含氧族元素的有机化合物、有机半导体材料、有机半导体膜和有机电力场效应晶体管制造技术

本发明专利技术提供一种具有优异的载流子迁移率的新型的含氧族元素的有机半导体化合物。其为由下式(1a)或式(1b)表示的化合物，[化学式1]

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含氧族元素的有机化合物、有机半导体材料、有机半导体膜和有机电力场效应晶体管
本专利技术涉及含氧族元素的有机化合物。本专利技术还涉及有机半导体材料、有机半导体膜和有机电力场效应晶体管。
技术介绍
有机半导体的电性能一直比诸如硅的无机半导体的电性能差，但是近来，具有优异电性能的材料正在被开发，并且关于晶体状态和载流子迁移率的研究也有所进展。有机半导体的涂覆技术与常规用于无机半导体的真空技术相比具有成本低，环境负荷低和可用于大面积化使用的优点。此外，由于可以在近于室温的条件下制造，因此也可以通过用于塑料基板的印刷技术进行成膜。因此，有机半导体有希望成为硅半导体后的新一代半导体应用于下一代电子设备。作为半导体膜的特征，无论对于无机半导体膜还是有机半导体膜，提高载流子迁移率一直是重要的课题，作为有机半导体，在经过大量的开发和研究之后，人们发现并五苯、并四苯等多并苯化合物是具有高迁移率的有机半导体。然而，多并苯化合物是一种难以在工业上使用的材料群，因为它们通常对光和氧化不稳定。因此，为了提高化学稳定性，许多将氧族元素例如硫或硒引入并苯骨架的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.由下式(1a)或式(1b)表示的化合物，/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180831 JP 2018-1639381.由下式(1a)或式(1b)表示的化合物，
[化学式1]



在式(1a)和式(1b)中，X表示S、O或Se，R1分别独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、芳基、芳烷基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基。


2.权利要求1所述的化合物，其中R1分别独立地表示苯基烷基或烷基苯基。


3.权利要求1所述的化合物，其中R1分别独立地表示碳原子数为7～16的苯基烷基或碳原子数为7～16的烷基苯基。


4.权利要求1所述的化合物，其中R1分别独立地表示碳原子数为7～16的苯基烷基。


5.权利要求1所述的化合物，其中R1分别独立地表示碳原子数为1～14的烷基。


6.权利要求1所述的化合物，其中R1分别独立地表示卤素原子。


7.权利要求1～6中任一项所述的化合物，其在热重测定中，在氮气氛围下从常温以5℃/分钟的升温速度升温时，当热损失率...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈本敏宏，竹谷纯一，三谷真人，伊藤阳介，松室智纪，
申请(专利权)人：国立大学法人东京大学，Pi克瑞斯托株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP