【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有减少的重力引起的误差的用于测量光掩模平坦度的系统和方法本申请要求于2018年8月2日提交的美国临时申请序列号62/713,831的优先权的权益,依据该申请的内容并且该申请的内容通过引用整体并入本文。
本专利技术涉及在光学光刻中使用的光掩模,并且具体地涉及一种测量光掩模平坦度的方法,该方法具有减少的重力引起的误差。
技术介绍
光学光刻是一种用于制造微电子器件的工艺,用于将图像从光掩模(掩模版,reticle)上的主图案转移到具有光敏涂层的半导体晶片上。一旦光敏涂层被暴露,则衬底被加工以将图案永久性地蚀刻到晶片中或利用新材料替换暴露的图案。重复该工艺多次直到完成最终的微电子器件。EUV(极紫外)光学光刻技术是下一代的图案化工艺,该工艺利用EUV波长(10nm–70nm;例如,13.5nm),以通过创建具有比利用更长波长的工艺可能的线条和空间更小的线条和空间的图案,来实现高速器件的制造。这需要光掩模的图案化表面的平坦度从理想平面偏离小于30nm。该平坦度需求导致在掩膜版的制造过程期间使用平坦度干涉仪来监测和控制光掩模平坦度。为了实现良好的过程控制,这些干涉仪需要以高精度和高可重复性测量光掩模平坦度。在EUV光学光刻中,光掩模被静电地夹紧在平坦卡盘上,并且EUV光从图案化侧反射并使用全反射EUV光学系统成像到衬底上。该成像过程对图案化表面的平坦度误差非常敏感,其中图案化表面与理想平面的偏差导致衬底上的图像放置误差。此外,夹紧过程将平坦度误差从光掩模的背侧转移到图案化的前侧。这使得平坦度干涉 ...
【技术保护点】
1.一种以干涉方式测量支撑在支撑位置处的光掩模的平坦度的方法,包括:/n在第一测量位置处和第二测量位置处记录所述光掩模的表面的相应的第一干涉图和第二干涉图,并在所述支撑位置处分别测量相应的第一法向力F
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180802 US 62/713,8311.一种以干涉方式测量支撑在支撑位置处的光掩模的平坦度的方法,包括:
在第一测量位置处和第二测量位置处记录所述光掩模的表面的相应的第一干涉图和第二干涉图,并在所述支撑位置处分别测量相应的第一法向力F1和第二法向力F2,其中所述第一测量位置和所述第二测量位置定义法向力上的差ΔF=F2–F1;
将差图定义为所述第一干涉图和所述第二干涉图之间的差;以及
使用所述法向力上的所述差ΔF和所述第一测量位置处的所述法向力F1来定义缩放因子S,并将所述缩放因子S应用于所述差图来定义经缩放的差图。
2.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
通过从所述第一干涉图中减去所述经缩放的差图来定义经补偿平坦度。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述光掩模包括极紫外(EUV)光掩模。
4.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于,所述光掩模是图案化光掩模。
5.如权利要求1-4中任一项所述的方法,其特征在于,使用斐索干涉仪来执行所述第一干涉图和所述第二干涉图的记录。
6.如权利要求5所述的方法,进一步包括在定义所述第一测量位置和所述第二测量位置的第一测量角度θ1和第二测量角度θ2之间调整所述斐索干涉仪。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一测量角度θ1和所述第二测量角度θ2在1°和5°之间。
8.如权利要求1-7中任一项所述的方法,其特征在于,所述光掩模由可调整支撑装置来支撑,所述可调整支撑装置包括被配置为为所述光掩模提供三个支撑位置的三个支撑构件。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述可调整支撑装置被配置为将所述光掩模放置在支架配置中。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,在所述支架配置中执行所述第一干涉图和所述第二干涉图的所述记录。
11.如权利要求1-10中任一项所述的方法,进一步包括:
在所述第一测量位置处记录第一多个干涉图,并组合所述第一多个干涉图以形成所述第一干涉图;以及
在所述第二测量位置处记录第二多个干涉图,并组合所述第二多个干涉图以形成所述第二干涉图。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述第一多个干涉图包括12至60个之间的干涉图,并且所述第二多个干涉图包括12至60个之间的干涉图。
13.如权利要求1-12中任一项所述的方法,进一步包括基于所述经缩放的差图,对所述光掩模进行分类。
14.一种以干涉方式测量光掩模的平坦度的方法,包括:
在第一测量角度θ1处和第二测量角度θ2处记录由可调整支撑装置支撑的所述光掩模的表面的相应的第一干涉图IF1和第二干涉图IF2,其中θ2>θ1并且其中θ1和θ2各自在垂直方向的11.46°之内;
在所述第一测量角度θ1处和所述第二测量角度θ2处测量所述可调整支撑装置上的所述光掩模的相应的第一法向力F1和第二法向力F2,其中力差ΔF=F2–F1;
将差图DM=IF2–IF1定义为所述第二干涉图IF2和所述第一干涉图IF1之间的差;
定义第一经缩放的差图DM1=(F1/ΔF)·DM或第二经缩放的差图DM2=(F2/ΔF)·DM;以及
通过以下任一种方式来定义经补偿平坦度测量值CFM:
i)从所述第一干涉图中减去所述第一差图(CFM=IF1–DM1);或者
ii)从所述第二干涉图中减去所述第二差图(CFM=IF2–DM2)。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述光掩模包括极紫外(EUV)光掩模。
16.如权利要求14或15所述的方法,其特征在于,所述光掩模是图案化光掩模。
17.如权利要求14-16中任一项所述的方法,其特征在于,使用斐索干涉仪来执行所述第一干涉图和所述第二干涉图的记录。
18.如权利要求17所述的方法,其特征在于,所述斐索干涉仪是可调整的以定义所述第一测量角度θ1和所述第二测量角度θ2。
19.如权利要求14-18中任一项所述的方法,进一步包括将所述光掩模支撑在包括两个基座支撑构件和顶部支撑构件的支撑装置上,其中所述顶部支撑构件可操作地连接到力传感器,并且使用所述力传感器来定义所述第一法向力F1和所述第二法向力F2。
20.如权利要求19所述的方法,其特征在于,所述光掩模具有背面,并且其中所述可调整支撑装置包括被配置为为所述光掩模提供三个支撑位置的三个支撑构件。
21.如权利要求14-20中任一项所述的方法,其特征在于,所述可调整支撑装置被配置为将所述光掩模...
【专利技术属性】
技术研发人员:T·J·邓恩,J·W·弗兰克维奇,R·D·格雷伊达,C·A·李,M·R·米勒奇亚,中村吉弘,
申请(专利权)人:康宁股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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