检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法技术

本发明专利技术公开了一种检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法。该方法包括：对氘代化合物进行Q‑Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测，并采集多张Full‑MS质谱图；基于所述多张谱图，得到同位素偏差值和仪器质量偏差值；以及同位素偏差值大于仪器质量偏差值，基于所述质谱检测，得到所述氘标记化合物同位素分布与丰度。该方法采用Q‑Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱进行检测，检测方法简单、快速、稳定、灵敏度高。

【技术实现步骤摘要】
检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法
本专利技术涉及分析化学领域，具体地，涉及检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法。
技术介绍
同位素稀释质谱法(Isotopedilutionmassspectrometry，IDMS)通过使用稳定同位素标记化合物作为内标，减小了由于复杂提取净化、基质效应等因素对结果的影响，显著提高了检测结果的准确度和精密度。同位素内标化合物作为IDMS方法的内标试剂，同位素分布值直接影响检测结果的准确性。但是传统的同位素研究者更多关注丰度值，大多数商品同位素内标试剂仅标识丰度值，不提供同位素分布的信息。常用的同位素分布与丰度检测方法有质谱法和核磁共振波谱法。测定金属元素稳定同位素组成主要用两种质谱方法，包括热电离质谱法和多接受电感耦合等离子体质谱法。13C/12C，18O/16O，2H/1H等气体同位素组成通常采用高分辨率同位素比值质谱仪。有机化合物同位素测定质谱技术包括气体同位素质谱检测技术、液相色谱-质谱联用技术和气相色谱-质谱联用技术。其中，气体同位素质谱法是传统的同位素丰度检测方法，但存在着不能检测同位素本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法，其特征在于，包括：/n对氘代化合物进行Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测，并采集多张Full-MS质谱图；/n基于所述多张谱图，得到同位素偏差值和仪器质量偏差值；以及/n同位素偏差值大于仪器质量偏差值，基于所述质谱检测，得到所述氘标记化合物同位素分布与丰度。/n

【技术特征摘要】
1.一种检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法，其特征在于，包括：
对氘代化合物进行Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测，并采集多张Full-MS质谱图；
基于所述多张谱图，得到同位素偏差值和仪器质量偏差值；以及
同位素偏差值大于仪器质量偏差值，基于所述质谱检测，得到所述氘标记化合物同位素分布与丰度。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测的检测条件为：
离子源：HESI-II离子源；
电离模式：正电离模式；
喷雾电压：3.5kV；
毛细管温度：250℃；
辅助气体加热器温度：400℃；
鞘气流速、辅助气流速和吹扫气分别为45Arb、10Arb和2Arb；
S-透镜射频电压：50V；
扫描模式：FullMS扫描模式；
分辨率：70000(FWHM)；以及
扫描范围m/z250～370Da。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述质谱检测为流动注射进样。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述流动注射进样流速为10μL/min。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多张Full-M...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秀琴，张庆合，田甜，国振，
申请(专利权)人：中国计量科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11