加成固化型有机硅组合物、其固化物及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种给予透明性、耐热变色性、韧性优异的固化物的加成固化型有机硅组合物。所述加成固化型有机硅组合物包含下述(A)、(B)及(C)：(A)下述式(1)表示的有机硅化合物、与下述式(2)表示的直链状硅氧烷及下述式(3)表示的三维网状硅氧烷的加成反应产物，其在一分子中具有两个以上SiH基；(B)一分子中具有两个以上烯基的化合物；(C)氢化硅烷化反应催化剂。

【技术实现步骤摘要】
加成固化型有机硅组合物、其固化物及半导体装置
本专利技术涉及一种加成固化型有机硅组合物、其固化物、及使用了该固化物的半导体装置。
技术介绍
加成固化型有机硅组合物包括含有加成反应性碳碳双键的有机聚硅氧烷及具有与硅键合的氢原子的有机硅化合物，通过氢化硅烷化反应而进行固化并给予固化物。以此方式得到的固化物的耐热性、耐寒性、电绝缘性优异，而且，由于该固化物透明，因此被用于发光二极管(LED)的密封材料等各种光学用途(专利文献1、专利文献2)。然而，由有机硅构成的光学元件密封材料的气体阻隔性通常较低，因来自外部的腐蚀性气体的侵入导致银电极变色，结果，LED的亮度有时会下降。因此，提出了一种使用了含有多环式烃骨架的加成固化型有机硅组合物的光学元件密封材料(专利文献3、4)。由这样的组合物得到的密封材料具有较高的气体阻隔性，因此可防止来自外部的腐蚀性气体的侵入，可抑制银电极的变色。此外，由该组合物形成的固化物具有非常优异的韧性，由此可抑制因热冲击等外在影响导致的裂纹等。然而，这些含有多环式烃骨架的加成固化型有机硅组合物存在容易因热而变色的缺陷，因此存在尤其是无法使用于大功率的LED的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004-186168号公报专利文献2：日本特开2004-143361号公报专利文献3：日本特开2008-069210号公报专利文献4：日本特开2012-046604号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题本专利技术为了解决上述问题而完成，其目的在于提供一种给予透明性、耐热变色性、韧性优异的固化物的加成固化型有机硅组合物。解决技术问题的技术手段为了达成上述技术问题，本专利技术提供一种包含下述(A)、(B)及(C)的加成固化型有机硅组合物：(A)下述式(1)表示的有机硅化合物、与下述式(2)表示的直链状硅氧烷及下述式(3)表示的三维网状硅氧烷的加成反应产物，其在一分子中具有两个以上SiH基，式中，R1为取代或非取代的碳原子数为1～12的二价烃基，式中，R2、R4独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，R3独立地为单键或非取代的碳原子数为1～4的二价烃基；a为1～3的整数，b为0～100的整数，(R53SiO1/2)c(R52SiO2/2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f(3)式中，R5独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，其中，所有R5中的0.1～40％为烯基，且10～99.9％为芳基；X为氢原子或烷基，c为0.1～0.5的数，d为0.1～0.6的数，e为0.2～0.8的数，f为0～0.2的数，c+d+e+f＝1；(B)一分子中具有两个以上烯基的化合物；(C)氢化硅烷化反应催化剂。若为本专利技术的加成固化型有机硅组合物，则可提供一种给予透明性、耐热变色性、韧性优异的固化物的加成固化型有机硅组合物。本专利技术的加成固化型有机硅组合物中，优选：上述R1为亚苯基，R2、R4独立地为甲基或苯基，R3为单键。本专利技术的加成固化型有机硅组合物中，进一步优选：所述直链状硅氧烷包含下述式(4)表示的直链状硅氧烷。[(CH2＝CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]2[(C6H5)2SiO2/2]b(4)式中，b与所述b相同。此外，优选所述三维网状硅氧烷包含下述式(5)表示的三维网状硅氧烷。[(CH2＝CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]c[(C6H5)2SiO2/2]d[SiO4/2]e(5)式中，c、d、e与所述c、d、e相同，c+d+e＝1。进一步，优选本专利技术的加成固化型有机硅组合物中的所述(B)包含下述式(6)表示的硅氧烷。式中，R6独立地为甲基或苯基，R7独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，g为0～50的整数，h为0～100的整数。其中，g为0时，R6为苯基且h为1～100的整数。带括号的硅氧烷单元的排列可以为任意。此外，优选所述(B)包含下述式(7)表示的硅氧烷。[(CH2＝CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]2[(C6H5)2SiO2/2]i(7)式中，i为1～50的整数。所述(B)可以包含所述式(3)表示的三维网状硅氧烷。进一步，优选所述(B)包含下述式(5)表示的三维网状硅氧烷。[(CH2＝CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]c[(C6H5)2SiO2/2]d[SiO4/2]e(5)式中，c、d、e与所述c、d、e相同，c+d+e＝1。在本专利技术中，若所述R1以及所述直链状硅氧烷、所述三维网状硅氧烷、(B)成分等如上所述，则可更确切地发挥本专利技术的效果。此外，本专利技术提供一种将所述加成固化型有机硅组合物固化而成的固化物。若为本专利技术的固化物，则透明性、耐热变色性、韧性优异。将本专利技术的固化物于180℃静置1,000小时后，厚度为2mm时的波长400nm的透光率(25℃)优选为60％以上。若为具有这样的透光率的固化物，则除了可适宜地使用于发光二极管元件的保护、密封或粘合、波长变更或调节、或者透镜等用途以外，作为透镜材料、光学器件或光学部件用密封材料、显示器材料等各种光学部件用材料、电子器件或电子部件用绝缘材料、进而作为涂布材料也是有用的材料。进一步，本专利技术提供一种半导体元件被所述固化物覆盖的半导体装置。由于所使用的本专利技术的加成固化型有机硅组合物形成透明性、耐热变色性、韧性优异的固化物，因此使用了该加成固化型有机硅组合物的本专利技术的半导体装置的可靠性优异。专利技术效果本专利技术的加成固化型有机硅组合物可给予透明性、耐热变色性、韧性优异的固化物。因此，可适宜地使用于发光二极管元件的保护、密封或粘合、波长变更或调节、或者透镜等用途。因此，由本专利技术的加成固化型有机硅组合物得到的固化物可适宜地使用于发光二极管元件的保护、密封或粘合、波长变更或调节、或者透镜等用途。此外，作为镜片材料、光学器件或光学部件用密封材料、显示器材料等各种光学部件用材料、电子器件或电子部件用绝缘材料、进而作为涂布材料也是有用的。进一步，使用了这样的固化物的本专利技术的半导体装置的可靠性优异。附图说明图1为示出使用了本专利技术的加成固化型有机硅组合物的固化物的光半导体装置的一个实例的截面示意图。附图标记说明1：半导体装置；2：镀银基板；3：封装；4：半导体芯片；5：接合线(bondingwire)；6：加成固化型有机硅组合物的固化物。具体实施方式如上所述，谋求开发一种给予透明性、耐热变色性、韧性优异的固化物的加成固化型有机硅组合物。本申请的专利技术人对上述技术问题反复进行了认真研究，结果发现若为含有特定的成分的加成固化型有机硅组合物，则能够解决上述技术问题，从而完成了本专利技术。即，本专利技术为包含下述(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加成固化型有机硅组合物，其包含下述(A)、(B)及(C)：/n(A)下述式(1)表示的有机硅化合物、与下述式(2)表示的直链状硅氧烷及下述式(3)表示的三维网状硅氧烷的加成反应产物，其在一分子中具有两个以上SiH基，/n

