【技术实现步骤摘要】
一种阳极氧化法制备非金属核素平面源的装置
本专利技术属于放射监测
，涉及一种阳极氧化法制备非金属核素平面源的装置。
技术介绍
标准平面源是涉核场所表面污染监测中常用的参考源，以保障其监测结果的准确性。由于不同核素衰变方式及射线能量差异，可用于监测设备不同功能/能区的校准，因此相关标准规范中推荐了多种参考源制备用核素及其特征能量。目前对于金属核素的标准平面源已发展出电镀法等较为成熟的标准平面源制备方法，而对于非金属核素，如36Cl、14C等尚无成熟可靠的标准平面源制备设备与方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种阳极氧化法制备非金属核素平面源的装置，以能够更好的用于非金属核素平面源的制备，形成均匀、稳定的放射性平面源。为实现此目的，在基础的实施方案中，本专利技术提供一种阳极氧化法制备非金属核素平面源的装置，所述的装置包括阳极氧化处理系统、放射性核素吸附槽、氧化膜封闭槽，所述的阳极氧化处理系统包括碱洗槽、第一水洗槽、中和槽、阳极氧化槽；将制备好的铝片浸泡在所述的碱洗槽中一...
【技术保护点】
1.一种阳极氧化法制备非金属核素平面源的装置，其特征在于：所述的装置包括阳极氧化处理系统、放射性核素吸附槽、氧化膜封闭槽，/n所述的阳极氧化处理系统包括碱洗槽、第一水洗槽、中和槽、阳极氧化槽；/n将制备好的铝片浸泡在所述的碱洗槽中一定时间除去铝片表面的油污，然后在所述的第一水洗槽中清洗掉表面残余的碱液，清洗干净的铝片放入所述的中和槽浸泡一定时间中和上一步残余的酸液，得到清洗干净的平面源铝底衬；/n将清洗干净的所述的平面源铝底衬浸入预处理好的所述的阳极氧化槽中的电解液中进行阳极氧化，使所述的平面源铝底衬表面形成预定厚度的氧化膜；/n表面形成氧化膜的所述的平面源铝底衬在所述的放...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种阳极氧化法制备非金属核素平面源的装置，其特征在于：所述的装置包括阳极氧化处理系统、放射性核素吸附槽、氧化膜封闭槽，
所述的阳极氧化处理系统包括碱洗槽、第一水洗槽、中和槽、阳极氧化槽；
将制备好的铝片浸泡在所述的碱洗槽中一定时间除去铝片表面的油污，然后在所述的第一水洗槽中清洗掉表面残余的碱液，清洗干净的铝片放入所述的中和槽浸泡一定时间中和上一步残余的酸液，得到清洗干净的平面源铝底衬；
将清洗干净的所述的平面源铝底衬浸入预处理好的所述的阳极氧化槽中的电解液中进行阳极氧化，使所述的平面源铝底衬表面形成预定厚度的氧化膜；
表面形成氧化膜的所述的平面源铝底衬在所述的放射性核素吸附槽内进行放射性核素吸附；
放射性核素吸附后的所述的平面源铝底衬在所述的氧化膜封闭槽内进行封闭处理。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述的装置还包括保护膜喷涂设备，用于将所述的平面源的非活性区域进行喷涂保护。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述的阳极氧化处理系统还包括第二水洗槽，用于将得到的清洗干净的所述的平面源铝底衬冲洗备用保存。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述的阳极氧化处理系统还包括第三水洗槽，用于将表面形成氧化膜的所述的平面源铝底衬冲洗备用保存。
技术研发人员：陈克胜，夏文，徐利军，陈义珍，林敏，张卫东，罗瑞，肖振红，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11
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