【技术实现步骤摘要】
一种区熔石英管内壁气吹装置
本专利技术涉及高纯半导体材料制备
,尤其涉及一种区熔石英管内壁气吹装置。
技术介绍
高纯半导体材料,如高纯锗的生产需要经过区熔提纯,区熔过程中原料放置于石英管中。为避免石英管中的杂质污染材料,需要对石英管进行酸洗。酸洗完成后,内壁会附着很多水分,这些水分将会成为区熔过程中额外引入的杂质,因此需要用高纯气体吹干。由于石英管经过酸洗后内部十分洁净,为避免气吹装置触碰到石英管内壁,不能将气吹喷嘴伸入石英管内部,只能在石英管口吹气。这种气吹方式耗时长,且十分浪费气体,增加生产成本。当石英管长度较长时,剩余在内壁深处的小水珠会吸附在管壁上,且该处的气体流速较小,难以彻底将水份吹干,在后续的区熔实验中,这些残留在石英管内的水分会与原料进行化学反应,形成新的杂质,使提纯效果难以达到预期。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种可实现良好气吹效果的区熔石英管内壁气吹装置。为解决上述技术问题,本专利技术采用如下所述的技术方案:一种区熔石英管内壁气吹装 ...
【技术保护点】
1.一种区熔石英管内壁气吹装置,其特征在于,所述区熔石英管内壁气吹装置包括有:/n一气管,其一端安装有气吹喷嘴,该气管带有气吹喷嘴的一端可伸入石英管内对石英管内壁进行气吹,所述气吹喷嘴为圆柱体结构,气吹喷嘴的外壁均匀分布有多个吹气孔;/n一固定套筒,其包括有一支撑板、一卡箍以及多个用于连接所述支撑板、卡箍的固定棒,所述支撑板的中心位置开设有一可供所述气管通过的气管通孔;/n一伸缩组件,其固定安装于所述支撑板上,用于驱动所述气管沿支撑板的法向来回运动。/n
【技术特征摘要】
1.一种区熔石英管内壁气吹装置,其特征在于,所述区熔石英管内壁气吹装置包括有:
一气管,其一端安装有气吹喷嘴,该气管带有气吹喷嘴的一端可伸入石英管内对石英管内壁进行气吹,所述气吹喷嘴为圆柱体结构,气吹喷嘴的外壁均匀分布有多个吹气孔;
一固定套筒,其包括有一支撑板、一卡箍以及多个用于连接所述支撑板、卡箍的固定棒,所述支撑板的中心位置开设有一可供所述气管通过的气管通孔;
一伸缩组件,其固定安装于所述支撑板上,用于驱动所述气管沿支撑板的法向来回运动。
2.如权利要求1所述的区熔石英管内壁气吹装置,其特征在于,所述区熔石英管内壁气吹装置包括有一用于对气管内的气体进行加热的加热组件。
3.如权利要求2所述的区熔石...
【专利技术属性】
技术研发人员:甘林,孙慧斌,赵海歌,胡世鹏,郝昕,罗奇,钟健,吴正新,
申请(专利权)人:深圳大学,
类型:发明
国别省市:广东;44
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