一种830nm半导体激光阵列合束装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种830nm半导体激光阵列合束装置，包括830nm半导体激光阵列模块（1）、准直镜（2）、空心梯型圆台（3）和聚焦镜（4）。空心梯型圆台（3）包括圆台上底面（3‑1）、圆台外侧面（3‑2）、圆台下底面（3‑3）和圆台内侧面（3‑4）。半导体激光阵列模块（1）通过准直镜（2）垂直入射到空心梯型圆台（3）的圆台下底面（3‑3），在圆台外侧面（3‑2）和圆台内侧面（3‑4）发生全反射，经过圆台上底面（3‑1）入射到聚焦镜（4），实现提高半导体激光阵列输出光功率密度。

【技术实现步骤摘要】
一种830nm半导体激光阵列合束装置
本专利技术涉及高功率半导体激光
，特别涉及一种830nm半导体激光阵列合束装置。
技术介绍
高功率半导体激光以体积小、重量轻、电光转换高等优点，广泛应用于工业加工和军事领域。高功率半导体激光因其出光发散角大、成椭圆形高斯光束和光质量差等缺点，不能直接用于工业加工和军事领域。为了加快高功率半导体激光直接应用于工业加工和军事领域，提出了一种830nm半导体激光阵列合束装置，可有效地提高830nm半导体激光输出光功率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种830nm半导体激光阵列合束装置。一种830nm半导体激光阵列合束装置，包括830nm半导体激光阵列模块（1）、准直镜（2）、空心梯型圆台（3）和聚焦镜（4）。空心梯型圆台（3）包括圆台上底面（3-1）、圆台外侧面（3-2）、圆台下底面（3-3）和圆台内侧面（3-4）。其特征在于：830nm半导体激光阵列模块（1）每个阵列输出波长为830nm，输出功率高于50W。准直镜（2）前后表面镀有186nmT本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种830nm半导体激光阵列合束装置，其特征在于，包括830nm半导体激光阵列模块（1）、准直镜（2）、空心梯型圆台（3）和聚焦镜（4）；准直镜（2）前后表面镀有186nm TiO

【技术特征摘要】
1.一种830nm半导体激光阵列合束装置，其特征在于，包括830nm半导体激光阵列模块（1）、准直镜（2）、空心梯型圆台（3）和聚焦镜（4）；准直镜（2）前后表面镀有186nmTiO2/99nmSiO2/160nmTiO2/97nmSiO2的光学膜；空心梯型圆台（3）包括圆台上底面（3-1）、圆台外侧面（3-2）、圆台下底面（3-3）和圆台内侧面（3-...

【专利技术属性】
技术研发人员：李再金，杨云帆，袁毅，杨隆杰，赵志斌，陈浩，李林，乔忠良，曾丽娜，曲轶，
申请(专利权)人：海南师范大学，
类型：发明
国别省市：海南;46