个掺杂电阻区。掺杂电阻区可以是热敏电阻器。每个熔断电阻器还包括多个可熔链路中的相应可熔链路。每个熔断电阻器的第一端子连接到相应可熔链路的第一端子。第一互连总线和第二互连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备，包括：/n半导体衬底；/n多个熔断电阻器，所述多个熔断电阻器具有形成指数级数的电阻值，每个熔断电阻器包括在所述衬底中形成的一个或多个掺杂电阻区，每个所述熔断电阻器的第一端子连接到多个可熔链路中的相应可熔链路的第一端子；以及/n第一互连总线和第二互连总线，所述第一互连总线和第二互连总线位于所述衬底上方，所述第一互连总线连接到每个所述熔断电阻器的第二端子，并且所述第二互连总线连接到每个所述可熔链路的第二端子。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180831 US 62/725,724;20180831 US 62/725,980;20191.一种电子设备，包括：
半导体衬底；
多个熔断电阻器，所述多个熔断电阻器具有形成指数级数的电阻值，每个熔断电阻器包括在所述衬底中形成的一个或多个掺杂电阻区，每个所述熔断电阻器的第一端子连接到多个可熔链路中的相应可熔链路的第一端子；以及
第一互连总线和第二互连总线，所述第一互连总线和第二互连总线位于所述衬底上方，所述第一互连总线连接到每个所述熔断电阻器的第二端子，并且所述第二互连总线连接到每个所述可熔链路的第二端子。


2.根据权利要求1所述的电子设备，其中每个熔断电阻器的电阻值约为所述多个熔断电阻器中的另一个熔断电阻器的电阻的两倍，或者其电阻值约为所述多个熔断电阻器中的另一个熔断电阻器的电阻的一半。


3.根据权利要求1所述的电子设备，还包括旁路电阻器，所述旁路电阻器具有连接到所述第一互连总线的第一端子和连接到所述第二互连总线的第二端子。


4.根据权利要求1所述的电子设备，还包括串联电阻器，所述串联电阻器具有连接到所述第一互连总线的第一端子和连接到连接节点的第二端子。


5.根据权利要求4所述的电子设备，其中所述连接节点是第一连接节点，并且还包括连接到所述第二互连总线的第二连接节点。


6.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述多个熔断电阻器中的每一个包括单位电阻器的一个或多个实例。


7.根据权利要求6所述的电子设备，其中第一熔断电阻器包括串联连接的N个单位电阻器，并且第二熔断电阻器包括并联连接的N个单位电阻器。


8.根据权利要求7所述的电子设备，其中第三熔断电阻器包括不超过一个单位电阻器。


9.根据权利要求6所述的电子设备，还包括旁路电阻器，所述旁路电阻器具有并联连接的多个单位电阻器，所述旁路电阻器的第一端子连接到所述第一互连总线，并且所述旁路电阻器的第二端子连接到所述第二互连总线和连接节点。


10.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述指数级数包括所述熔断电阻器的以二的整数次幂增加的电阻值。


11.一种形成集成电路的方法，包括：
在半导体衬底中形成多个单位电阻器；
串联连接所述单位电阻器的第一子集N，由此形成第一复合电阻器；
并联连接所述单位电阻器的第二子集N，由此形成第二复合电阻器；
将所述第一复合电阻器的第一端子和所述第二复合电阻器的第一端子连接到第一连接总线；以及
将所述第一复合电阻器的第二端子和所述第二复合电阻器的第二端子连接到第二连接总线。


12.根据权利要求11所述的方法，还包括将第一可熔链路定位在所述第二互连总线和所述第一复合电阻器之间，以及将第二可熔链路定位在所述第二互连总线和所述第二复合电阻器之间。


13.根据权利要求12所述的方法，还包括将单个单位电阻器的第一端子连接到所述第一互连总线，以及经由第三可熔链路将所述单个单位电阻器的第二端子连接到所述第二互连总线。


14.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·E·哈瑞尔，K·E·桑伯恩，W·李，E·L·马佐蒂，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US