【技术实现步骤摘要】
一种多层像素补偿电路
本技术涉及像素补偿电路领域，尤其涉及一种多层像素补偿电路。
技术介绍
当今，随着科技水平的不断提升，人们对显示器画面的要求也在提高，即对高解析度的需求增大，例如VR，AR，MR等显示器的解析度高达2000PPI以上。对于OLED面板来说，面内2T1CPixel电路会受到Vth漂移的影响导致面板发光亮度不均匀，需要补偿电路提升面板显示效果，而为了达到更好地补偿效果，补偿电路会有多个TFT，可能会有4T，5T，6T…，这样TFT过多会使Pixel所占面积增大，进而导致面板容纳的Pixel数量减少，即解析度变低，无法满足高解析度的要求。如今对面板的显示品质需求水平越来越高，提高显示器的解析度尤为重要。我们知道对于OLED面板来说，由于制程和老化的影响，如产生Vth漂移，会对面板显示效果产生极大的影响，为了消除这一影响，OLED面板的Pixel电路通常会增加TFT做补偿电路，且通常补偿效果越好，TFT会越多，这样会导致Pixel所占面积过大，降低解析度；如将Pixel补偿电路中DrivingTFT替换成...
【技术保护点】
1.一种多层像素补偿电路，其特征在于，包括：上层补偿电路、下层补偿电路以及连接所述上层补偿电路与下层补偿电路的多条上下层连接线，上层补偿电路与基板的间距大于下层补偿电路与基板的间距；所述上层补偿电路包括：多个薄膜晶体管T1和T2，电容C1，有机发光二极管；所述下层补偿电路包括：多个薄膜晶体管T3和T4，电容C2；/n所述T3的源极与OVDD连接，漏极与T4的源极连接，所述T3的栅极与EM连接；所述T4的漏极通过一条所述上下层连接线与所述有机发光二极管的正极连接；所述有机发光二极管的负极与OVSS连接；所述C2一端与所述T3的源极连接，另一端与所述T3的漏极连接；/n所述T1...
【技术特征摘要】
1.一种多层像素补偿电路，其特征在于，包括：上层补偿电路、下层补偿电路以及连接所述上层补偿电路与下层补偿电路的多条上下层连接线，上层补偿电路与基板的间距大于下层补偿电路与基板的间距；所述上层补偿电路包括：多个薄膜晶体管T1和T2，电容C1，有机发光二极管；所述下层补偿电路包括：多个薄膜晶体管T3和T4，电容C2；
所述T3的源极与OVDD连接，漏极与T4的源极连接，所述T3的栅极与EM连接；所述T4的漏极通过一条所述上下层连接线与所述有机发光二极管的正极连接；所述有机发光二极管的负极与OVSS连接；所述C2一端与所述T3的源极连接，另一端与所述T3的漏极连接；
所述T1的源极与所述T2的源极连接，所述T2的漏极与Vdata连接，所述T1的漏极与Vref连接，所述T1的栅极与Scan1连接，所述T2的栅极与Scan2连接；所述T1的源极与所述C1的另一端连接，所述C1的另一端通过一条所述上下层连接线与所述T3的漏极连接；所述T4的栅极通过一条所述上下层连接线与所述T1的源极连接。
2.根据权利要求1所述一种多层像素补偿电路，其特征在于，所述T1和T2为氧化物薄膜晶体管，所述T3和T4为低温多晶硅薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述一种多层像素补偿电路，其特征在于，所述下层补偿电路的薄膜晶体管包括：第一栅极、第一源极、第一漏极和第一有源层；所述第一有源层设置于基板上，所述第一有源层上设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置有所述第一栅极，所述第一栅极上设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层上设置有所述第一源极和所述第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别通过一个通孔与所述第一有源层连接；
所述下层补偿电路的薄膜晶体管的一侧还设置有所述上层补偿电路的薄膜晶体管。
4.根据权利要求3所述一种多层像素补偿电路，其特征在于，所述上层补偿电路的薄膜晶体管包括：第二栅极、第二源极、第二漏极、第二有源层和第四绝缘层；所述第二有源层设置于所述第二绝缘层上，所述第二有源...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾浩，罗敬凯，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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