【技术实现步骤摘要】
赤铁矿三方偏方面体双晶的合成方法
本专利技术涉及赤铁矿三方偏方面体双晶的合成方法,属于矿物材料
技术介绍
赤铁矿是自然界中最常见的铁矿物,其化学性质稳定且无毒,其广泛分布于表生矿床、土壤中及沉积物中。赤铁矿是一种具有合适的禁带宽度(Eg=2.1eV)和较高的吸光系数(可吸收约40%的太阳光谱)的半导体材料和光伏材料,其较高的光催化及光电催化活性、太阳能综合利用效率使其在环保、能源等领域,如电化学传感器、光催化去除毒害有机污染物及致病微生物、光电催化水裂解制氢等,具有广阔的应用前景。同时,赤铁矿高的表面化学活性使其在环境中重金属离子的吸附去除方面也得到了广泛应用。天然赤铁矿中一般含有各种杂质且很难去除,通过天然矿物的直接研磨加工得到的产品通常纯度较低、品质较差,这显著制约了其应用。近年来,人们通过多种方法合成了赤铁矿薄膜及多种形貌的纳微米颗粒,如球状、双锥状等,其形貌对反应活性及应用具有显著影响。目前还未有关于具有特殊形貌的三方偏方面体双晶结构的赤铁矿合成方法的报道。
技术实现思路
本专利 ...
【技术保护点】
1.赤铁矿三方偏方面体双晶的合成方法,其特征在于,包括如下步骤:/n步骤1,在持续搅拌下,将Na
【技术特征摘要】
1.赤铁矿三方偏方面体双晶的合成方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,在持续搅拌下,将Na2S溶液逐滴加入FeSO4水溶液得到黑色FeS固体悬浮液;
步骤2,将步骤1中的固体悬浮液中加入Na2S和单质硫粉的水溶液的沸液,随后在水热反应釜中反应,冷至室温后,将反应得到的固体物洗涤、干燥,即得到赤铁矿三方偏方面体双晶。
2.如权利要求1所述的赤铁矿三方偏方面体双晶的合成方法,其特征在于,步骤1和步骤2中所述Na2S的浓度为0.05~1mol/L。
3.如权利要求1所述的赤铁矿三方偏方面体双晶的合成方法,其特征在于,所述步骤1中的FeSO4浓度为0.05~1mol/L。
4.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:聂信,万泉,夏勇,覃宗华,于文彬,
申请(专利权)人:中国科学院地球化学研究所,
类型:发明
国别省市:贵州;52
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