【技术特征摘要】
20191008 JP 2019-1855331.一种加成固化型有机硅组合物，其包含下述(A)、(B)及(C)：
(A)下述式(1)表示的有机硅化合物、与下述式(2)表示的直链状硅氧烷及下述式(3)表示的三维网状硅氧烷的加成反应产物，其在一分子中具有两个以上SiH基，



式中，R1为取代或非取代的碳原子数为1～12的二价烃基，



式中，R2、R4独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，R3独立地为单键或非取代的碳原子数为1～4的二价烃基；a为1～3的整数，b为0～100的整数，
(R53SiO1/2)c(R52SiO2/2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f(3)
式中，R5独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，其中，所有R5中的0.1～40％为烯基，且10～99.9％为芳基；X为氢原子或烷基，c为0.1～0.5的数，d为0.1～0.6的数，e为0.2～0.8的数，f为0～0.2的数，c+d+e+f＝1；
(B)一分子中具有两个以上烯基的化合物；
(C)氢化硅烷化反应催化剂。


2.根据权利要求1所述的加成固化型有机硅组合物，其特征在于，R1为亚苯基，R2、R4独立地为甲基或苯基，R3为单键。


3.根据权利要求1所述的加成固化型有机硅组合物，其特征在于，所述直链状硅氧烷包含下述式(4)表示的直链状硅氧烷，
[(CH2＝CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]2[(C6H5)2SiO2/2]b(4)
式中，b与所述b相同。


4.根据权利要求1所述的加成固化型有机硅组合物，其特征在于，所述三维网状硅氧烷包含下述式(5)表示的三维网状硅氧烷，
[(CH2＝CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]c[(C6H5...

【专利技术属性】
技术研发人员：平野大辅，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP