一种用于权连接光神经网络的随机光栅设计方法技术

技术编号:28032300 阅读:41 留言:0更新日期:2021-04-09 23:13
本发明专利技术针对基于瑞利索末菲衍射效应的全光互连神经网络特征尺寸大,不易小型化和集成化等缺陷,提出了一种基于CMOS工艺的随机衍射光栅的设计及实现方法,用于深度学习光子芯片的设计开发。该方法的目标光源为10.6μm二氧化碳激光器,单神经元尺寸为5μm X 5μm,采用红外碲镉汞光伏探测器,单芯片尺寸降至1cmX1cm(数据区为:1mmX1mm)。

【技术实现步骤摘要】
一种用于权连接光神经网络的随机光栅设计方法
本专利技术属于深度学习和微纳光学交叉领域,特别涉及一种用于权连接光神经网络的随机光栅设计方法。
技术介绍
人工智能技术是当前学术界和产业界的研究热点,作为人工智能的核心算法及技术,深度学习神经网络(DLNN,deeplearningneuralnetwork)及专用集成电路芯片(ASIC,applicationspecificintegratedcircuit)是制约人工智能技术飞速发展的关键因素之一。传统的深度学习及芯片,利用计算机的CPU、GPU或FPGA等实现多层人工神经网络,对数据进行提取和学习,已经广泛应用于医学图像分析,语音识别、翻译,图像分类等诸多方面。但是随着摩尔定律(Moore’slaw)的发展放缓,传统的基于COMS工艺的用于深度学习的ASIC芯片在其电子架构、功耗、处理速度等方面的局限越来越明显。长期以来,光互连技术一直被认为是人工神经网络结构的潜在媒介。相对于基于电子互联的传统ASIC芯片,基于光互联的光神经网络芯片因其具有类似神经元的并行处理及通信性能以及高速、低功耗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于权连接光神经网络的随机光栅设计方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:/n步骤a、制备衍射光栅;/n步骤a1、计算衍射光栅的相位梯度;步骤a2、掩膜设计:采用半导体锗材料作为基底,对所述基底进行两次次刻蚀形成掩膜版;步骤a3、利用CMOS工艺制备衍射光栅;/n步骤b、通过制备的所述衍射光栅进入全连接光神经网络进行识别。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于权连接光神经网络的随机光栅设计方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
步骤a、制备衍射光栅;
步骤a1、计算衍射光栅的相位梯度;步骤a2、掩膜设计:采用半导体锗材料作为基底,对所述基底进行两次次刻蚀形成掩膜版;步骤a3、利用CMOS工艺制备衍射光栅;
步骤b、通过制备的所述衍射光栅进入全连接光神经网络进行识别。


2.根据权利要求1所述的设计方法,其特征在于,所述衍射光栅的相位梯度由下列公式计算:






其中,式(1)表示为光学模式;式(2)表示为输出函数公式。


3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:祝连庆于明鑫辛璟焘鹿利单庄炜陈恺何巍
申请(专利权)人:北京信息科技大学
类型:发明
国别省市:北京;11

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