高频电容器用LTCC瓷粉及其制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了高频电容器用LTCC瓷粉及其制备工艺，属于LTCC瓷粉领域，高频电容器用LTCC瓷粉及其制备工艺包括如下步骤：步骤1——制备可晶化钙硼硅玻璃粉(CBS)；步骤2——制备玻璃助烧剂粉末(LBS)；步骤3——制备(Zn

【技术实现步骤摘要】
高频电容器用LTCC瓷粉及其制备工艺
本专利技术涉及LTCC瓷粉领域，尤其涉及高频电容器用LTCC瓷粉及其制备工艺。
技术介绍
多层陶瓷电容器(MultilayerCeramicCapacitor，MLCC)是片式元件中应用最广泛的一类，它是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合，并共烧成一个整体，又称片式独石电容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特点，可贴装于印制电路板(PCB)、混合集成电路(HIC)基片，有效地缩小电子信息终端产品(尤其是便携式产品)的体积和重量，提高产品可靠性，顺应了IT产业小型化、轻量化、高性能、多功能的发展方向。根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类。小型化、低成本化(用贱金属电极和抗还原瓷料)、和高频化(高达100GHz)成为陶瓷电容器的主要发展方向。通信产业的快速发展对元器件的频率要求越来越高。而我国高频、超高频MLCC产品与国外仍有一定的差距，主要原因是缺乏基础原料及其配方的研发力度。高Q值、射频/微波瓷介电容器与材料的开发，将加速推动射频/微波瓷介电容器等高端电子元器件实现国产化，助力本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.高频电容器用LTCC瓷粉，其特征在于：/n以质量百分数(80-95)％的(Zn

【技术特征摘要】
1.高频电容器用LTCC瓷粉，其特征在于：
以质量百分数(80-95)％的(Zn0.7Mg0.3)TiO3(ZMT)为基体，加入(3.5-10.0)％的可晶化钙硼硅玻璃(CBS)、(0.5-5.0)％的CaTiO3(CT)和(1.0-5.0)％的玻璃助烧剂(LBS)。


2.根据权利要求1所述的高频电容器用LTCC瓷粉，其特征在于：
所述可晶化钙硼硅玻璃(CBS)由质量分数为41.5％的CaO、17.5％的B2O3、39.5％的SiO2和1.5％的ZnO组成。


3.根据权利要求1所述的高频电容器用LTCC瓷粉，其特征在于：
所述玻璃助烧剂(LBS)由质量分数为32.5％的Li2O、44.5％的B2O3、15.5％的SiO2、2.5％的MgO和5％的BaO所组成。


4.根据权利要求1所述的高频电容器用LTCC瓷粉，其特征在于：
瓷粉的中位径颗粒度D50在0.400μm-0.700μm之间。


5.高频电容器用LTCC瓷粉的制备工艺包括权利要求1-4所述的高频电容器用LTCC瓷粉，其特征在于，还包括如下步骤：
步骤1——制备可晶化钙硼硅玻璃粉(CBS)：
a)、按配方41.5％CaO、17.5％B2O3、39.5％SiO2、1.5％ZnO，计算出原料CaCO3(纯度≧99.9％)、H3BO3(≧99.9％)、SiO2(≧99.9％)、和ZnO(≧99.5％)的用量并称量；
b)、将上述原料粉进行湿法或干法混合与研磨；
c)、采用铂金坩埚熔炼上述混合粉，水淬后得到玻璃碎块；
d)、玻璃碎块球磨后得到可晶化钙硼硅玻璃粉(CBS)；
步骤2——制备玻璃助烧剂粉末(LBS)：
a)、按配方32.5％Li2O、44.5％B2O3、15.5％SiO2、2.5％MgO和5％BaO计算得到原料用量；
b)、将上述原料粉进行湿法或干法混合与研磨；
c)、采用铂金坩埚熔炼上述混合粉，水淬后进行球磨，添加有机溶剂作为球磨介质；

【专利技术属性】
技术研发人员：何纪生，缪锡根，朱元海，潘华路，缪波，申亮，
申请(专利权)人：赣州中瓷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36